本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
達(dá) 99%滿載時(shí)的輸出電流 THD 小于 2%使用 AMC1301 進(jìn)行隔離式電流檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)載電流監(jiān)測(cè)用于驅(qū)動(dòng)高壓 SiC MOSFET 并具有增強(qiáng)型隔離功能的隔離式驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，以及用于驅(qū)動(dòng)中間 Si IGBT 的 UCC5320S
2018-10-29 10:23:06
的效率密切相關(guān)。 對(duì)于門(mén)驅(qū)動(dòng)器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅(qū)動(dòng)能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應(yīng)用 與MOSFET相比，IGBT開(kāi)關(guān)速度較慢
2022-06-28 10:26:31
技術(shù)取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無(wú)需再使用更為復(fù)雜的IGBT結(jié)構(gòu)。在電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通領(lǐng)域
2023-02-16 15:36:56
開(kāi)關(guān)電源，鎮(zhèn)流器,高頻感應(yīng)加熱,高頻逆變焊機(jī)，通信電源等等高頻電源領(lǐng)域。IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器,變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 。開(kāi)關(guān)電源 (Switch Mode Power
2018-08-27 20:50:45
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅(qū)動(dòng)，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。也就是說(shuō)，兩者的區(qū)別之一是驅(qū)動(dòng)電壓要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
的影響很小。體二極管的通電劣化一般認(rèn)為SiC-MOSFET存在稱為“體二極管的通電劣化”的故障模式。這是正向電流持續(xù)流過(guò)MOSFET的體二極管時(shí)，電子-空穴對(duì)的重新復(fù)合能量使稱為“堆垛層錯(cuò)”的缺陷擴(kuò)大
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
SiC MOSFET的價(jià)格調(diào)查。 結(jié)論 硅IGBT在20世紀(jì)80年代對(duì)電力電子領(lǐng)域產(chǎn)生了巨大的積極影響，從那時(shí)起它一直是該行業(yè)的主力。下一項(xiàng)革命性技術(shù)將是SiC MOSFET。今天的SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。為了滿足下一代MOSFET的嚴(yán)格要求，RECOM推出了各種轉(zhuǎn)換器，專(zhuān)門(mén)為SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電、儀表盤(pán)
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子推出了適用于空間受限、能源敏感的物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 端點(diǎn)應(yīng)用的新型微控制器 (MCU)，包括可穿戴設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、電器和工業(yè)自動(dòng)化。新的 RA2E2 MCU 組基于最新的 Arm
2021-11-11 08:18:16
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU作者：時(shí)間：2009-04-21來(lái)源：電子產(chǎn)品世界字號(hào)： 小 中 大關(guān)鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
瑞薩MCU的數(shù)據(jù)手冊(cè)，很實(shí)用的
2015-08-07 18:42:43
技術(shù)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)課題的“答案”期待“功能模塊”長(zhǎng)期以來(lái)，瑞薩對(duì)于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數(shù)字IC、光電耦合器、驅(qū)動(dòng)器IC等產(chǎn)品推出了低端到高端的各類(lèi)控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術(shù)電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅(qū)動(dòng)瑞薩車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī)方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī) (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數(shù)字照明
2015-01-30 18:27:24
MOSFET幾乎立即完全導(dǎo)通，而相比之下，IGBT顯示出明顯的斜率。這導(dǎo)致Eon能量損失大幅下降。在相同的實(shí)驗(yàn)室條件下操作快速開(kāi)關(guān)IGBT和東芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)洌瑥膯我蛔儔浩魃?b class="flag-6" style="color: red">用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
器。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專(zhuān)為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力
電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
項(xiàng)目名稱：電池充放電檢測(cè)設(shè)備試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：現(xiàn)有的充放電設(shè)備的功率密度較低，打算使用SiC來(lái)提供功率密度。 使用項(xiàng)目：電池充放電檢測(cè)設(shè)備計(jì)劃：了解并測(cè)試demo的驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)有產(chǎn)品的的驅(qū)動(dòng)是否適用于
2020-04-24 18:09:35
瑞薩電子RX LCD直接驅(qū)動(dòng)解決方案演示
2015-01-16 11:39:56
三相逆變器中IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有哪幾種？用于IGBT驅(qū)動(dòng)的集成電路芯片有哪些？其使用方法和優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
2021-04-20 06:35:24
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動(dòng)器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)基于SiC或IGBT的三相電機(jī)半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
