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10.1.5 節終端擴展（JTE）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-06 02:02
10.1.5節終端擴展（JTE）10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6碳化硅 879瀏覽量 -
10.3.1 金剛石(Diamond)∈《集成電路產業全書》2022-04-06 00:44
Diamond審稿人：北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GD集成電路 519瀏覽量 -
10.1.4 斜面邊緣終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-05 01:10
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10.2.8 生物醫學芯片∈《集成電路產業全書》2022-04-05 01:07
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10.1.3 溝槽邊緣終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-04 01:10
10.1.3溝槽邊緣終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、碳化硅 531瀏覽量 -
10.2.7 非易失性邏輯集成電路∈《集成電路產業全書》2022-04-04 01:07
NonvolatileLogicIntegratedCircuit審稿人：清華大學劉勇攀https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP集成電路 690瀏覽量 -
10.1.2 二維電場集中和結的曲率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-03 01:10
10.1.2二維電場集中和結的曲率10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN碳化硅 414瀏覽量 -
10.2.6 認知無線電集成電路∈《集成電路產業全書》2022-04-03 01:08
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10.2.5 量子集成電路∈《集成電路產業全書》2022-04-02 05:01
我們QuantumIntegratedCircuit審稿人：中國科學院半導體研究所吳南健http://www.semi.ac.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Alte集成電路 751瀏覽量 -
10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-02 01:13
10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系碳化硅 762瀏覽量