【導(dǎo)讀】本系列文章的第 1 部分至第 4 部分詳細(xì)介紹了開關(guān)電源穩(wěn)壓器引起的傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射，包括噪聲產(chǎn)生機(jī)制、測(cè)量要求、頻率范圍、適用的測(cè)試限值、傳播模式和寄生效應(yīng)。在第 5 部分中，我將基于這一理論基礎(chǔ)介紹抑制電磁干擾 （EMI） 的實(shí)用電路技術(shù)。

一般來(lái)說(shuō)，電路原理圖和印刷電路板 （PCB） 對(duì)于實(shí)現(xiàn)出色的 EMI 性能至關(guān)重要。第 3 部分重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)通過(guò)謹(jǐn)慎的元器件選型和 PCB 布局盡量減小“功率回路”寄生電感的重要性。電源轉(zhuǎn)換器集成電路 （IC） 的封裝技術(shù)及其提供的 EMI 特定功能對(duì)此產(chǎn)生了巨大的影響。如第 2 部分所述，必須使用差模 （DM） 濾波方可將輸入紋波電流的幅值充分降低至滿足 EMI 合規(guī)性要求的水平。與此同時(shí)，如果需要抑制約 10MHz 以上的發(fā)射，通常使用共模 （CM） 濾波。在高頻條件下，使用屏蔽也可以獲得優(yōu)異的結(jié)果。 本文主要介紹這些方面的內(nèi)容，專門聚焦于帶有集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案，提供抑制 EMI 的實(shí)例和應(yīng)用指導(dǎo)。一般來(lái)說(shuō)，轉(zhuǎn)換器應(yīng)在合理范圍內(nèi)超出傳導(dǎo) EMI 一定的裕度，為達(dá)到輻射限值預(yù)留空間。幸運(yùn)的是，多數(shù)減少傳導(dǎo)發(fā)射的步驟對(duì)于抑制輻射 EMI 同樣有效。

了解 EMI 的相關(guān)挑戰(zhàn) DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的 EMI 主要由其快速開關(guān)的電壓和電流特性所致。與轉(zhuǎn)換器的不連續(xù)輸入或輸出電流相關(guān)的 EMI 相對(duì)容易處理，但更大的問(wèn)題是開關(guān)電壓 dv/dt 和電流 di/dt 中的諧波成分，以及與開關(guān)波形相關(guān)的振鈴。 圖 1 所示為存在噪聲的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān) （SW） 電壓波形。振鈴頻率范圍為 50MHz 至 200MHz，具體取決于寄生效應(yīng)。此類高頻成分可以通過(guò)近場(chǎng)耦合傳播到輸入電源線、周邊元器件或輸出總線（如 USB 電纜）。體二極管反向恢復(fù)存在類似的問(wèn)題，隨著恢復(fù)電流流入寄生回路電感，振鈴電壓升高。

圖 1：同步降壓轉(zhuǎn)換器在 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓波形和等效電路 圖 2 的原理圖標(biāo)識(shí)了降壓轉(zhuǎn)換器電路的兩條重要回路。最大限度縮減電源回路的面積至關(guān)重要，原因是該參數(shù)與寄生電感和相關(guān) H 場(chǎng)傳播成正比。主要設(shè)計(jì)目標(biāo)是通過(guò)減小寄生電感最大程度提升寄生 LC 諧振電路的諧振頻率。此舉可以降低存儲(chǔ)的無(wú)功能量總值，減少開關(guān)電壓峰值過(guò)沖。

圖 2：簡(jiǎn)化的同步降壓轉(zhuǎn)換器原理圖（針對(duì) EMI 標(biāo)出了關(guān)鍵回路和走線） 在圖 2 所示的自舉電容回路中，高側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通速度由一個(gè)標(biāo)記為 RBOOT 的可選串聯(lián)自舉電阻進(jìn)行控制。自舉電阻會(huì)改變驅(qū)動(dòng)電流瞬變率，降低 MOSFET 導(dǎo)通期間的開關(guān)電壓和電流轉(zhuǎn)換率。另一種方法是在 SW 和 GND 之間添加一個(gè)緩沖電路。同理，該緩沖電路應(yīng)根據(jù)每次開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)的瞬態(tài)電流尖峰，占用最小的回路面積。當(dāng)然，緩沖電路和柵極電阻會(huì)增加開關(guān)功率損耗，需要在效率和 EMI 之間進(jìn)行權(quán)衡。如果效率和散熱性能同樣非常重要，則需要使用其他技術(shù)解決 EMI 相關(guān)的挑戰(zhàn)。 轉(zhuǎn)換器的 PCB 布局 表 1 至表 5 總結(jié)了通過(guò)優(yōu)化 PCB 布局及元器件排布削弱 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 信號(hào)的基本準(zhǔn)則。我將在本文的后續(xù)部分提供一項(xiàng) PCB 布局案例研究，探討如何優(yōu)化降壓轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性。 表 1：布線及元器件排布。

