氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。

GaN是下一代半導體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，功率提升3倍，節(jié)能40%，充電速度提高3倍，而尺寸和重量減半。GaNFast功率芯片集成了GaN器件，驅(qū)動，保護和控制功能，擁有體積輕便、快速和高效的性能。截止目前，超過4000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片已發(fā)貨，和GaN相關(guān)的終端故障率為零。

采用GaNSense技術(shù)的NV613x和NV615x系列智能GaNFast氮化鎵功率芯片的連續(xù)運行額定電壓已從650V升級到700V，瞬態(tài)條件下的額定電壓為800V，更高的額定電壓可實現(xiàn)更高效的電力變壓器電路設計，并為世界上一些電壓不穩(wěn)定、變化區(qū)間大且具有極端電壓尖峰的電網(wǎng)的地區(qū)提供更高的功能，自主系統(tǒng)級監(jiān)控和反應確保在 30 ns 內(nèi)實現(xiàn)“檢測和保護”——比離散架構(gòu)快 10 倍。

納微半導體首席運營官，首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Dan Kinzer 表示：“GaNFast氮化鎵功率芯片已在移動快充市場上提供了最高的可靠性和最高的性能，納微半導體的工程、質(zhì)量和應用團隊將繼續(xù)提供領(lǐng)先的下一代技術(shù)，采用經(jīng)過驗證的數(shù)據(jù)驅(qū)動方法，使客戶能夠在電源轉(zhuǎn)換和快充充電器設計方面進行積極創(chuàng)新，并擴大其應用到全球更多行業(yè)和領(lǐng)域。

在簽署保密協(xié)議后，客戶和設計合作伙伴可以立即獲得更新的數(shù)據(jù)表和可靠性報告。