恒溫晶振電路圖（四）

恒溫晶振電路圖（五）

極管TV2進(jìn)行信號(hào)放大，經(jīng)電容C8耦合輸出。其中，電阻RI、R2和電阻R5、R6、R7是三極管VT1和VT2的直流偏置元件。L2是高頻扼流線圈，給振蕩管VT1的集電極電流提供一個(gè)直流通路。C2為隔直電容。C3、C7是交流旁路電容，使VT1的發(fā)射極處于交流零電位，但直流電位不為零。電感L1，電容C6，電阻R3為改善電源濾波電路，其作用是減少紋波電壓以振高直流分量。略調(diào)電容C4、C8，可以改變耦合信號(hào)的大小。

1.元器件選擇

電容C1為20p，C2為100p，C3、C7為820p，C4為56p，C5、C8為47p，C6為47u/50V。電感L1為22uH（色碼電感），L2為0.3uH。電阻R1為1.6kΩ，R2為1kΩ，R3為750Ω，R4為180Ω、1W，R5為1.3kΩ，R6為3kΩ，R7為360Ω，R8為470Ω，R9—R12為300Ω、2W。三極管VT1、VT2選3DG82B，65≤β≤115。晶體SJT用JA9B型－70MHz。繼電器KM為JUC-1M。

2.使用時(shí)應(yīng)注意

（1）在應(yīng)用石英晶體時(shí)，有一個(gè)必須注意的實(shí)際問(wèn)題，這就是晶體本身的

激勵(lì)功率。激勵(lì)功率較大時(shí)，輸出功率也大，這時(shí)，晶體三極管引入的噪聲影響不大。但是，晶體激勵(lì)功率過(guò)大會(huì)使晶體長(zhǎng)期穩(wěn)定性（老化特性）變壞。晶體激勵(lì)功率小時(shí)，長(zhǎng)期穩(wěn)定性較好，但是使用低噪聲晶體三極管較佳。

（2）由于晶體頻率受溫度影響很大，為保證對(duì)晶體頻率穩(wěn)定度的要求，必

須注意晶體恒溫。即將晶體放在恒溫槽內(nèi)，由恒溫控制電路來(lái)保證恒溫槽內(nèi)的溫度使其維持在晶體的拐點(diǎn)溫度。因此，為使振蕩頻率和震蕩幅度穩(wěn)定，將晶體SJT和VT1、VT2放入恒溫箱內(nèi)。恒溫箱是用R9－R12四只2W金屬膜電阻加熱，一只小型密封溫度繼電器KM作溫度控制元件。箱內(nèi)溫度在+55℃（所用晶體的拐點(diǎn)溫度一般在+60±5℃）。為減小恒溫箱的體積，其電路中的元器件盡可能選其體積越小越好。如箱內(nèi)溫度高于+55℃時(shí)，KM－1.2觸點(diǎn)斷開(kāi)；如≤+55℃時(shí)，KM－1.2觸點(diǎn)閉合，以保證箱內(nèi)溫度溫定在+55℃。