隸屬美國能源部的勞倫斯伯克利國家實驗室Ali Javey 團隊即宣稱，突破了物理極限，成功創造1 納米晶體管。
2016-10-09 09:52:06
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規范的產品通常由硅制成，并作為推挽式應用系統的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學水平上工作的機制可能有些復雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導和引導電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
嵌入式芯片體系結構介紹根據處理器的應用范圍及處理能力可以將處理器分為嵌入式微處理器、嵌入式微控制器、嵌入式DSP處理器、嵌入式片上系統。1.嵌入式微處理器（Micro Processor Unit，MPU） 嵌入式微處理器是由通用計算機中的CPU演變而
2021-07-23 06:05:32
學習嵌入式芯片功能有哪些軟件？學習嵌入式芯片功能有哪些硬件？
2021-11-12 07:11:13
什么是嵌入式？嵌入式芯片如何選型？什么是ARM？
2021-11-05 08:43:56
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
統通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數、開啟電壓等參數以及二極管一些參數的測定，并能測試比較溫度對這些參數的影響。系統具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數
2012-08-02 23:57:09
的集電極除被控對象外，沒有連接任何其他的電路或元件，因此也將晶體管的這種連接方式稱為集電極開路。另外，在晶體管開關電路中，晶體管處于飽和狀態，使得開關導通。當晶體管關斷時（晶體管從飽和狀態恢復到截止
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點：靜態工作點調整。[理論內容]一、電路工作原理及基本關系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
過大，則β和hFE也將明顯變小。(2) 集電極最大電流ICM晶體管集電極允許通過的最大電流即為ICM。需指出的是，IC大于ICM時晶體管不一定會被燒壞，但β等參數將發生明顯變化，會影響晶體管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
“導通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。關于MOSFET，將再次詳細介紹。IGBT為雙極晶體管與MOSFET的復合結構。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優點而開發的晶體管
2018-11-28 14:29:28
創建通道來導通。另外，柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣，因此不會流過 “導通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。 關于MOSFET，將再次詳細介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
晶體管的基極電流發生變化時，其集電極電流將發生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個較小的信號，則其集電極將會輸出一個較大的信號。 晶體管的基本工作條件是發射結（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
：此時集電結近似零偏壓，已不是原來的反偏狀態了）式中：Vce為晶體管集電極——發射極間的電壓，Vb為晶體管基極的電壓。就認為此晶體管已開始進入飽和狀態。但因這時晶體管的Ic仍能隨著Ib的增大而增大，只是
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統
2010-08-12 13:57:39
`美國泰克Tektronix371A-Tektronix371A晶體管圖示儀二手TEK 370A晶體管測試儀出售租售TEK 370A晶體管測試儀-------------------聯 系 人【彭
2020-02-11 21:52:00
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內部的層狀結構
2020-07-07 11:36:10
晶體管ILD0912M150HV功率晶體管ILD0912M15HV功率晶體管ILD0912M400HV功率晶體管ILD0912M60功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:07:29
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
電流可以調節巨大的發射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管？PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設備。適量的基極電流調節了發射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
`電子元器件市場中，以場效應晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應晶體管的參數，大家都是一籌莫展，因為場效應晶體管的參數有很多，其中包括直流參數、交流參數和極限參數等，但普通運用時只需關注
2019-04-04 10:59:27
眾所周知，電子系統芯片中的晶體管會隨著時間而逐漸老化。它們會慢慢變舊，反應變得遲緩，毛病越來越多，甚至突然崩潰死機。不過凡事都有兩面性，雖然晶體管老化對電子產品不是好事，但其功耗卻隨著時間的推移而降
2017-06-15 11:41:33
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術突破，中國應該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型。》 雙極結型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時都在運動。雙極結型晶體管，又稱半導體三極管，是通過一定工藝將兩個PN結組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
SiC、藍寶石、AlN和原生塊體氮化鎵。不過，所有這些材料價格昂貴，而最常用的透明電路基板——玻璃，則非常便宜。 我們的解決方案是一個兩步式制程，可在玻璃基板上形成氮化鎵晶體管。第一步是在將氮化鎵層
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應晶體管器件而不是傳統的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現這一點，這導致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
用第二種方法則可能會有可靠度的問題，所以制作低電壓模擬電路最好的方法就是在現有的制程技術下使用電路設計技巧來完成之。以下將介紹一種低電壓模擬電路設計的技巧-使用基底輸入式MOS晶體管（bulk-driven MOSFET）。[hide][/hide]
2009-10-05 08:04:14
基板上制造這些晶體管。不過這種技術還面臨許多挑戰，我們可能還要等幾年才能看到這些先進技術實用化。本文小結目前業界面臨的問題是如何充分發揮這種巨大的并行處理能力。但嵌入式軟件行業已經在開發強大的工具來幫助
2014-08-26 15:50:42
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發射極（E）的基極（B）的負電壓將使其“打開”，從而允許大的發射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
對芯片作底層支撐的場效應晶體管，一款能起良好穩壓作用的芯片非常重要。因此在進行開關電源設計時，工程師會更多地考慮使用更優質的場效應晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應晶體管的什么性能呢？應從
2019-04-01 11:54:28
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域。 圖1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
，應用需要高吞吐量和高能效以及小外形和低成本。多核微控制器單元（MCU）提供了一種可行的新解決方案，利用模塊化設計以經濟的價格提供多倍的性能提升。幾十年來，隨著IC上晶體管數量的增加，芯片性能不斷...
2021-07-19 09:02:45
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計呢？
2019-08-02 06:49:22
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何選擇嵌入式硬件？如何選擇嵌入式芯片？
2021-10-25 07:13:44
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
下面的關系式。■數字晶體管直流電流增益率的關系式GI：數字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
10月7日，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管
2016-10-08 09:25:15
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯小容量的電容（一般pF級別），當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能夠迅速從基極抽取電子（因為電子
2023-02-09 15:48:33
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
求大神分析本科學ARM嵌入式系統方向，能申請美國哪些學校和專業？PCB打樣找華強 http://www.hqpcb.com 樣板2天出貨
2013-01-21 22:52:20
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
。在數字設備中，肯定會使用大規模集成電路，所以不會采用電子管。 通過以上的內容可以看到，電子管與晶體管在結構與工作方式上都存在著較大的區別，這就導致了兩者在應用范圍上的不同，顯然適應性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統電子管是必然的發展方向，但在某些特定的設計或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發展1947年的圣誕前某一天，貝爾實驗室中，布拉頓平穩地用刀片在三角形金箔上劃了一道細痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導線，隨即準確地壓進鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
系統的出現與發展歷程。隨著電子器件技術的不斷發展和演化，基于半導體材料的晶體管技術、集成電路技術出現，計算機硬件的體積、功耗降低，處理速度提升才能使專用的微型計算裝置“嵌入”到應用對象中；C語...
2021-08-06 06:37:44
晶體管的極限參數
以下介紹晶體管的主要極限參數。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，
2010-01-26 08:54:036887 高性能單層二硫化鉬晶體管的實現讓科研界看到了二維半導體的潛力，二維半導體材料的發展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學家們也沒有停止追尋二維半導體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:042020
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