動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-27 16:11

  第三代半導(dǎo)體防震基座的技術(shù)難點有哪些？

  

  高性能材料研發(fā)：需要具備更高阻尼性能、更低自然頻率、更好的耐腐蝕性和耐高溫性的特殊材料，如先進的復(fù)合材料、特種合金等。目前部分高性能材料依賴進口，限制了國內(nèi)防震基座性能的提升。

  半導(dǎo)體設(shè)備 基座 第三代半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 16:52

  半導(dǎo)體制造fab廠房建筑防震振動測試介紹

  

  半導(dǎo)體制造FAB廠房建筑防震振動測試?

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體制造 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 16:48

  防震基座的定制生產(chǎn)流程

  

  與客戶進行詳細溝通，了解半導(dǎo)體設(shè)備的基本信息，包括設(shè)備類型（如光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備等）、設(shè)備尺寸（長、寬、高）、設(shè)備重量（包括滿載和空載狀態(tài)）、設(shè)備重心位置等。這些參數(shù)對于設(shè)計防震基座的承載能力和穩(wěn)定性至關(guān)重要。

  減震器 半導(dǎo)體 基座 生產(chǎn)流程

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 16:45

  防震基座安裝精度的行業(yè)標準是什么？

  

  尺寸精度：基座的長、寬、高尺寸公差一般要控制在 ±1-±3mm 范圍內(nèi)，具體取決于設(shè)備的規(guī)格要求。例如，對于高精度光刻機的防震基座，尺寸公差可能要求在 ±1mm 以內(nèi)。安裝孔的位置精度更為關(guān)鍵，位置度公差通常在 ±0.5-±1mm 之間.

  基座 安裝精度 行業(yè)標準 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 16:11

  未來五年中國集成電路與半導(dǎo)體設(shè)備防震基座需求預(yù)測

  

  未來五年中國集成電路與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將持續(xù)擴張，新建多個晶圓廠和生產(chǎn)線。例如，北京、上海、廣東、江蘇等地都有大型集成電路項目規(guī)劃與建設(shè)，這些項目將引入大量光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備等半導(dǎo)體制造設(shè)備，而每臺設(shè)備都需要配備相應(yīng)的防震基座，從而直接帶動防震基座的新增需求.

  半導(dǎo)體 基座 市場預(yù)測 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 16:06

  半導(dǎo)體設(shè)備防震基座安裝完成后，如何進行日常維護?

  

  半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的日常維護對于確保其性能穩(wěn)定、延長使用壽命以及保障半導(dǎo)體設(shè)備的正常運行至關(guān)重要。以下是一些常見的日常維護要點：

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 基座

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 16:03

  泊蘇防震基座的優(yōu)點有哪些？

  

  半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的日常維護對于確保其性能穩(wěn)定、延長使用壽命以及保障半導(dǎo)體設(shè)備的正常運行至關(guān)重要。以下是一些常見的日常維護要點：

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 基座

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 14:53

  如何提高防震基座的安裝精度？

  

  在安裝防震基座之前，需要對安裝場地進行精確測量。使用高精度的水準儀、經(jīng)緯儀或全站儀等測量儀器，測量地面的平整度和水平度，確保地面的平整度誤差在允許范圍內(nèi)。例如，對于高精度半導(dǎo)體設(shè)備的防震基座安裝，地面平整度誤差一般要求控制在 ±1mm/m 以內(nèi)。

  半導(dǎo)體設(shè)備 基座 安裝精度

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• 發(fā)布了方案 2024-12-24 14:43

  半導(dǎo)體設(shè)備光刻機防震基座在 LCD 面板制造曝光機中的成功應(yīng)用案例

  

  在 LCD（Liquid Crystal Display）面板制造領(lǐng)域，曝光機是核心設(shè)備之一。它的作用是通過高精度的光刻技術(shù)，將設(shè)計好的電路圖案精確地轉(zhuǎn)移到玻璃基板上，這一過程的精度直接關(guān)系到 LCD 面板的顯示質(zhì)量和性能。

  lcd 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 曝光機

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 14:30

  半導(dǎo)體晶圓制造工藝流程

  

  半導(dǎo)體晶圓制造是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它是整個電子行業(yè)的基礎(chǔ)。這項工藝的流程非常復(fù)雜，包含了很多步驟和技術(shù)，下面將詳細介紹其主要的制造工藝流程。第一步：晶圓生長晶圓生長是半導(dǎo)體制造的第一步，它通常采用的方法是化學(xué)氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）。該過程的目的是在單晶硅上制造出一層高純度的薄層，這就是半導(dǎo)體芯片的原料。第二步：晶圓拋光晶圓拋光

  半導(dǎo)體 晶圓 晶圓制造

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