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利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導體結2024-04-23 10:49

盡管傳統高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結MOSFET(例如意法半導體的MDmesh技術)通過晶圓上又深又窄的溝槽來應對這些挑戰。01該技術非常適合開關模式電源，采用超級結多漏極結構來降低漏源壓降。高漏電或軟擊穿電壓等問題可能是由塊狀形成中的污染物或缺陷引??起的。因此，

GaN SiC 功率半導體 779瀏覽量

臺灣晶圓代工與IC封裝測試2023年均為全球第一2024-04-22 13:52

臺灣作為全球半導體產業領航者，匯聚著眾多全球領先的半導體公司。根據駐新加坡臺北代表處發布最新一期《2023年臺灣與全球半導體供應鏈回顧》報告，在晶圓代工和集成電路(IC)封裝測試方面，2023年臺灣均位居第一。報告稱，臺積電在全球半導體晶圓代工市場上保持優勢地位，其產值之市占率從2022年的55.4%，提升至2023年的58.9%，并在2023年第四季達到6

IC封裝晶圓 1106瀏覽量

氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發的優勢與挑戰2024-04-22 13:51

氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動了它在多樣化應用中的電源轉換使用，例如數據中心、可再生能源和電動汽車。在本文中，我們將探討創建GaN功率集成電路(ICs)的一些優勢和挑戰。01創造GaN功率IC的動機基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被

IC 氮化鎵氮化鎵電源集成電路 2874瀏覽量

汽車電子化潮流推動磁傳感器市場蓬勃發展2024-04-19 13:59

隨著現代汽車行業迅猛發展，汽車“三化”特征——智能化、電動化、網絡化日益顯著，車輛的電子功能不斷豐富，例如電動助力轉向、防抱死剎車系統(ABS)以及電子加速踏板等。這些進步背后，磁傳感器的需求量悄然增長。磁傳感器主要用于測量汽車的車速、輪速、曲軸位置、凸輪軸位置等重要參數，它們在ABS和電動車電機控制等關鍵系統中扮演著不可缺少的角色。全球磁傳感器市場目前正處

傳感器汽車電子測量磁傳感器 1088瀏覽量

封裝技術會成為摩爾定律的未來嗎?2024-04-19 13:55

你可聽說過摩爾定律?在半導體這一領域，摩爾定律幾乎成了預測未來的神話。這條定律，最早是由英特爾聯合創始人戈登·摩爾于1965年提出，簡單地說就是這樣的：集成電路上可容納的晶體管數量大約每兩年翻一番，性能也隨之增強。這不僅是一條觀察法則，更像是一道命令，催促著整個行業向著更小、更快、更便宜的方向發展。01但這些年來，摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經小得難

封裝技術晶體管芯片 572瀏覽量

阿斯麥(ASML)公司首臺高數值孔徑EUV光刻機實現突破性成果2024-04-18 11:50

在半導體領域，技術創新是推動整個行業向前發展的重要動力。近日，荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺采用0.55數值孔徑(NA)投影光學系統的高數值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機，并已經成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標志著ASML公司技術創新的新高度，也為全球半導體制造行業的發展帶來了新的契機。目前，全球僅有兩臺高數值孔徑EUV

EUV 光刻機半導體 1260瀏覽量

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法2024-04-18 11:49

氮化鎵具有許多內在材料優勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢，因為其無反向恢復損失且電容相對較小。隨著這項技術在更廣泛的應用范圍內推廣，詳細理解提高產量和可靠性的根本原因至關重要。本文中，我們總結了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷，以及用于檢測這些缺陷的表征技術。01氮化鎵晶體結構

GaN HEMT 氮化鎵 2138瀏覽量