表 2：GND 平面設(shè)計(jì)。

表 3：輸入和輸出電容。

表 4.電感和開關(guān)節(jié)點(diǎn)布局。

表 5.EMI 管理。

EMI 輸入濾波器 圖 3 所示為典型的多級(jí) EMI 輸入濾波器。低頻和高頻部分可提供 DM 噪聲衰減，也可選擇 p 級(jí)，通過(guò) CM 扼流器提供 CM 衰減。標(biāo)記為 CBULK 的電解電容具有固有的串聯(lián)電阻 （ESR），可用于設(shè)置所需阻尼，降低轉(zhuǎn)換器輸入的有效品質(zhì)因子，保持輸入濾波器的穩(wěn)定性。 DM 電感的自諧振頻率 （SRF） 限制濾波器第一級(jí)可實(shí)現(xiàn)的高頻 DM 衰減。濾波器第二級(jí)通常至關(guān)重要，其使用鐵氧體磁珠在高頻條件下提供附加的 DM 衰減，此時(shí)額定阻抗通常為 100MHz。標(biāo)記為 CF1 和 CF2 的陶瓷電容可將噪聲分流到接地端。

圖 3：具有 DM 和 CM 級(jí)的三級(jí) EMI 輸入濾波器 DM 濾波器的電感一般設(shè)置為削弱基波和低頻諧波的值。應(yīng)使用盡可能小的電感來(lái)滿足低頻濾波要求，因?yàn)樵褦?shù)較多的大電感具有較高的等效并聯(lián)電容 （EPC），導(dǎo)致其 SRF 較高，影響其在高頻下的性能。 標(biāo)記為 LCM 的 CM 扼流器針對(duì) CM 電流提供較高的阻抗，其泄漏電感也可提供 DM 衰減。然而，在部分要求接地連接必須保持完好的應(yīng)用中，該元器件不適用，這些應(yīng)用需要更安靜的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，CM 扼流器不再是首選。 為了演示 CM 扼流器的效果，圖 4 展示了德州儀器 （TI） LM53603，這是一款采用雙層 PCB 的 36V、3A DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案 ［7］。該器件的功率級(jí)位于頂層，EMI 輸入濾波器則放置于底部。如圖 4 中的布局所示，濾波器附近的接地平面覆銅區(qū)可借助過(guò)孔縫合提供屏蔽效果。此外，在濾波器級(jí)以下的所有層中插入敷銅層切口，可避免 VIN 和 GND 走線之間產(chǎn)生寄生電容，從而為噪聲電流提供繞過(guò) CM 扼流器的路徑并讓步于濾波器的阻抗特性。

圖 4：DC/DC 轉(zhuǎn)換器原理圖和 PCB 布局實(shí)施方案 圖 5 所示為國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì) （CISPR） 25 針對(duì)圖 4 的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)在 150kHz 至 108MHz 之間進(jìn)行的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量。我們提供了使用與不使用 CM 扼流器兩種情況下的測(cè)量結(jié)果。使用 Rohde & Schwarz 的頻譜分析儀，所得檢測(cè)器掃描結(jié)果的峰值和平均值分別以黃色和藍(lán)色表示。紅色限值圖象為 5 類峰值和平均值限值（峰值限值通常比平均值限值高出 20dB）。

圖 5：CISPR 25 在使用 CM 扼流器 （a） 與不使用 CM 扼流器 （b） 情況下進(jìn)行的傳導(dǎo) EMI 測(cè)量 金屬外殼屏蔽 另一種優(yōu)化高頻 EMI 性能的有效方式是添加金屬外殼屏蔽層，從而阻擋輻射電場(chǎng)。外殼通常由鋁制成，采用框架（敞開式）或封閉式設(shè)計(jì)實(shí)施方案。屏蔽外殼可覆蓋除 EMI 濾波器之外的所有功率級(jí)元器件，外殼與 PCB 上的 GND 相連，基本形成了一個(gè)帶有 PCB 接地平面的法拉第籠。 這使得從開關(guān)單元到 EMI 濾波器或長(zhǎng)輸入線連接（也用作天線）的輻射噪聲耦合顯著減少。當(dāng)然，這會(huì)產(chǎn)生額外的元器件和裝配成本，導(dǎo)致散熱管理和散熱測(cè)試的難度增加。鋁電解電容的外殼也可以提供電場(chǎng)屏蔽，為實(shí)現(xiàn)此目的，可在電路板上針對(duì)性地放置該電容。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器案例研究 圖 6 為 60V、1.5A 單片式集成同步降壓轉(zhuǎn)換器電路的原理圖，該電路通過(guò)多項(xiàng)功能實(shí)現(xiàn)最佳 EMI 性能。該原理圖還顯示了一個(gè)兩級(jí) EMI 輸入濾波器級(jí)，旨在滿足汽車或噪聲敏感型工業(yè)應(yīng)用的 EMI 規(guī)范。為了幫助實(shí)現(xiàn)最佳的 PCB 布局，原理圖中將高電流走線（VIN、PGND、SW 連接）、噪聲敏感型網(wǎng)絡(luò) （FB） 和高 dv/dt 電路節(jié)點(diǎn)（SW、BOOT）突出顯示。

