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弘模半導體

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關于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹

如果您是設計公司,通過參加這個活動,就能了解到為什么自己的產品和其他公司沒有在一個起跑線上。如果您是....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:59 ?2320次閱讀
關于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹

關于MOS-AK Peking器件模型國際會議分析和介紹

所有投稿由技術專家委員會審核,5月28日是Abstract 提交截止日,內容不需要多,1-2頁即可,....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:54 ?1773次閱讀
關于MOS-AK Peking器件模型國際會議分析和介紹

關于中興通訊被制裁事件的分析介紹

模型從業者的商業模式決定了規模不可能大,而且是以研發為主,所以沒有國家支持是很難生存下去的。美國的C....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:49 ?10772次閱讀

關于歐盟項目TARANTO的分析和介紹

半導體產業鏈很長,每個產品牽涉很多知識,所以XMOD也一直通過在參與歐盟項目的同時,把那些愿意把技術....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:43 ?3387次閱讀

關于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護)需求分析和應用

ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝,應用也非常廣泛,除了上面的人工智能,硅光電,....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:34 ?2565次閱讀

關于先進節點和特殊應用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹

在和英國IP 供應商Moortec,和Icsense三方的合作中,Sofics 成功得在28nm, ....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:29 ?4026次閱讀
關于先進節點和特殊應用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹

回顧關于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發展介紹

半導體所的文章,首先回顧第一性原理(密度泛函理論)來計算納米電子,通過對二維(2D)材料為基礎的亞1....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:23 ?2481次閱讀
回顧關于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發展介紹

關于MOS-AK北京器件模型邀請報告提要和分析

對于III-V族器件, 模型的問題一直困擾者很多電路設計者,由于模型準確度的局限性,很多時候,需要靠....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:17 ?2037次閱讀
關于MOS-AK北京器件模型邀請報告提要和分析

回顧關于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發展

FinFET和FDSOI是先進的工藝技術節點采用的新的器件創新來繼續保持摩爾定律。在這些器件結構中,....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 10:07 ?3622次閱讀
回顧關于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發展

回顧MOS-AK 北京器件模型國際會議的主要內容和主題

當然,MOS-AK會議前期的培訓部分也非常精彩,6月14日,Dr. Franz Sischka 的R....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 09:59 ?3730次閱讀

關于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應用

對于電容參數的描述,ASM GaN 是應用場效應板來解決的。當然,模型開發出來后,需要和真正的器件進....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 09:44 ?6754次閱讀
關于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應用

關于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應用介紹

總的來說,這款LNA的芯片在NF方面的表現是非常不錯,對于其應用還是非常廣泛的, 比如風力發電中玻璃....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 09:36 ?5036次閱讀
關于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應用介紹

關于GaN微波器件大信號模型及其應用和發展分析

然而上述兩種模型為了達到大信號特性高精度,仍舊需要引入較多的擬合參數,加大了模型參數提取的難度和模型....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 09:28 ?6880次閱讀
關于GaN微波器件大信號模型及其應用和發展分析

關于300GHz雷達芯片套裝的性能分析和介紹

此芯片基于SiGe HBT BiCMOS工藝,包括了MIXER,VCO,Frequency doub....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 09:20 ?4622次閱讀
關于300GHz雷達芯片套裝的性能分析和介紹

對于24GHz雷達傳感器的性能分析和介紹

團隊目前已經開發出不同頻率,寬帶的傳感器,從基帶10Ghz, 24GHz, 122GHz, 到200....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-08 09:08 ?7483次閱讀
對于24GHz雷達傳感器的性能分析和介紹

關于SiGe HBT 技術和應用的未來分析和介紹

在雷達應用這塊, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷達,主用于ADAS。同時94GHz雷達....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-06 17:38 ?18024次閱讀
關于SiGe HBT 技術和應用的未來分析和介紹

關于鍺硅工藝的建模,設計和應用分析和介紹

下午,主要由來自Silicon Radar的設計主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-06 17:26 ?4652次閱讀

關于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析

無論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要,設計公司將始終受益于更短的開發時間,....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-06 17:17 ?2161次閱讀
關于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析

關于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應用

122 GHz收發雷達前端(RFE)主要應用領域是在短程/高分辨雷達系統,范圍高達約7米。通過使用附....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-06 17:09 ?5527次閱讀
關于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應用

關于歐盟項目Kamerad的分析和介紹

作為歐盟項目自動駕駛相關項目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-06 17:04 ?2145次閱讀

回顧MOS-AK成都器件模型國際會議的內容介紹

成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節點方面....
的頭像 弘模半導體 發表于 09-06 16:51 ?4089次閱讀
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