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要長(zhǎng)高

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電子行業(yè)資訊

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2納米即將進(jìn)入下世代的埃米(angstorm)時(shí)代布局

英特爾今年初宣布已率先向 ASML 購(gòu)買(mǎi)業(yè)界首臺(tái) High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備 EXE:52....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 15:15 ?2683次閱讀

淺談高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的好處

 在更高的孔徑下,光子以更淺的角度撞擊掩模,相對(duì)于圖案尺寸投射更長(zhǎng)的陰影。“黑暗”、完全被遮擋的區(qū)域....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 15:09 ?2974次閱讀
淺談高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的好處

TiFlash整體模塊分層及DeltaTree 引擎優(yōu)化方案

在 TiFlash 內(nèi)做 Rough Set Filter,跟一般的 AP 數(shù)據(jù)庫(kù)不同點(diǎn),主要在還需....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 14:49 ?4419次閱讀
TiFlash整體模塊分層及DeltaTree 引擎優(yōu)化方案

基于STM32的內(nèi)部Flash讀寫(xiě)操作

在執(zhí)行閃存寫(xiě)操作時(shí),任何對(duì)閃存的讀操作都會(huì)鎖住總線,在寫(xiě)操作完成后讀操作才能正確地進(jìn)行;既在進(jìn)行寫(xiě)或....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 14:28 ?5843次閱讀
基于STM32的內(nèi)部Flash讀寫(xiě)操作

石墨烯太陽(yáng)能電池能否實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

石墨烯的調(diào)整和定制能力,連同它的各種其他特性,使一系列太陽(yáng)能電池能夠在學(xué)術(shù)和工業(yè)層面上被創(chuàng)造出來(lái),以....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 11:58 ?3009次閱讀

淺談?dòng)?jì)算機(jī)視覺(jué)的下一個(gè)方向

神經(jīng)形態(tài)技術(shù)是受生物系統(tǒng)啟發(fā)的技術(shù),包括終極計(jì)算機(jī)、大腦及其計(jì)算元素神經(jīng)元。問(wèn)題是沒(méi)有人完全理解神經(jīng)....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 11:53 ?1435次閱讀

半導(dǎo)體硅晶圓長(zhǎng)約價(jià)呈現(xiàn)持續(xù)上漲的趨勢(shì)

對(duì)于近期三星停止新采購(gòu)訂單是否涉及到硅晶圓,她指出,三星小尺寸需求確實(shí)沒(méi)有之前那么強(qiáng),但8英寸、12....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 11:47 ?1973次閱讀

國(guó)內(nèi)液晶面板廠平均稼動(dòng)率6月將再創(chuàng)新低

根據(jù)調(diào)研數(shù)據(jù),CINNO Research預(yù)估6月國(guó)內(nèi)TFT-LCD面板產(chǎn)線稼動(dòng)率將進(jìn)一步環(huán)比下滑約....
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國(guó)內(nèi)液晶面板廠平均稼動(dòng)率6月將再創(chuàng)新低

美光和鎧俠對(duì)3D NAND FLASH的布局介紹

垂直堆疊、XY方向縮放、CMOS電路每比特減少這三種方法對(duì)于未來(lái)3D NAND的高密度化具有重要意義....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-22 11:32 ?3995次閱讀
美光和鎧俠對(duì)3D NAND FLASH的布局介紹

關(guān)于UART的幀格式含義

UART是異步傳輸,以1個(gè)字符為傳輸單位,傳輸2個(gè)字符之間的時(shí)間間隔,比如傳輸0X33后再傳輸0X3....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 16:02 ?4349次閱讀
關(guān)于UART的幀格式含義

什么是UART,UART協(xié)議的三條信號(hào)線

數(shù)據(jù)位:可以選擇的值有5,6,7,8這四個(gè)值,可以傳輸這么多個(gè)值為0或者1的bit位。這個(gè)參數(shù)最好為....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 15:49 ?18915次閱讀
什么是UART,UART協(xié)議的三條信號(hào)線

UART自動(dòng)波特率識(shí)別程序設(shè)計(jì)方案

關(guān)于識(shí)別,因?yàn)樯衔粰C(jī)數(shù)據(jù)是從 RXD 引腳過(guò)來(lái)的,所以在 MCU 里需要先將 RXD 引腳配置成普通....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 15:31 ?5252次閱讀
UART自動(dòng)波特率識(shí)別程序設(shè)計(jì)方案

第三季DRAM市場(chǎng)價(jià)格下跌3~8%

PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo),同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 15:18 ?2596次閱讀
第三季DRAM市場(chǎng)價(jià)格下跌3~8%

流片為什么這么貴?如何降低流片成本?

 掩膜版的質(zhì)量會(huì)直接影響光刻的質(zhì)量,掩膜版上的制造缺陷和誤差也會(huì)伴隨著光刻工藝被引入到芯片制造中。因....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 15:08 ?4891次閱讀
流片為什么這么貴?如何降低流片成本?

