0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機(jī)電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設(shè)備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內(nèi)置非易失存儲(chǔ)器可保存
2021-05-17 07:50:42
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲(chǔ)芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨大影響，特別是當(dāng)應(yīng)用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無(wú)限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
開(kāi)發(fā)人員了解專門針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)而優(yōu)化的EFM和EFR系列MCU平臺(tái)，我們將針對(duì)亞洲地區(qū)于2023年12月12日上午10點(diǎn)（北京時(shí)間）在線舉辦全新MCU專題的Tech Talk技術(shù)講座－“EFM和EFR
2023-11-23 13:45:47
的連網(wǎng)性能、豐富的接口、更多的集成必不可少，性能、功耗、安全性的提升同樣不容忽視。物聯(lián)網(wǎng)到底需要什么樣的MCU？
2019-07-17 06:10:50
MCU 是怎么為物聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)設(shè)備提高安全性的？
2023-10-17 08:53:03
存取速度分類)：1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強(qiáng)人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
作者：Michael (DLP) Walker，德州儀器（TI） 物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 正以前所未有的速度實(shí)現(xiàn)人、設(shè)備和云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)之間的互聯(lián)。一些分析人員預(yù)測(cè)，到2020年，將會(huì)有500億臺(tái)數(shù)字設(shè)備
2019-03-13 06:45:09
的操作系統(tǒng)一樣，物聯(lián)網(wǎng)的RTOS也管理著MCU的基礎(chǔ)資源和應(yīng)用程序的運(yùn)行。RTOS沒(méi)有PC操作系統(tǒng)那么通用性好，由于MCU架構(gòu)不同，各個(gè)廠家的MCU產(chǎn)品也存在著差異，RTOS需要針對(duì)不同MCU做適配。為了讓物
2019-09-18 09:05:06
的小型節(jié)點(diǎn)、收集與記錄資料的傳感器集線器，主要都基于MCU平臺(tái)，”Hackenberg表 示。“最慎重的MCU供應(yīng)商正密切關(guān)注數(shù)十億臺(tái)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的最新發(fā)展;然而，由于物聯(lián)網(wǎng)是一種概念性趨勢(shì)，而不是一種
2016-06-29 11:45:30
在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用發(fā)展中，MCU的應(yīng)用生態(tài)也發(fā)生了一些改變，呈現(xiàn)出了新的應(yīng)用生態(tài)。目前，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用基本都是將傳感終端連接到云端，基本遵循云－管－端的架構(gòu)。MCU的應(yīng)用一般是在“管”和“端”，管指的是連接通信的管道，端是設(shè)備終端或傳感終端。下圖是MCU在物聯(lián)網(wǎng)中應(yīng)用生態(tài)的示意圖：物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中MCU應(yīng)用生態(tài)示意圖
2019-07-15 06:43:05
沒(méi)有安全保障的物聯(lián)網(wǎng)就不能算是物聯(lián)網(wǎng)！這已經(jīng)成為當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代大家基本的共識(shí)。有數(shù)據(jù)顯示，到2020年，全球?qū)⒂?00億臺(tái)設(shè)備接入物聯(lián)網(wǎng)，再考慮到多樣性的互聯(lián)通信鏈路以及云端部署，維護(hù)這樣一個(gè)龐大
2019-07-17 06:37:28
軟件開(kāi)發(fā)的直觀性和易用性。微控制器（MCU）作為物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的核心，選擇合適的 MCU 是滿足客戶當(dāng)前和未來(lái)需求的關(guān)鍵。本文將探討當(dāng)今不斷增強(qiáng)的嵌入式 MCU 的豐富功能，MCU 在加速設(shè)計(jì)的同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)
2019-07-24 06:27:55
，非易失性存儲(chǔ)器還需確保足夠的讀寫(xiě)次數(shù)來(lái)記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外，為了達(dá)到汽車級(jí)認(rèn)證和資格，所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器組件。同時(shí)，功能性安全性能符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是另外一
2018-05-21 15:53:37
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫(xiě)入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢(shì)通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無(wú)關(guān)，所以FRAM存儲(chǔ)器的內(nèi)容不會(huì)受到外界條件（諸如磁場(chǎng)因素）的影響，能夠同普通ROM存儲(chǔ)器一樣使用，具有非易失性的存儲(chǔ)特性
