逆變器在光伏系統中具有關鍵作用。
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芯長征科技 發表于 01-11 09:48
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摘要：通過調節中頻感應線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2....
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芯長征科技 發表于 01-11 09:42
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“功率器件”是指逆變器、轉換器等電力轉換設備以及安裝在其中的半導體元件。按功能劃分，有功率晶體管（M....
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芯長征科技 發表于 01-10 09:38
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實現雙電源自動切換電路，其中利用了三個MOS管進行的電路設計。
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芯長征科技 發表于 01-10 09:36
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SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱，是一種用途廣泛....
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芯長征科技 發表于 01-09 09:41
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為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設計了串聯、并聯與串并聯三種冷板流道結構， 從器件溫升、....
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芯長征科技 發表于 01-04 09:45
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逆變器的分類方法很多，按照源流性質可分為有源逆變器和無源逆變器，根據逆變器輸入交流電壓相數可分為單相....
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芯長征科技 發表于 01-04 09:44
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摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體....
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芯長征科技 發表于 01-04 09:41
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IMEC 項目經理 Pawel Malinowski 與 Semiconductor Enginee....
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芯長征科技 發表于 01-03 09:44
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如今全球的汽車已經進入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統汽車需要的芯片數量是在五....
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芯長征科技 發表于 01-03 09:43
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為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結合BP（Back Propaga‐t....
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芯長征科技 發表于 01-03 09:41
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2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....
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芯長征科技 發表于 12-29 09:51
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在電子工程領域，功率器件和集成電路是兩個重要的分支，它們各自在特定的應用場景中發揮著重要的作用。關于....
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芯長征科技 發表于 12-29 09:36
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功率半導體通過對電流與電壓進行調控實現電能在系統中的形式轉換與傳輸分配，能夠實現電能轉換和電路控制，....
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芯長征科技 發表于 12-27 09:47
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碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導率高、高壓、高溫、高頻等優點。應用于硅基器件的....
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芯長征科技 發表于 12-27 09:41
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眾所周知，IGBT失效是IGBT應用中的難題。大功率IGBT作為系統中主電路部分的開關器件，失效后將....
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芯長征科技 發表于 12-27 09:39
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IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步，并可能....
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芯長征科技 發表于 12-26 10:12
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統的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優缺點。一般來說，高溫擴散工....
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芯長征科技 發表于 12-22 09:41
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本文匯集了 SiC MOSFET 最新結果的特定方面，涉及由于應用交流柵極偏置應力（也稱為柵極開關應....
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芯長征科技 發表于 12-22 09:37
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到目前為止，第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識是，第三方芯粒市場將在某個時候蓬勃發展....
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芯長征科技 發表于 12-20 16:23
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碳化硅（SiC）材料被認為已經徹底改變了電力電子行業。其寬帶隙、高溫穩定性和高導熱性等特性將為SiC....
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芯長征科技 發表于 12-20 13:46
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英特爾是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次，英....
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芯長征科技 發表于 12-19 11:15
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更高的擊穿場允許器件在給定區域承受更高的電壓。這使得器件設計人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....
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芯長征科技 發表于 12-19 09:41
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MOSFET的并聯使用
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芯長征科技 發表于 12-19 09:40
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IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極....
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芯長征科技 發表于 12-18 09:40
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與傳統半導體材料硅、鍺相比，第三代半導體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....
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芯長征科技 發表于 12-18 09:37
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碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜....
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芯長征科技 發表于 12-15 09:45
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SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應用于電力電子轉換半導體 (PECS) 應用，例如....
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芯長征科技 發表于 12-15 09:42
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IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名稱：集成....
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芯長征科技 發表于 12-14 09:48
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摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模....
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芯長征科技 發表于 12-14 09:37
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