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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-05 01:07

    8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和
    SiC 579瀏覽量
  • 9.6.14 貴金屬靶∈《集成電路產業全書》2022-03-05 01:06

    PreciousMetalTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切
    集成電路 265瀏覽量
  • 8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關定義∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-04 01:07

    8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.8UMOS的先進設計∈《碳化硅技術基
    MOSFET 576瀏覽量
  • 9.6.13 銅靶∈《集成電路產業全書》2022-03-04 01:06

    CopperTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生
    集成電路 320瀏覽量
  • 8.2.10.1 影響反型層遷移率的機理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-03 01:09

    8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.8UMOS的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.
    SiC 632瀏覽量
  • 9.6.12 鉭靶∈《集成電路產業全書》2022-03-03 01:07

    TitaniumTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提
    集成電路 341瀏覽量
  • 國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列2022-03-02 01:08

    EQ6GL9可替換器件XILINX/賽靈思:XC6SLX4、XC6SLX9Altera:EP4CE6、EP4CE10Lattice:iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型號器件詳情鏈接:FPGA.EQ6GL9小型低功耗百萬門級FPGA替換XILINX/賽靈思:XC6SLX4、XC6S
    FPGA 8021瀏覽量
  • 8.2.9 閾值電壓控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-02 01:07

    8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.8UMOS的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.7DMOSFET的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.6功率MOSFET的實施:DMO
    電壓 865瀏覽量
  • 9.6.11 鈦靶∈《集成電路產業全書》2022-03-02 01:06

    TitaniumTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊鏈接:8.8.10化學機械拋光機(CMP)∈《集成電路產業全書》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切
    集成電路 454瀏覽量
  • 8.2.8 UMOS的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-01 09:57

    8.2.8UMOS的先進設計8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.7DMOSFET的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2.5比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生
    MOS 948瀏覽量
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