動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:55

  CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH40006S 頻段：高達(dá) 6 GHz 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:14

  CGHV1F006S-AMP3高電子遷移率晶體管 (HEMT)X波段測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1F006S-AMP3 頻段：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:01

  CGHV1F006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)C波段測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1F006S-AMP1 頻率：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：17 dB

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 10:42

  CGHV1F006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGHV1F006S 頻率：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益;

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 10:06

  CMPA0060002D氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信號增益 工作電壓：2 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 09:44

  CMPA0060002F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0060002F-AMP 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 耐壓性：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-17 18:34

  CMPA0060002F晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0060002F 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 電壓特性：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-17 12:09

  CMPA0060002F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0060002F1-AMP 增益：18 dB 小信號增益 電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 耐壓性：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-17 11:12

  CMPA0530002S高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0530002S 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：2.9 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 電壓：高擊穿電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-17 09:34

  CMPA0060002F1高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CMPA0060002F1 增益：17 dB 小信號增益 PSAT：3 W 典型 PSAT 工作電壓： 28 V

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