國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
近10億元！國內(nèi)將增2個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目
據(jù)“行家說三代半”此前報(bào)道，6月26日，志橙半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板IPO申請(qǐng)獲受理，該公司將公開發(fā)行新股數(shù)量不....
SiC二極管價(jià)格很卷？這家公司找到對(duì)策
最近，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，通用電氣研究所（GE Research）發(fā)布文獻(xiàn)稱，他們已經(jīng)制造出擊穿電....
16家SiC企業(yè)公布成績單，上半年誰更賺錢？
報(bào)告期內(nèi)，天岳先進(jìn)高品質(zhì)SiC襯底獲得國際客戶的認(rèn)可。今年5月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，8月....
國產(chǎn)SiC MOS又添新軍，性能媲美國際大廠
據(jù)介紹，他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā)，主要有4款新產(chǎn)品（K3M040120-R、K3....
追加400億！英飛凌又要擴(kuò)產(chǎn)了！
據(jù)“行家說三代半”此前報(bào)道，2022年2月，英飛凌宣布將投資超過20億歐元（合計(jì)約144億人民幣）擴(kuò)....
8吋SiC外延設(shè)備首次亮相 已經(jīng)完成首輪工藝驗(yàn)證
在SEMICON China 2023上海展上，中國電科集團(tuán)攜集成電路、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示、光....
羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器
通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題：驅(qū)動(dòng)電壓低，容易誤啟動(dòng)；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專....
儲(chǔ)能采用GaN即將量產(chǎn)
6月16日，蜂巢能源稱，他們首次發(fā)布了戶儲(chǔ)領(lǐng)域的核心創(chuàng)新產(chǎn)品——超薄戶儲(chǔ)逆變器。值得一提的是，該產(chǎn)品....
破解SiC MOS難題，新技術(shù)減少50%碳?xì)埩?/a>
近日，韓國企業(yè)EQ TechPlus宣布，他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備，用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功....
重磅！國產(chǎn)SiC襯底激光剝離實(shí)現(xiàn)新突破
以砂漿線切割為例，多達(dá)40%的碳化硅晶錠以粉塵的形式浪費(fèi)掉，而且切割線的高速行走過程還會(huì)造成20~5....
液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果
該團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一個(gè)生長3C-SiC的液相TSSG長晶設(shè)備，其生長過程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域....
8吋！SiC行業(yè)又增5個(gè)“玩家”
根據(jù)《2022碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，目前全球已有超14家企業(yè)在8吋碳化硅襯底方面實(shí)現(xiàn)突破....
首款氮化鎵光伏逆變器，額定輸出功率高達(dá)2800W
資料顯示，BENY BYM2800微型逆變器額定輸出功率為2800W，峰值效率為97.5%（歐洲效率....
遼寧將建第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目
新瑞半導(dǎo)體成立于2022年8月，是中民實(shí)業(yè)和嘉實(shí)晶體（也成立于2022年8月）的合資公司，中民實(shí)業(yè)成....
中電化合物總投資10.5億元建設(shè)的寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目
根據(jù)公告，中電化合物將分二期建設(shè)該項(xiàng)目：一期計(jì)劃投資2.2億元，租用杭州灣數(shù)字產(chǎn)業(yè)園1萬平方米廠房，....
現(xiàn)代SiC逆變器：無需OBC實(shí)現(xiàn)高速雙向充電
此外，取消OBC后，通過控制內(nèi)置雙向充電器的集成充電控制單元 (ICCU) 和車輛充電管理系統(tǒng)，現(xiàn)代....
SmartSiC的制作步驟及技術(shù)細(xì)節(jié)
前段時(shí)間，Soitec宣布8英寸SiC量產(chǎn)，而且還投資23億建線（。點(diǎn)這里。），更為關(guān)鍵的是他們號(hào)稱....
新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)
而此次他們通過實(shí)驗(yàn)證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用....
工商網(wǎng)監(jiān)