深圳市致知行科技有限公司文章

• 10.6.6 第一性原理∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-26 01:06

  

  FirstPrinciplesMethod審稿人：香港大學(xué)劉飛審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型

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• 拓爾微:1-14串鋰電池保護(hù)IC選型2022-04-25 01:11

  

  拓爾微電子成立于2007年，專注于芯片技術(shù)研發(fā)，主營面向行業(yè)應(yīng)用的高性能模擬及數(shù)模混合芯片設(shè)計和基于自主芯片的精密模組研制，致力于為行業(yè)用戶提供“芯片-模組”的系統(tǒng)解決方案。拓爾微電子擁有頂級的技術(shù)委員會，目前已在杭州、深圳、成都、無錫、廣州、臺灣建立分支機(jī)構(gòu)及研發(fā)中心。打造了行業(yè)定制芯片與模組、電源管理芯片、馬達(dá)驅(qū)動芯片、鋰電管理芯片四大系列產(chǎn)品，擁有三百

  鋰電池 IC 3973瀏覽量

• 10.6.5 分子動力學(xué)模擬∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-25 01:06

  

  Molecular-dynamicsSimulation審稿人：香港大學(xué)劉飛審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A

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• 晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V 4A、7A、11A、15A Super-junction Power MOS2022-04-24 01:11

  

  1、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V15A280mΩSuper-junctionPowerMOSFET2、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V11A380mΩSuper-junctionMOSFET3、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V7A650mΩSuper-junctionPowerMOSFET4、晶圓(Wafer-K

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• 11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-04-24 01:09

  

  11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7

  碳化硅 1103瀏覽量

• 10.6.4 非平衡格林函數(shù)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-24 01:07

  

  Non-equilibriumGreenFunction（NEGF）審稿人：北京航空航天大學(xué)曾瑯審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替

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• 晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V 4A 1000mΩ Super-junction Power MOSFET2022-04-23 01:11

  

  *AllthedatabasedonTO-220package,unlessotherwisespecified.需要規(guī)格書、樣品及技術(shù)支持，請聯(lián)系：18676796057(微信)代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替

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• 11.5 開關(guān)模式電源的電力電子學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-04-23 01:09

  

  11.5開關(guān)模式電源的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK720

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• 10.6.3 準(zhǔn)彈道運(yùn)輸∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-23 01:07

  

  Quasi-ballisticTransport審稿人：中國信息通信研究院王駿成審稿人：北京大學(xué)劉曉彥杜剛10.6納米級器件模型與模擬第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型

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• 晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V 7A 650mΩ Super-junction Power MOSFET2022-04-22 01:11

  

  *AllthedatabasedonTO-220package,unlessotherwisespecified

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