動態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:03
C3M0040120J1碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0040120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V178瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 20:56
C3M0032120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0032120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V762瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 11:21
CG2H80045D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 擊穿電壓：高擊穿電壓129瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:52
CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓217瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:40
CG2H80015D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓248瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:04
CG2H40120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CG2H40120F-AMP 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益139瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:01
CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H40120F 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益367瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:58
CG2H40120P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H40120P 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益158瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:23
CG2H40045F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CG2H40045F-AMP 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益189瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:18
CG2H40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H40045F 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益366瀏覽量
