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發布了產品 2022-05-27 18:44
C2M0045170P碳化硅MOSFET
產品型號：C2M0045170P 漏源電壓：1700V 柵極-源極電壓動態：-10/+25V 柵極-源極電壓靜態：-5/+20V577瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-27 18:39
C2M1000170D碳化硅MOSFET
產品型號：C2M1000170D 漏源電壓：1700V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+201k瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 21:44
C3M0350120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0350120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態：-4/+15V226瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 21:36
C3M0350120J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0350120J 漏源電壓:：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態：-4/+15V201瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 21:23
C2M0280120D碳化硅MOSFET
產品型號：C2M0280120D 漏源電壓:：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20583瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 21:16
C2M0160120D碳化硅MOSFET
產品型號：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20852瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 21:08
C3M0160120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓動態:：-4/+15V428瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:57
CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益269瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:56
CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益205瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:54
CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益329瀏覽量