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半導(dǎo)體全球市場(chǎng)副總裁兼中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費(fèi)類電子、視頻、安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、有線/無(wú)線通信等不同市場(chǎng)的智能連接、接口擴(kuò)展等需求。通過(guò)GW1N系列產(chǎn)品，高云半導(dǎo)體可以向用戶提供高安全性、單芯片、低成本、小薄封裝等優(yōu)勢(shì)的最優(yōu)化非易失性FPGA解決方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫(xiě)耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲(chǔ)器
2020-12-31 07:15:20
什么是物聯(lián)網(wǎng)？物聯(lián)網(wǎng)的特征是什么？有哪些分類？物聯(lián)網(wǎng)的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)在智慧城市中的應(yīng)用有哪些？
2021-06-15 08:04:37
器件提供非易失性存儲(chǔ)10年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間在一部分功率需要熟悉FLASH和EEPROM的替代品。利用現(xiàn)有的FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師可以自信地建立這些強(qiáng)大的設(shè)備進(jìn)入低功耗能量收集應(yīng)用程序，操作數(shù)年并保持長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)（盡管間歇性電源損耗）。`
2016-02-25 16:25:49
器件為市場(chǎng)上的許多8位MCU提供了編譯器友好的替代方案。對(duì)了解FRAM來(lái)說(shuō)，這些新型低成本MSP430 MCU器件是一個(gè)很好的切入點(diǎn)。FRAM為程序員提供了極大的靈活性，還具有作為非易失性程序和非易失
2019-07-25 04:45:11
，比較是否一致，一致則計(jì)數(shù)”。然后重復(fù)測(cè)N次得到非易失性的有效讀寫(xiě)次數(shù)。但是又不能直接拿STM32的引腳來(lái)驅(qū)動(dòng)FRAM芯片的VCC，又不能老是手動(dòng)斷電上電這么來(lái)測(cè)，這下有點(diǎn)找不準(zhǔn)方向了。想知道論壇里面各位大神有沒(méi)有什么好的測(cè)試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
元素的某些金屬（硫族化合物）的晶態(tài)和非晶態(tài)的穩(wěn)定性非常好。特別是GeSbTe合金最被看好，因?yàn)樗袷匾粋€(gè)偽二元構(gòu)成方式（在GeTe和 Sb2Te3之間），以下簡(jiǎn)稱GST。
2019-06-26 07:11:05
固件在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中是怎么存儲(chǔ)的？物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備固件的獲取方法有哪些？如何利用主控器內(nèi)部的bootloader進(jìn)而得到主控器內(nèi)部的flash區(qū)域的代碼呢？
2022-02-10 07:42:13
互連器件間的通信是可能的。例如，一個(gè)電燈開(kāi)關(guān)不但能與燈泡通信，還能與煙霧探測(cè)器、窗戶百葉窗控制和任何其它聯(lián)網(wǎng)器件通信。在這種類型的通信中，數(shù)據(jù)安全性和可靠性是十分關(guān)鍵的。芯片上嵌入的具有非易失性FRAM
2018-09-03 15:01:15
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)，從而可簡(jiǎn)化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2019-07-08 06:03:16
：TI MSP430FR59xx MCU建立在超低功耗“Wolverine”技術(shù)平臺(tái)基礎(chǔ)之上，采用非易失性FRAM替代EEPROM或閃存提供高穩(wěn)健統(tǒng)一存儲(chǔ)器架構(gòu)，可簡(jiǎn)化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)目前已經(jīng)出現(xiàn)了大量強(qiáng)制
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在類似如上所述的系統(tǒng)中，FRAM 可帶來(lái)多種優(yōu)勢(shì)。 結(jié)合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫(xiě)入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲(chǔ)器保護(hù)單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
電隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器或FRAM微控制器（MCU）系列。FRAM技術(shù)將SRAM存儲(chǔ)器的很多優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起，而同時(shí)又具有FLASH存儲(chǔ)器的非易失性。一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)就是超低功耗非易失性FRAM的寫(xiě)入，與FLASH
2018-08-29 15:36:21
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫(xiě)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛(ài);我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫(xiě)了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問(wèn)題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲(chǔ)提供了一些想法。一定有工程師經(jīng)常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內(nèi)存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲(chǔ)呢？本文將會(huì)介紹
2021-12-20 06:42:35
的重要性毋庸置疑！那么該如何保障物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備安全呢？加密芯片就是保障物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備安全最簡(jiǎn)單而有效的方式：賦予信息終端唯一可信身份，確保其內(nèi)部運(yùn)行程序合法性，確立互聯(lián)網(wǎng)中終端節(jié)點(diǎn)可信；從根本上保障信息終端內(nèi)部硬件
