氮化鎵半導體的興起！
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩定的寬帶隙半導體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快....
第三代化合物半導體材料有利于5G基站的應用
與第一代硅（Si）半導體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（Ga....
SiC功率器件的主要特點
基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導....
AFE拓撲的應用優勢
針對任何應用領域的工程師都加入了他們對效率、功率密度和成本的擔憂。而且，即使他們還沒有用它進行設計....
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