英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiC MOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率變換系統(tǒng)等。

英飛凌推出采用62mm封裝的CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合

增強型M1H芯片技術(shù)顯著拓寬了柵極電壓窗口，即使在高開關(guān)頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應(yīng)對驅(qū)動器和布局引起的感應(yīng)電壓尖峰時的高可靠性。此外，極低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗可以最大限度地降低散熱需求。2000V的電壓等級，滿足現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計中的高耐壓要求。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，變換器的設(shè)計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本。

62mm采用銅基板設(shè)計和螺母功率端子，該封裝是高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可提高系統(tǒng)可用性、降低服務(wù)成本和減少停機損失。通過強大的溫度周次能力和150°C的連續(xù)運行結(jié)溫（Tvjop）實現(xiàn)出色的可靠性。其對稱的內(nèi)部封裝設(shè)計使得橋臂中上下管具有相同的開關(guān)條件?？梢赃x裝預(yù)涂熱界面材料（TIM），進一步提高模塊的熱性能。

采用62mm封裝的1200V CoolSiC MOSFET有5mΩ/180A、2mΩ/420A和1mΩ/560A三種型號可供選擇。2000V產(chǎn)品組合將包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號。1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型號將于2024年一季度推出。該系列產(chǎn)品還有用于評估模塊高速特性（雙脈沖/連續(xù)工作）的評估板可供選擇。