2018-09-07 10:36:55
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見(jiàn)的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
如何支持物聯(lián)網(wǎng)安全性和低功耗要求設(shè)計(jì)
2018-12-27 04:24:50
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個(gè)困難，顯然制造商沒(méi)有對(duì)NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)（對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
非易失性寫(xiě)入性能優(yōu)于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁(yè)面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁(yè)面大小需要更多頁(yè)面寫(xiě)操作和更多寫(xiě)周期時(shí)間。因此造成額外的寫(xiě)延遲。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">FRAM不是分頁(yè)的存儲(chǔ)
2020-09-28 14:42:50
`MSP430FR5969 LaunchPad不僅支持最新發(fā)布的、采用集成型非易失性 FRAM 存儲(chǔ)器技術(shù)的 MSP430FR5969MCU, 而且具有業(yè)界最低功耗！我們即將舉辦一場(chǎng)相關(guān)超低
2014-07-16 12:35:33
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
一定空間用于存儲(chǔ)應(yīng)用代碼、非易失性數(shù)據(jù)和配置信息。EEPROM往往是開(kāi)發(fā)人員最先、最常考慮用于嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)器件。在嵌入式應(yīng)用中，這類非易失性存儲(chǔ)器通常用于存儲(chǔ)系統(tǒng)配置參數(shù)。例如，連接至CAN總線網(wǎng)
2021-12-22 07:33:16
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的區(qū)別是什么？MQTT到底是什么？
2021-05-18 06:41:28
電場(chǎng)的影響。 9. FRAM 受輻射或軟錯(cuò)誤的影響嗎？ 易失性存儲(chǔ)器 DRAM 和 SRAM 使用電容器來(lái)存儲(chǔ)電荷或使用簡(jiǎn)單的鎖存器來(lái)存儲(chǔ)狀態(tài)。 這些單元容易受到 α 粒子、宇宙射線、重離子、伽馬射線
2018-08-20 09:11:18
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)與工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的差異是什么？
2021-05-17 06:31:42
電池物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用MCU都用哪些型號(hào)的
2023-09-20 07:57:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測(cè)量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長(zhǎng)
2021-11-03 07:28:04
KB 的非易失性 FRAM 存儲(chǔ)器。主要特色? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? 符合 RF430 NFC 動(dòng)態(tài)標(biāo)簽類型 4B
2018-09-10 09:20:29
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢?舉例說(shuō)明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫(xiě)13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫(xiě)的功能，但如果用FRAM來(lái)做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
上。此設(shè)計(jì)工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進(jìn)而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測(cè)量2.9uA 待機(jī)電流非易失性片上 FRAM 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監(jiān)視器此終端設(shè)備設(shè)計(jì)已經(jīng)過(guò)測(cè)試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
器和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器，它沒(méi)有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
，擦寫(xiě)次數(shù)低,寫(xiě)數(shù)據(jù)功耗大等缺點(diǎn)。 鑒于以上情況，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)。鐵電存儲(chǔ)器具有以下幾個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)： i. 讀寫(xiě)速度快。串口FRAM的時(shí)鐘速度可達(dá)
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動(dòng)）即使在不加置電場(chǎng)的情況下，也能保持電極。兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲(chǔ)。存儲(chǔ)器分類中的FRAM* 非易失性：即使沒(méi)有上電，也可以保存所存儲(chǔ)
2014-06-19 15:49:33
的寫(xiě)入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度（允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失性，寫(xiě)入速度快，無(wú)限次寫(xiě)入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫(xiě)入速度和無(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:50
4172 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論