電路原理:
至今單片及混合功率IC幾乎都不能獲得滿意的高頻特性。如圖3-31所示電路是三洋厚膜IC STK084G的應用圖,在20KHZ以內,輸出功率50W,失真率僅為0.003%。
電路主要部分已IC化,故外加零件以大電容量電容器為主。如圖3-32所示為STK084G內部電路。輸入級由VT4及VT5組成的電流鏡像電路,把PNP差動放大輸出變換為單端輸出,同時得到較大的增益,中間級處理大的振幅,也決定放大器轉換速率,所以應盡量以大電流驅動,VT8組成的共基極電路消除米勒效應所導致的高頻特性惡化。
VT1與VT6為恒流源偏置電路,可以抵制電源變動造成的影響。VT7則為輸出三極管提供偏置,消除基極與發射極之間電壓V非線性過渡區,還有溫度補償的作用。
元器件選擇:
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