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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • 英飛凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產品獎2023-12-21 08:14

    11月14日,英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能,榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎,再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力和行業領先地位,得到了業內專家和客戶的認可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵,大大提升器件參數、可靠性及壽命
    模塊 碳化硅 英飛凌 1144瀏覽量
  • SiC MOSFET用于電機驅動的優勢在哪里2023-12-16 08:14

    在我們的傳統印象中,電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的電機應用中,SiC仍然具有不可比擬的優勢,他們是:1低電感電機低電感電機有許多不同應用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關
    IGBT MOSFET SiC 電機驅動 911瀏覽量
  • 擴展 IGBT7 產品組合,實現bast-in-Class功率密度2023-12-11 17:31

    我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續流產品的優點。秉承"越多越好"的宗旨,英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7技術的產品系列,其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合,重點如下:1.采用TO-247PLUS封裝可實現高功率密度,可用于商用車和農用車(CAV)
    IGBT 二極管 英飛凌 823瀏覽量
  • 感應加熱原理與IGBT應用拓撲分析(上)2023-12-09 08:14

    經常遇到很多同事和朋友問:為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT,這種應用的IGBT需要有什么特點?今天我們就給大家詳細解釋感應加熱的原理和感應加熱的拓撲分析。在理解電磁感應加熱的原理之前,先問自己一個問題,假如這個世界上沒有電磁爐,你要燒開一鍋水,會怎么做?最常見的方式,就是點燃爐灶,把鍋架在火上。圖1.傳統燃氣加熱然而這種方法是間接的加熱方式,先由熱源加熱鍋
    IGBT 感應加熱 電磁 1595瀏覽量
  • 英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合,助力實現更高效率和功率密度2023-12-02 08:14

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅(SiC)MOSFET芯片,采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用,而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應
    SiC 封裝 英飛凌 1107瀏覽量
  • 英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰2023-12-01 08:14

    碳化硅MOSFET導通損耗低,開關速度快,dv/dt高,短路時間小,對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC英飛凌工業功率技術大會上,發表了《英飛凌EiceDRIVER技術以及應對SiCMOSFET驅動的挑戰》的演講,詳細剖析了SiCMOSFET對驅動芯片的需求,以及我們
    MOSFET SiC 英飛凌 驅動 1506瀏覽量
  • 增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量2023-11-28 08:13

    碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題,英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業,如何使用創新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強型M1HCoolSiC芯片又“強“在哪里?英飛凌零碳工業功率事業部高級工程師趙佳女士,在2023英
    MOSFET SiC 碳化硅 1231瀏覽量
  • 英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品2023-11-21 08:14

    英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管,以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術,具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導體器件適合用于各種應用,如組串式逆變器
    IGBT 電源 英飛凌 841瀏覽量
  • 英領綠色能源|產學聯動,探討實現“雙碳”更優解2023-11-19 08:13

    作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日第一期上線現在開約!雙碳,一個持續熱門的話題,可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發展邏輯,從產業宏觀和底層科技綜合視角來探討實現“雙碳”目標的更快路徑,2023年尾聲,英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動,結合產業熱點,打造業界獨家欄目!在這檔欄目中,通過研究“雙
  • 產學聯動,探討實現“雙碳”更優解2023-11-17 08:14

    作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日(下周二)第一期上線現在開約!雙碳,一個持續熱門的話題,可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發展邏輯,從產業宏觀和底層科技綜合視角來探討實現“雙碳”目標的更快路徑,2023年尾聲,英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動,結合產業熱點,打造業界獨家欄目!在這檔欄目中,通
    功率半導體 英飛凌 428瀏覽量
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