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發布了產品 2022-05-31 20:16
C6D10065G分立碳化硅肖特基二極管
產品型號：C6D10065G 重復峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 最大持續電流：10A299瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-31 20:02
C6D10065Q分立碳化硅肖特基二極管
產品型號：C6D10065Q 重復峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 電容儲能：5.2µJ217瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-30 11:12
CGH35240F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH35240F 頻率：3.1 – 3.5 GHz 操作 輸出功率：240 W 典型輸出功率 功率增益：11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm299瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-30 11:03
CGH35060P2 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH35060P2 頻率：3.1 – 3.5 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益262瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-30 10:41
CGH35060P1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH35060P1 頻率：3.3 – 3.6 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益193瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-30 10:20
CGH35015P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH35015P 頻率：3.3 – 3.9 GHz 操作 峰值功率：15 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益178瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-30 10:03
CGH31240F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH31240F 頻率：2.7 – 3.1 GHz 操作 增益：12分貝功率增益 效率：60% 功率附加效率162瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-30 09:25
CGH27060F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH27060F 頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 增益：14 dB 小信號增益 8.0 W PAVE：8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM183瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-29 21:15
C3D08065I分立碳化硅肖特基二極管
產品型號：C3D08065I 重復峰值反向電壓：650V 浪涌峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V115瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-29 21:06
C6D08065E分立碳化硅肖特基二極管
產品型號：C6D08065E 重復峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 重復峰值正向浪涌電流：34-20A207瀏覽量