汽車(chē)芯片供應(yīng)反轉(zhuǎn)劇 汽車(chē)芯片還應(yīng)保持謹(jǐn)慎樂(lè)觀

而國(guó)內(nèi)汽車(chē)汽車(chē)的芯片采購(gòu),還處在四處漏洞的階段,我覺(jué)得這個(gè)事啊,主要是汽車(chē)芯片的原有分類(lèi)的原因,從M....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 15:03 ?3049次閱讀
汽車(chē)芯片供應(yīng)反轉(zhuǎn)劇  汽車(chē)芯片還應(yīng)保持謹(jǐn)慎樂(lè)觀

蘋(píng)果憑借M1系列占據(jù)ARM架構(gòu)處理器市場(chǎng)的90%收入

蘋(píng)果的 M 系列芯片采用的 ARM 架構(gòu)。而據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu) Strategy Analytics 的....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 14:53 ?3142次閱讀
蘋(píng)果憑借M1系列占據(jù)ARM架構(gòu)處理器市場(chǎng)的90%收入

光刻支出對(duì)芯片行業(yè)的影響

在比較我們的單片設(shè)計(jì)與小芯片 MCM 設(shè)計(jì)時(shí),我們的光刻工具時(shí)間顯著增加,因?yàn)榫A必須掃描 1.87....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 14:43 ?1791次閱讀
光刻支出對(duì)芯片行業(yè)的影響

電子戰(zhàn)系統(tǒng)中的數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(DRFM)應(yīng)用

由于DRFM微電子組件被分配給垂直堆疊的單個(gè)印刷電路板,因此模塊化的概念變得非常重要,如果使用組件,....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 14:22 ?5345次閱讀
電子戰(zhàn)系統(tǒng)中的數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(DRFM)應(yīng)用

射頻PA常見(jiàn)指標(biāo)和測(cè)試方法

 在測(cè)試EVM時(shí)我們也需要準(zhǔn)備好調(diào)制信號(hào),將調(diào)制信號(hào)加到被測(cè)芯片之后,使用頻譜分析儀選擇正確的調(diào)制方....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 11:52 ?9269次閱讀
射頻PA常見(jiàn)指標(biāo)和測(cè)試方法

射頻環(huán)行器的工作原理及射頻環(huán)行器應(yīng)用

傳輸?shù)墓β蕪亩丝?1 傳遞到端口 2 并傳輸?shù)教炀€。任何反射功率將沿饋線返回并從端口 2 傳遞到端口....
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射頻環(huán)行器的工作原理及射頻環(huán)行器應(yīng)用

微波信號(hào)發(fā)生器的三個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用

測(cè)試?yán)走_(dá)系統(tǒng)時(shí),快速且嚴(yán)格控制的RF脈沖是至關(guān)重要的。R&S SMA100B脈沖調(diào)制器的上升/下降時(shí)....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 11:21 ?4432次閱讀
微波信號(hào)發(fā)生器的三個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用

2225任意函數(shù)信號(hào)發(fā)生器使用方法

按照其產(chǎn)生信號(hào)的波形不同,分為:正弦信號(hào)發(fā)生器、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器、掃頻信號(hào)發(fā)生器等等。其中函數(shù)信號(hào)發(fā)生....
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2225任意函數(shù)信號(hào)發(fā)生器使用方法

基于FPGA的信號(hào)發(fā)生器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

本設(shè)計(jì)相位累加器設(shè)定為32位,正弦表數(shù)據(jù)為8位,因此在ROM查找表里的容量為232×8=34,359....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 10:54 ?6996次閱讀
基于FPGA的信號(hào)發(fā)生器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

以數(shù)字LLC電源為例 淺談電源的環(huán)路特性測(cè)量

直流大信號(hào)主要為L(zhǎng)LC提供穩(wěn)定的工作點(diǎn)。即交流擾動(dòng)小信號(hào)為0時(shí),DSP采集只采集到直流大信號(hào)的電壓值....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-21 10:46 ?8820次閱讀
以數(shù)字LLC電源為例 淺談電源的環(huán)路特性測(cè)量

多波形信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)原理分析

基于CPLD的多波形信號(hào)發(fā)生器實(shí)現(xiàn)了各種波形的產(chǎn)生,尤其是實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)的函數(shù)信號(hào)發(fā)生器不具有的一些波形....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-20 17:35 ?8266次閱讀
多波形信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)原理分析

如何用信號(hào)發(fā)生器對(duì)收音機(jī)進(jìn)行統(tǒng)調(diào)

將信號(hào)發(fā)生器度盤(pán)在600千周位置,收音機(jī)也調(diào)在600千周位置,此時(shí)已有音頻聲,再拉開(kāi)信號(hào)發(fā)生器與收音....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-20 17:29 ?15732次閱讀
如何用信號(hào)發(fā)生器對(duì)收音機(jī)進(jìn)行統(tǒng)調(diào)

DDS直接數(shù)字式頻率合成器的正弦波和余弦波

模塊將一個(gè)正弦波采樣1024個(gè)點(diǎn),然后保存到內(nèi)部一個(gè)8比特、1024深度的ROM當(dāng)中,通過(guò)改變時(shí)序和....
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DDS直接數(shù)字式頻率合成器的正弦波和余弦波

一文解析測(cè)試測(cè)量的微波信號(hào)源技術(shù)

DDS有著巨大的未來(lái)增長(zhǎng)潛力。DDS可用帶寬的擴(kuò)展及其雜散含量的降低是業(yè)界需要的關(guān)鍵改進(jìn)。DDS還廣....
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一文解析測(cè)試測(cè)量的微波信號(hào)源技術(shù)

淺談函數(shù)發(fā)生器輸出阻抗與輸出振幅的關(guān)系

通過(guò)公式計(jì)算得知,輸出阻抗設(shè)置為High-Z時(shí),函數(shù)發(fā)生器實(shí)際輸出電動(dòng)勢(shì)和屏幕顯示的Amplitud....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-20 16:58 ?7546次閱讀
淺談函數(shù)發(fā)生器輸出阻抗與輸出振幅的關(guān)系

MATLAB中的基本信號(hào)發(fā)生器技術(shù)解析

在信號(hào)處理中,標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布隨機(jī)序列是重要序列。該序列可以由randn函數(shù)生成,randn函數(shù)的調(diào)用格....
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MATLAB中的基本信號(hào)發(fā)生器技術(shù)解析
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