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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-11-28 01:00 ? 次閱讀

英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN 650V G5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

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CoolGaN 650V G5晶體管

最新一代CoolGaN晶體管可直接替代CoolGaN 600V G1晶體管,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有平臺(tái)的快速重新設(shè)計(jì)。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo),確保為重點(diǎn)應(yīng)用帶來具有競(jìng)爭(zhēng)力的開關(guān)性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比,CoolGaN 650V G5晶體管輸出電容中存儲(chǔ)的能量(Eoss)降低了多達(dá)50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達(dá)60%。憑借這些特性,新器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中都具有出色的效率。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)相比,其功率損耗大幅降低,根據(jù)具體使用情況可降低20%-60%。

這些優(yōu)勢(shì)使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN 650V G5晶體管使SMPS應(yīng)用變得更小、更輕,或在規(guī)定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種RDS(on)和封裝組合。十種RDS(on)等級(jí)產(chǎn)品采用各種SMD封裝,如ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL和TOLT。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。未來,CoolGaN將過渡到12英寸生產(chǎn)線。這將使英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大其CoolGaN產(chǎn)能,并確保在GaN功率市場(chǎng)上擁有穩(wěn)健的供應(yīng)鏈。Yole Group預(yù)測(cè)到2029年,該市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到20億美元[1]。

[1] 來源:Yole Intelligence, 2024年氮化鎵功率器件報(bào)告

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