裝置兩端電壓為最大閉態(tài)電壓時(shí),流過(guò)的電流。
泄漏電流 ID
過(guò)電壓保護(hù)裝置處在斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)流過(guò)的極小的電流。
擊穿電流 IBR
在擊穿條件下通過(guò)過(guò)電壓保護(hù)裝置的電流。
擊穿電壓VBR
絕緣擊穿電壓VBR,是裝置進(jìn)入雪崩區(qū)開(kāi)始傳導(dǎo)的電壓。裝置開(kāi)始箝位電壓,但它還未達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓。
最大電壓上升率dv/dt
dv/dt額定值是過(guò)電壓保護(hù)裝置能承受而不會(huì)導(dǎo)通的最大電壓上升率。電壓上升率大于此值時(shí),裝置可能在未超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓VBO時(shí)返送。
閉態(tài)電容CO
在斷開(kāi)狀態(tài)下,于額定的頻率、振幅、直流偏壓下測(cè)量,所得出的過(guò)電壓保護(hù)裝置的電容值。
評(píng)論
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