### 產品簡介
**BSC047N08NS3 G-VB** 是一款高電壓、高電流單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造。其封裝為DFN8 (5x6)，設計用于高功率和高電壓應用。該MOSFET具有80V的漏源電壓（VDS）和最大20V的柵源電壓（VGS），在各種苛刻環境中提供可靠的開關性能和較低的導通電阻，適合用于高效能電源管理和電動驅動系統。
### 參數說明
- **型號**: BSC047N08NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 80V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流（ID）**: 60A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
**BSC047N08NS3 G-VB** 適用于以下領域和模塊：
1. **高壓電源管理**: 在80V電源轉換器和DC-DC轉換器中使用，有助于優化功率損耗，提升整體系統的能效和可靠性。
2. **電動驅動系統**: 適用于電動汽車、工業電動機驅動等應用，能夠處理高電流和高電壓負載，確保系統穩定運行。
3. **開關電路**: 在高功率開關電路中，如逆變器和電源開關模塊，提供穩定的開關性能和低導通電阻，提升系統效率。
4. **工業自動化**: 用于高電壓工業設備中，支持高電流應用，提高系統的可靠性和耐用性。
該MOSFET的高電壓和大電流特性，使其在多個高負載、高功率的應用場景中表現卓越。
