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發布了文章 2022-05-24 05:26
新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT
新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關器件:P2000DL45X1682000A4500V帶續流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高2k瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-24 05:24
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發布了文章 2022-05-13 01:25
IGBT門極驅動到底要不要負壓
先說結論,如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說,很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關,在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG1.9k瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-10 01:25
英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022:盡享非凡功率
PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡,是全球電力電子行業的頂級展會及研討會,已有40年多年歷史。在這一行業盛會上,全球從業者齊聚一堂,展示與交流電力電子技術和應用。來自學術界和工業界的專家在這里發布最新的研究成果和新產品,內容從器件、驅動控制、封裝技術到最終系統,涵蓋整個生態鏈。英飛凌將亮相PCIM2022(5月10日至12日,德國紐倫堡),展示功率半導體756瀏覽量 -
發布了文章 2022-05-08 01:46
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發布了文章 2022-04-30 01:57
當.XT技術遇上SiC單管
英飛凌于2020年發布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產品,導通電阻從350mohm到30mohm,覆蓋功率范圍最高可到20kW,產品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產品也許您已選用測試,或許還在選型觀望,又或者正懵懂于“.XT”是個啥?不妨讀完此文,撥云見日,三站地鐵,十分鐘足1.3k瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-28 01:33
怎么理解驅動芯片的驅動電流能力
使用功率開關器件的工程師們肯定都有選擇驅動芯片的經歷。面對標稱各種電流能力的驅動產品時,往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個剛好夠用的產品。以下內容或許能給到些啟發。首先來看一下這個驅動峰值電流的定義方式。這個很重要,不同公司的產品往往宣傳說法不一樣,所以要參考規格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產品的電流表。比如1EDI60I12A3.5k瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-26 01:23
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發布了文章 2022-04-23 01:42
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發布了文章 2022-04-20 01:27
新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產品
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品,采用TO247封裝,建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化,性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術,最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC121.1k瀏覽量