di/dt保護

　　上面的電路仍然有些值得改進的地方，當可控硅的控制端的流入電流只比觸發開啟電流高一點點時，晶閘管內部開始時只有一部分被開啟了，需要一定的時間才能使晶閘管完全的開啟。這段時間大量的電流通過晶閘管內的部分區域，很容易損壞晶閘管。晶閘管芯片手冊上有一個指標叫做最大di/dt，只有晶閘管流過的電流的變化率小于這個指標規定的最大值時晶閘管才是安全的。通常，一個12A 的晶閘管的最大di/dt為100 A/μs。

　　負載的電源輸入端通常會有很大容量的電容，當Crowbar 電路工作時，這個大電容會向晶閘管灌入大量的電流。尤其是大容量的陶瓷電容會產生相當大的di/dt 脈沖。一種保護晶閘管免受大電流沖擊的辦法就是串接一個電感，利用電感來限制di/dt 。所需的電感量可以這樣計算：

　　U = L*di/dt

　　L = U/（di/dt）

　　在上面的電路中，開啟電壓大約為 6V，晶閘管的導通壓降大約為 1V，所以U = 6V - 1V = 5V。假設晶閘管可以承受的 di/dt 為100A/μs，則電感量需不小于 50 nH。除此之外還要保證電感可以承受足夠大的電流，至少要在保險絲燒斷之前不被燒壞。

　　基于TL431的crowbar 電路

　　TL431的芯片手冊上給出了一個參考電路如下。

　　當TL431的參考輸入端的電壓低于2.5V時，流過TL431的電流不超過400 μA，因此R3上的壓降很小。當電源電壓增大使得TL431的參考輸入端的電壓超過2.5V時，TL431 導通，R3上的壓降增加，直到晶閘管導通。

　　這個電路的工作電壓更準確。但是必須要用雙向晶閘管，普通的單向晶閘管不能工作。

　　改進的基于 TL431的Crowbar 電路

　　上面的電路還可以改進，進一步消除溫度對晶閘管的影響。

　　Crowbar 控制器

　　ON Semiconductor 有一款專用芯片MC3423，控制電壓更準確，同時還能確保晶閘管迅速導通。利用簡單的電阻分壓電路就可以設置開啟電壓在4.5 V 到 40 V 之間。

　　與前面的電路相比，這個電路的缺點是功耗稍大，開啟電壓比較高。