眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來(lái)可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿(mǎn)足EMC法規(guī)（例如EN55022 B類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)）要求。
2023-10-16 14:32:45
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與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運(yùn)行，255℃結(jié)溫下使用壽命超過(guò)100萬(wàn)小時(shí)。
2021-12-02 14:09:211490 
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對(duì)稱(chēng)半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)，如主動(dòng)有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡(jiǎn)單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開(kāi)關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)硅MOSFET產(chǎn)品。 GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開(kāi)關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場(chǎng)發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟(jì)高效的替代品，并成為實(shí)現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計(jì)人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
（如處理器）。具有高輸入至輸出電壓比的開(kāi)關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器的效率較低。這些電源管理模塊通常涉及多個(gè)轉(zhuǎn)換階段。從中間的54/48伏總線(xiàn)直接轉(zhuǎn)換到處理器內(nèi)核電壓可以降低成本并提高效率。氮化鎵憑借其獨(dú)特的開(kāi)關(guān)
2019-03-14 06:45:11
采用集成反激式控制器的PoE應(yīng)用的高功率，高效率，三輸出功率器件
2019-05-20 07:37:00
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿(mǎn)足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見(jiàn)繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過(guò)機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器。 這種緊湊型變壓器的設(shè)計(jì)，首先遇到的問(wèn)題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇，其研制出的主要技術(shù)是使用銅箔交疊的平面繞組結(jié)構(gòu)，以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級(jí)
2016-01-18 10:27:02
，對(duì)通信電源產(chǎn)品提出了高效率、高功率密度的客觀要求。同時(shí)新型高性能器件的不斷涌現(xiàn)與和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)，客觀上也為通信電源的高效率，高功率密度設(shè)計(jì)提供了可能性。本文主要介紹了一臺(tái)1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲(chǔ)能元件如電感及電容，達(dá)到高效率、高功率密度的要求。為求簡(jiǎn)便，本文以下稱(chēng)之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達(dá)到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
射頻功率放大器被廣泛應(yīng)用于各種無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備中。在通訊基站中，線(xiàn)性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線(xiàn)性化問(wèn)題顯得非常重要。因此高效率高線(xiàn)性的功放一直是功放研究的熱門(mén)課題。
2019-09-17 08:08:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計(jì)消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡(jiǎn)化了氮化鎵器件的應(yīng)用門(mén)檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場(chǎng)占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場(chǎng)空白，推出
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
克服了上述問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
電子、汽車(chē)和無(wú)線(xiàn)基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線(xiàn)中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過(guò)高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問(wèn)題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率，實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套，因此射頻器件的數(shù)量將大為增加，器件的尺寸大小很關(guān)鍵，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。[color
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設(shè)計(jì)帶來(lái)效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢(shì)，因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿(mǎn)載94.5%效率@ 90Vac，并通過(guò)CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
合理開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，這是因?yàn)镚aN器件和驅(qū)動(dòng)器基于不同的處理技術(shù)…
2022-11-16 06:23:29
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
功率密度計(jì)算解決方案實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開(kāi)始量產(chǎn)，而且在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試和大批量客戶(hù)應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過(guò)數(shù)千億個(gè)
2023-06-25 14:17:47
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
怎樣去設(shè)計(jì)一種高效率音頻功率放大器？如何對(duì)高效率音頻功率放大器進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證？
2021-06-02 06:11:23
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專(zhuān)門(mén)從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計(jì)近100家客戶(hù)選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶(hù)提供最優(yōu)解，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過(guò)封裝和改善結(jié)構(gòu)來(lái)優(yōu)化性能提升效率，不過(guò)隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571131 RFMD公司推出氮化鎵有線(xiàn)電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專(zhuān)門(mén)針對(duì)有線(xiàn)電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在
2011-11-16 10:06:461430 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012117 包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理閱讀下面的氮化鎵的十個(gè)重要事實(shí)，真正了解這個(gè)在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。 關(guān)于氮化鎵的十個(gè)重要事實(shí)： 一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度
