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發布了產品 2022-05-21 16:51
C3M0045065K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0045065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A418瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 16:42
C3M0045065D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0045065D 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A228瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 16:32
C3M0045065J1碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0045065J1 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A199瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 16:29
PC3M0045065L碳化硅MOSFET
產品型號：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A215瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 16:01
C3M0025065K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A512瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 11:41
C3M0015065K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A610瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-21 11:12
C3M0015065D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A394瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:44
CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CG2H40025F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益214瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:42
CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40025P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益223瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-20 11:40
CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40025F 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益339瀏覽量
