國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:08
1422 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出汽車級COOLiRFET ? MOSFET系列，為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻
2013-05-20 15:13:301738 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
監(jiān)測直流電池堆，電壓是0-300V，電流可達(dá)200A。想用單片機(jī)的ADC監(jiān)測電壓大小，精度為0.5%*300V（也就是1.5V），是否有什么好的方案。
2017-05-31 11:51:33
請問一下有沒有300V直流轉(zhuǎn)12V和電流達(dá)到500mA以上的芯片？謝謝了
2018-12-27 14:55:50
大家好！300V直流轉(zhuǎn)15V直流，可以不用開關(guān)變壓器嗎？
2011-07-17 13:42:50
300V，20A的主流電源怎么做，求高手賜教，謝謝
2015-11-11 09:54:16
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅(qū)動器跨導(dǎo)，同時浮動通道可以用來驅(qū)動工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
小弟在選擇MOSFET型號，要求耐壓300V左右，Id>7.5A，導(dǎo)通電阻越小越好，哪位大俠給推薦一款,萬分感謝！
2012-08-17 15:19:08
。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動通用驅(qū)動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導(dǎo)通電阻，發(fā)現(xiàn)對應(yīng)的導(dǎo)通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。
2016-12-21 11:39:07
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護(hù)和電源良好信號提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨(dú)有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了導(dǎo)通電阻和Qg。在搭載變頻器的空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負(fù)載時的功率損耗可減少約56
2018-12-04 10:23:36
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
A。盡管導(dǎo)通電阻很低 ，并且具有最佳的 SOA 電流能力，在 40 V/Tp=1 ms下具有8.1 A 電流，如圖 2 所示。△圖 2：PSMNR90-50SLH MOSFET 的 40 V/1
2022-10-28 16:18:03
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
MOSFET模型仿真驗(yàn)證Id_Vds有效性MOSFET模型導(dǎo)通電壓Vgs(th)驗(yàn)證MOSFET模型導(dǎo)通電阻測試驗(yàn)證與體二極管I-V特性測試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關(guān)系I_V性能仿真驗(yàn)證
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。 因此，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。 例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
導(dǎo)通電阻，提供出色的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。 這些器件非常適合于高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正。推薦產(chǎn)品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
電壓。導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài)，因?yàn)槠銼、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區(qū)的過程，也就
2017-04-06 14:57:20
stm32怎么測量300V直流電壓
2023-09-26 08:11:18
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內(nèi)置低導(dǎo)通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
所示。Q1為放電管，使用N溝道增強(qiáng)型MOSFET,實(shí)際的工作中，根據(jù)不同的應(yīng)用，會使用多個功率MOSFET并聯(lián)工作，以減小導(dǎo)通電阻，增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻，LP為電池引線電感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
如題，AD8422僅支持最大+-40V的共模電壓，如何使用AD8422實(shí)現(xiàn)高達(dá)300V共模電壓的差分信號檢測？
2023-11-20 06:00:47
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標(biāo)出了作為開關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和突然，因?yàn)橥ǔ５挠^點(diǎn)都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)多個并聯(lián)工作的功率MOSFET其中的一個溫度上升時，由于其具有正的溫度系數(shù)，導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小
2016-09-26 15:28:01
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
電路顯示LT3750電路將400F電容充電至300V的目標(biāo)電壓。 T1和R1，R2電阻的1:10匝數(shù)比將目標(biāo)電壓設(shè)置為300V，而R4功率電阻將峰值充電初級電流設(shè)置為7.5A
2019-10-09 08:47:35
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
最后一個字母“I”識別（例如BSC010N04LSI）。圖1：英飛凌新一代MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻RDS(on) 導(dǎo)通電阻是MOSFET最重要的參數(shù)之一，但其他參數(shù)通常具備同等重要性，有時對于
2018-12-06 09:46:29
誰能告訴我這張圖里的vcc代表的是什么.300v直流嗎，那樣的話ss8050集電結(jié)不是300v,ss8050不要爆了嗎.
2016-07-31 18:29:22
，Si-MOSFET在這個比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
MOSFET的結(jié)構(gòu)高壓的功率MOSFET的外延層對總的導(dǎo)通電阻起主導(dǎo)作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時，降低導(dǎo)通電阻，最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
大蝦們好，我是搞弱電的，強(qiáng)電基本不懂。現(xiàn)在要得到300V直流電壓用來給閃光燈用的閃光電容充電，以前的方案是使用繞線的隔離變壓器，中間用MOSFET及線性光耦控制閃光電容充電電壓；現(xiàn)在的方案
2016-10-19 10:34:33
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
使用COOLMOS技術(shù)的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導(dǎo)通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開
2009-08-18 12:00:511176 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，
2010-02-23 09:26:57667 TI推出具有同步MOSFET控制輸出的全新環(huán)保型相移全橋控制器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備同步 MOSFET 控制輸出與輕負(fù)載電源管理功能的相移全橋 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551003 IR推出智能電源開關(guān)AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），適用于卡車引擎罩接線盒等嚴(yán)苛的 24V 汽車環(huán)
2010-03-22 12:16:321289 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺
2010-04-20 10:24:32900 
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 - 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2 功率MOSFET
2010-10-29 09:07:321354 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 10:57:001590 
IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列，與傳統(tǒng)的TO-262封裝相比，可減少 50%引線電阻，并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351452 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:54966 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制
2011-09-15 09:27:391312 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出全新數(shù)字功率平臺，該產(chǎn)品可大幅提升多種應(yīng)用的能效，包括高性能服務(wù)器、臺式電腦及運(yùn)
2011-09-22 08:51:37983 -300V大脈寬可調(diào)電路主要由四部分組成：(1)脈沖形成級；(2)脈沖整形級；(3)功率放大級；(4)電平轉(zhuǎn)換級。
2012-04-17 15:20:121521 
東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30963 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。
2013-10-16 14:16:131404 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:111667 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 （RDS（on）） 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
2020-08-30 08:33:00702 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332872 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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