3賽季）與文圖瑞車(chē)隊(duì)簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個(gè)賽季為其提供了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）。通過(guò)將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復(fù)二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車(chē)模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車(chē)電源
2018-10-25 08:53:48
。Eon也降低30％左右，因此共可降低77%的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)速度比IGBT更高全SiC模塊與IGBT模塊相比，可實(shí)現(xiàn)更高速度的開(kāi)關(guān)。下圖為以5kHz和30kHz驅(qū)動(dòng)PWM逆變器時(shí)的損耗仿真結(jié)果。從仿真
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
IGBT的開(kāi)關(guān)損耗有巨大的貢獻(xiàn)。SiC MOSFET不存在這種稱為尾電流的效應(yīng)，并且可以以更少的能量損失完成關(guān)斷。 結(jié)論 本文討論的參數(shù)和特性揭示了電力電子設(shè)計(jì)的某些方面。當(dāng)前和未來(lái)的電子設(shè)計(jì)，如電池
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁（電動(dòng)汽車(chē)充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
與Si系統(tǒng)相比，SiC-所需的開(kāi)關(guān)路徑要多得多。由于高開(kāi)關(guān)速度也會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生影響，因此所采用的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有較高的抗共模噪聲的能力。圖1：適用于功率電子半導(dǎo)體的Si和SIC的物理材料特性[3]在上
2019-10-25 10:01:08
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
系統(tǒng)介紹逆變器中IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù), 給出了IGBT 對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT
驅(qū)動(dòng)電路M 57962L 以及IGBT 的過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱保護(hù)等措施。這些措施實(shí)
2010-10-13 15:45:28
84 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44691 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開(kāi)發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436485 
PI的SIC1182K和汽車(chē)級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門(mén)極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
2020-08-13 15:31:282476 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
。SiC MOSFET 和 IGBT 的應(yīng)用具有相似的功 率水平，但隨著頻率的增加而產(chǎn)生差異，如圖 1 所示。SiC MOSFET 在功率因數(shù)校正電源、光伏逆變器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牽引逆變器、電
2022-03-18 12:07:166422 Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:484040 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
瑞薩電子推出用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器的新一代硅基 IGBT ? 全新功率器件將在瑞薩新落成的 300mm 甲府工廠生產(chǎn) ? 2022 年 8 月 30 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子
2022-08-31 13:44:211013 
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956 從2025年起將向全球電動(dòng)汽車(chē)供貨，助力延長(zhǎng)續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立
2022-12-28 09:20:02458 新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:02906 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:39991 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
2023-02-02 11:10:21898 RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
2023-02-07 09:41:31291 上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
在逆變器中驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT 介紹ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機(jī)IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專(zhuān)為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí)，ACPL-339J
2023-02-22 14:54:521 在對(duì)功率模塊選型的時(shí)候要根據(jù)功率模塊的參數(shù)匹配合適的驅(qū)動(dòng)器。這就要求在特定的條件下了解門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)性能和參數(shù)的計(jì)算方法。 本文將以實(shí)際產(chǎn)品中用到的參數(shù)進(jìn)行計(jì)算說(shuō)明，并且對(duì)比實(shí)際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3912 3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開(kāi)啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V～20V時(shí)才能完全開(kāi)通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)
2023-02-27 14:41:099 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來(lái)巨大好處，但對(duì)于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來(lái)說(shuō)，在更高電壓下的性能會(huì)受到影響。
2023-03-16 12:35:51585 在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 09:52:33462 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-25 14:35:02377 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。 金升陽(yáng)致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電
2023-12-13 16:36:19134 
SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4668 
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