為滿足80 Plus“金級”效率標準的要求，所有級的合并損耗是額定輸出功率的約12%。單純PFC MOSFET損耗應限制到總輸出功率的約2%或封裝功率限值，（以二者中的較低者為準）。“TO”封裝的最大功率損耗限值為：

　　· PowerPAK®SO-8L （5x6）： 5W

　　· PowerPAK®8x8： 7W

　　· TO-220/TO-220F： 10 W

　　· TO-247： 20W

　　· Super TO-247/Tmax： 25W

　　因此，由傳導損耗和開關損耗構成的最大封裝功率限值不應超過上述水平。傳導損耗用公式I2*R來計算，其中考慮到了器件的RDS（on）以及其溫度系數。開關損耗不僅需要考慮Qg、Qgd和Qgs，還需要考慮Qoss，Qoss是Coss的積分函數。

　　傳統(tǒng)的FOM，即RDS（on）（典型值）*Qg（典型值）并不考慮器件的Coss/Qoss，但這是一個非常重要的損耗，特別是在開關損耗大于傳導損耗的輕負載情況下。開關損耗的這一成分是在充電（當器件斷電時）和放電（當器件通電時）情況下產生的，必需在設計中加以考慮。Coss/Qoss越大，開關損耗就越大。此外，Qoss損耗是固定的并且獨立于負載，這一點可從標準公式Poss = ½ CV2 x Fsw中看出，其中Fsw是開關頻率。

　　在通用輸入電源中，PFC MOSFET始終受到380 VDC至400 VDC的主體 （bulk） DC總線電壓的限制。因此，輸出開關損耗有可能在總損耗中占相當大的比例。高壓MOSFET （HVM）的Coss隨著所施加的VDS的不同而有相當大的變化。為說明輸出電容器的非線性，可以使用Poss = ½ Coer x V2 x Fsw作為損耗計算公式。Coer是由產品說明書提供的有效電容，與MOSFET的集成Coss具有相同的存儲能量和相同的損耗。所以，新FOM現在為Rds（on）（典型值） * （Qswitch （典型值） + Qoss），其中Qswitch是Qgd和Qgs的組合。

　　例如，我們使用一個最大封裝功率損耗為8 W且對傳導損耗和開關損耗的貢獻各為4 W的TO-220 / TO-220F器件。這樣Coss/Qoss損耗將占到總封裝損耗的約20%，或總開關損耗的約40%，這是標準FOM公式沒有加以考慮的一個較大損耗。

　　由于有許多可用封裝選項，所以表1列出了針對不同封裝的最大功率額定值。請注意，每種封裝都有一系列器件可供選用，所以有可能對廣泛的輸出功率推薦相同的封裝。為了實現SMT封裝（如PowerPAK®SO-8L （5x6） 和PowerPAK®8x8）的最大可能功率耗散，有必要將PCB溫度保持在最壞條件下的應用要求值。建議最大額定值因此受到系統(tǒng)熱考慮事項而非封裝損耗的限制。

　
表1：各封裝類型下的最大功率級
 

　　本文選自電子發(fā)燒友網6月《智能工業(yè)特刊》Change The World欄目，轉載請注明出處！