動(dòng)態(tài)
-
發(fā)布了文章 2022-11-30 07:58
直播預(yù)告 | @12/1 GaN為48V高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換和馬達(dá)控制帶來的優(yōu)勢(shì)
人工智能、5G和大數(shù)據(jù)的發(fā)展需要更高的功率為伺服器、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)機(jī)架供電，并且需要在相同的外型尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率。許多系統(tǒng)正逐漸轉(zhuǎn)用48V配電電壓架構(gòu)，以大大減少功耗和增加功率密度。更高效、更快、更小的GaNFET和IC能夠支持新的48V機(jī)架設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最高的功率密度、最高的效率、減少功耗、減省云數(shù)據(jù)中心的能源費(fèi)用和提高整體電力使用效率。用于馬達(dá)控制的氮化鎵元件962瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-11-30 07:55
學(xué)技術(shù) | Realtek Smart Amplifier
一般使用者可能不太清楚SmartAmplifier與一般的Amplifier到底有什么差別，因?yàn)閮烧叩牟町惒⒉蝗菀讖腟PEC看出來，而是要從實(shí)際喇叭的表現(xiàn)來比較，簡(jiǎn)單的來說就是：SmartAmp可以讓相同的喇叭發(fā)揮出更好的表現(xiàn)，推出更大的功率，且并不會(huì)造成喇叭單體的損傷。大多數(shù)筆記型電腦因?yàn)榭臻g的限制，所選用的喇叭通常都是最大功率在2W以下的規(guī)格，這樣即使推2.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-11-30 07:54
-
發(fā)布了文章 2022-11-30 07:51
學(xué)技術(shù) | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì)，盡可能降低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設(shè)計(jì)原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導(dǎo)損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級(jí)電壓4.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-11-30 07:48
-
發(fā)布了方案 2022-11-29 11:08
-
發(fā)布了文章 2022-11-24 13:58
基于 SemiDrive X9H 的 Core Board 之 e-Cockpit 方案
方案簡(jiǎn)介世平集團(tuán)推出的X9H核心板，以X9-H處理器為主芯片，是專為新一代智能座艙控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高性能車規(guī)級(jí)芯片，采用雙內(nèi)核異構(gòu)設(shè)計(jì)，包含6個(gè)高性能的Cortex-A55CPU內(nèi)核，1對(duì)雙核鎖步的高可靠Cortex-R5內(nèi)核，在承載未來座艙豐富應(yīng)用的同時(shí)，也能滿足高性能和高可靠性的需求。X9-H處理器還集成了最新的CPU、GPU、2路PCIE3.0x1接口、1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-11-24 07:55
學(xué)技術(shù) |英飛凌推出支持第五代CAPSENSE™技術(shù)的PSoC™ 4100S Max，更優(yōu)性能、更低的功耗與成本滿足人機(jī)交互需求
英飛凌科技近日宣布推出全新PSoC4100SMax系列：該產(chǎn)品帶有擴(kuò)展的閃存器件與通用輸入/輸出接745瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-11-24 07:53
-
發(fā)布了文章 2022-11-24 07:52
找方案 | Semtech PerSe系列 SX9210 在 TWS 耳機(jī)上的應(yīng)用
SemtechPerSe適用于所有個(gè)人連接的消費(fèi)類器件。該技術(shù)可以智能地感應(yīng)人的存在，以優(yōu)化連接并增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。PerSe提供一流的傳感性能，常用于智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦和可穿戴設(shè)備等廣泛應(yīng)用。PerSe擁有三個(gè)面向連接的消費(fèi)類器件的產(chǎn)品系列。PerSeConnect比吸收率(SAR)傳感器增強(qiáng)了各種無線技術(shù)的連接性，例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電2.5k瀏覽量