2017-11-08 15:24:21
7 功率行波管的發(fā)展走過(guò)了70年的歷程，具有寬頻帶、高功率、高效率等特點(diǎn)，是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件，并不斷地推動(dòng)系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、一體化發(fā)展。
2018-05-25 09:52:004071 
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155321 金脈新一代高功率密度電機(jī)控制器，采用英飛凌Aurix TC275作為主控芯片，功能安全監(jiān)控芯片采用英飛凌TLF35584QVVS1，驅(qū)動(dòng)適配英飛凌HP Drive模塊，預(yù)驅(qū)芯片采用英飛凌1ED2002AS，采用松下的三合一電流傳感器和DC Link電容器。
2019-09-23 16:02:586623 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383111 近日，氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目樁基開(kāi)工。這個(gè)項(xiàng)目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實(shí)施，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售30億元以上，可進(jìn)一步推動(dòng)嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
2020-07-06 08:46:052025 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過(guò)
2020-10-20 15:01:15843 高效率高功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:285 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類(lèi)型的快充市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:561803 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:062322 
提高功率密度的路線(xiàn)圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46653 (MOSFET)，因?yàn)樗軌蝌?qū)動(dòng)更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:521087 
提高功率密度的路線(xiàn)圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參數(shù)是整個(gè)逆變器堆棧的厚度；具有扁平薄型逆變器
2022-08-03 10:16:55880 、高可靠性和穩(wěn)健性以及改進(jìn)的熱管理。由于這些特性，在電源電路中使用這些組件可以顯著提高效率和功率密度，從而降低解決方案的成本和尺寸。 WolfPACK 是 Wolfspeed 最近向市場(chǎng)推出的功率模塊系列，是希望提高電路效率和功率密度同時(shí)保持非常小的
2022-08-04 10:39:391392 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開(kāi)關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過(guò) 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:132067 
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2022-08-09 14:21:5453 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體技術(shù)為提高射頻/微波功率放大的性能水平做出了巨大貢獻(xiàn)。通過(guò)減少器件的寄生元件、使用更短的柵極長(zhǎng)度和使用更高的工作電壓，GaN晶體管達(dá)到了更高的輸出功率密度、更寬的帶寬和更高的DC-RF效率。
2023-01-23 10:13:00990 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201663 
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:488502 
領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，加強(qiáng)器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步加速氮化鎵市場(chǎng)普及
2023-03-28 13:58:021382 
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:531162 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231753 在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:271145 
-第79期-SILERGYGaNSolution氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通阻抗，提高效率，降低發(fā)熱，減小了快充充電器的體積。為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并降低外圍器件數(shù)量，矽力杰自主研發(fā)
2022-09-29 10:54:141938 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:153139 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56554 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:347499 
提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市場(chǎng)的關(guān)鍵。主要例子包括汽車(chē)電氣化趨勢(shì)、高壓
2023-09-25 08:17:54787 
效率及功率密度，解鎖降低整體系統(tǒng)成本的密碼，相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化鎵產(chǎn)品，提供更高的成
2023-09-28 09:28:32442 在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231076 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:441173 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45722 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03816 
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-12-09 14:45:35955 
、射頻和光電子等領(lǐng)域，能夠提供高效、高性能的功率轉(zhuǎn)換和信號(hào)放大功能。 GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片具有以下特點(diǎn)： 高功率密度：與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和電導(dǎo)率。這使得GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:231857 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:412944 珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:091235 
成為市場(chǎng)上的新勢(shì)力。通常，氮化鎵充電器具有高效率、高功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強(qiáng)、體積小、重量輕、充滿(mǎn)電時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，很多高端電子產(chǎn)品配置了氮化鎵快充。本期，合科泰從氮化鎵快充產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，給大家講解分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用。
2024-09-12 11:21:26390 
先進(jìn)的無(wú)線(xiàn)功率解決方案，為各行各業(yè)開(kāi)辟解決功率難題的新途徑。 英飛凌CoolGaN? GS61008P 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化鎵（GaN）技術(shù)與AWL-E創(chuàng)新的兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸系統(tǒng)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的無(wú)線(xiàn)功率效率。 英飛凌的GaN晶體管技術(shù)具有極高的效率和功率密度，而且可在
2024-10-29 17:50:25173 
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