金鑒實驗室文章

• 氬離子拋光技術解析及其核心應用功能2024-12-30 15:29

  

  氬離子拋光技術是一種精密的表面處理工藝，它通過氬離子束的物理作用，對樣品表面進行細致的平滑和拋光。這種技術在提升樣品表面質量方面發揮著關鍵作用，特別是在需要使用掃描電子顯微鏡（SEM）等高分辨率顯微鏡進行微觀結構分析時。通過精確調節離子束的深度、強度和角度，該技術能夠去除樣品表面的損傷層，展現材料的內在結構，為科研人員提供了一種強大的實驗工具。操作機制氬離子

  SEM 電子顯微鏡 表面處理 250瀏覽量

• 一文讀懂雙85測試時間以及等效實際壽命2024-12-30 15:28

  

  雙85測試在與世界標準接軌的今天，幾乎所有工業產品都需要經歷可靠性模擬環境試驗，以驗證產品在各種條件下的正常運行。在這些試驗中，恒溫恒濕試驗（如高低溫試驗、高低溫濕熱試驗）和冷熱沖擊試驗扮演著至關重要的角色。特別是在恒溫恒濕試驗中，以85℃溫度和85%濕度的條件（俗稱雙85試驗）是應用最廣泛的試驗條件之一。恒溫恒濕試驗箱為什么是85℃，不是95℃，不是60℃

  led 沖擊試驗 測試 575瀏覽量

• 高速光耦與普通光耦的不同點以及特性2024-12-30 15:26

  

  光耦合器在開關電源中的重要性光耦合器，作為一種電子元件，其在開關電源設計中扮演著至關重要的角色，主要負責實現電路間的電氣隔離，以確保電路的穩定性和安全性。光耦合器的分類1.非線性光耦非線性光耦，例如4N系列，其電流傳輸特性曲線呈現出明顯的非線性，這使得它們在傳輸開關信號時表現出色，但在模擬信號傳輸方面則不太適用。2.線性光耦相對地，線性光耦，如PC817A系

  光耦 光耦合器 開關電源 高速光耦 265瀏覽量

• VSCEL激光器在汽車領域的應用及其AEC-Q102認證的重要性2024-12-27 14:04

  

  VSCEL技術簡述垂直腔面發射激光器（VSCEL），這類型的半導體激光器件因其垂直出射激光的特性和高效率而被廣泛認可。VSCEL的操作涉及電流的注入，這導致電子和空穴在激光器的激活區域重合，從而產生光子。在激光器內部，這些光子經過多次反射和放大，最終通過DBR（分布式布拉格反射鏡）發射出高度相干的激光束。VSCEL的核心優勢VSCEL憑借其高效率、體積小巧、

  AEC 激光器 認證 190瀏覽量

• 可靠性測試：HAST與PCT的區別2024-12-27 14:00

  

  HAST測試的核心宗旨HAST測試的核心宗旨宗旨：HAST測試的主要宗旨是通過模擬極端環境條件，加速半導體元器件的失效過程，以此來驗證元器件在高溫、高濕、高壓條件下的可靠性。這種測試方法能夠有效縮短測試周期，快速揭示產品潛在的缺陷，例如材料分層、開裂、短路等問題。失效原因：HAST測試中的失效原因主要包括濕氣滲透導致的材料分解、結合力減弱、腐蝕等現象。具體表

  PCT 可靠性測試 397瀏覽量

• RoHS指令實施狀況對比2024-12-27 13:24

  

  在全球范圍內，隨著數字化和電子設備的迅速普及，RoHS（限制使用某些有害物質）倡議已成為確保電子電氣產品環保合規性的重要標準。這一倡議不僅在歐盟得到實施，而且在全球多個國家和地區得到了響應和采納。美國加州RoHS合規性美國加州RoHS法案（SB20/SB50）自2007年1月1日起生效，其限制物質范圍較歐盟RoHS窄，主要限制鉛、汞、鎘和六價鉻。值得注意的是

  RoHS 電子設備 224瀏覽量

• 電子背散射衍射：科學原理與技術進展2024-12-27 13:23

  

  樣品制備的關鍵要素電子背散射衍射技術（EBSD）是一種用于分析材料微觀結構的強大工具，而樣品的制備質量直接影響分析結果的準確性。以下是制備樣品時需滿足的關鍵要素：表面完整性：樣品表面應保持平整，避免在制備過程中造成損傷。晶界保護：在制備過程中，應盡量減少對晶粒間晶界的破壞。應力層控制：樣品表面應無應力層，以確保衍射數據的準確性。樣品制備的工藝流程1.機械拋光

  數據采集 機械 材料 267瀏覽量

• IGBT驅動光耦：功率轉換的控制樞紐2024-12-26 14:50

  

  IGBT在電力電子中的關鍵作用在當今的電力電子技術中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動汽車、可再生能源系統等高功率應用中發揮著關鍵作用。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力，使其在功率控制領域脫穎而出。IGBT驅動光耦是一種基于光信號實現輸入與輸出電氣隔離的半導體器件。

  IGBT 光耦 功率轉換 晶體管 348瀏覽量

• FIB技術在芯片失效分析中的應用2024-12-26 14:49

  

  半導體行業的技術革新與挑戰在半導體行業，技術的快速進步帶來了集成電路尺寸的縮小和功能的增強。但同時，這也帶來了新的挑戰，尤其是在故障定位和分析領域。為了應對這些挑戰，科研人員開發了一系列尖端分析技術，其中聚焦離子束（FIB）技術在故障分析中扮演了關鍵角色。FIB技術的工作原理與優勢聚焦離子束技術采用液態金屬鎵作為離子源，通過施加負電壓場將鎵離子束引出，實現對

  fib 失效分析 芯片 516瀏覽量

• 跌落測試指南：設定條件與遵循標準2024-12-26 14:47

  

  跌落測試概述跌落測試是模擬產品在意外跌落事件中的表現，以此來評估產品在受到沖擊時的性能和穩定性。這種測試對于指導產品的設計、生產過程和質量控制具有決定性的作用。通過重現產品在實際應用中可能遇到的各種機械應力，跌落測試能夠檢驗產品對外部環境變化的適應性。對于制造商而言，這項測試是評估產品耐用性和在多變環境下保持安全、可靠性能的關鍵工具。通過發現并改進產品設計中

  測試 跌落試驗 417瀏覽量