圖 6：采用 EMI 優(yōu)化型封裝和引腳布局的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。內(nèi)置一個(gè)兩級(jí) EMI 輸入濾波器 a. 引腳布局設(shè)計(jì) 圖 6 所示的轉(zhuǎn)換器 IC 優(yōu)勢(shì)在于，其 VIN 和 PGND 采用對(duì)稱且均衡的引腳排布。該轉(zhuǎn)換器利用兩個(gè)并聯(lián)的輸入回路使寄生回路電感成功減半。上述回路在 PCB 布局中標(biāo)記為“IN1”和“IN2”，如圖 7 所示。兩個(gè)外殼尺寸為 0402 或 0603 的小型電容（在圖 6 中分別標(biāo)記為 CIN1 和 CIN3）放置在盡可能靠近 IC 的位置，最大限度減小輸入回路面積。兩個(gè)回路中的環(huán)流產(chǎn)生相反的磁矩，消除 H 場(chǎng)并降低有效電感。為了進(jìn)一步降低寄生電感，PCB 第 2 層（緊靠頂層電源電路的下方）的 IN1 和 IN2 回路下方設(shè)有返回電流的連續(xù)接地平面，可使場(chǎng)效應(yīng)自行消除。 在電感兩側(cè)各使用一個(gè)陶瓷輸出電容（COUT1 和 COUT2）同樣能夠優(yōu)化輸出電流回路。在輸出端引出兩個(gè)并聯(lián)的接地返回路徑可以將返回電流分成兩部分，有助于減弱“地彈反射”效應(yīng)。

圖 7：僅部署在 PCB 頂層的功率級(jí)布局 SW 引腳位于 IC 中心，因此輻射電場(chǎng)會(huì)由 IC 兩側(cè)相鄰的 VIN 和 PGND 引腳屏蔽。GND 平面覆銅區(qū)可對(duì)將 IC 的 SW 引腳連接到電感端子的多邊形覆層施加屏蔽。SW 和 BOOT 的單層布局意味著 PCB 的底側(cè)不會(huì)有 dv/dt 較高的過(guò)孔。這樣可以避免在 EMI 測(cè)試期間，電場(chǎng)與基準(zhǔn)接地平面耦合。 b. 封裝設(shè)計(jì) 與優(yōu)化的引腳排布類似，電源轉(zhuǎn)換器 IC 封裝設(shè)計(jì)也是改善 EMI 信號(hào)的關(guān)鍵屬性。例如，德州儀器 （TI） 的 HotRod? 封裝技術(shù)采用引線框上倒裝芯片 （FCOL） 的方式，規(guī)避了功率器件線焊導(dǎo)致封裝寄生電感過(guò)高的情況。如圖 8 所示，IC 以上下翻轉(zhuǎn)的形式放置，IC 上的銅柱（也稱為凸點(diǎn)或支柱）直接焊接到引線框架。這種構(gòu)造方法能夠提升密度并較薄的外型，因?yàn)槊總€(gè)引腳都與引線框架直接相連。從 EMI 角度來(lái)看，最重要的一點(diǎn)是，與傳統(tǒng)線焊封裝相比，HotRod 封裝降低了封裝的寄生電感。

圖 8：QFN 線焊封裝 （a） 和 HotRod FCOL （b） 封裝的結(jié)構(gòu)對(duì)比 HotRod 封裝不僅可以在開關(guān)換向（50MHz 至 200MHz 頻率范圍）期間減少振鈴，還可以降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。圖 9 所示為開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓振鈴隨之得到改善的情況。圖 8 所示為圖 6 中的轉(zhuǎn)換器在 150kHz 至 108MHz 下測(cè)得的傳導(dǎo)發(fā)射。測(cè)量結(jié)果符合 CISPR 25 5 類要求。

圖 9：使用傳統(tǒng)線焊封裝的轉(zhuǎn)換器 （a） 和 HotRod FCOL 轉(zhuǎn)換器 （b） 時(shí)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓波形

圖 10：CISPR 25 傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量結(jié)果，（a） 頻率范圍為 150kHz 至 30MHz，（b） 頻率范圍為 30MHz 至 108MHz 總結(jié) 在本文中，我討論了使用電源轉(zhuǎn)換器 IC 的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路可以采用的 EMI 抑制技術(shù)。減弱 EMI 的 PCB 布局步驟包括盡量減小布局中的電流“熱回路”面積、避免阻斷電流路徑、采用具有內(nèi)部接地平面的四層 PCB 結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)屏蔽（屏蔽效果遠(yuǎn)超雙層 PCB），以及通過(guò)盡量減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)覆銅區(qū)域面積來(lái)降低電場(chǎng)輻射耦合。 轉(zhuǎn)換器封裝類型是一項(xiàng)重要的選擇標(biāo)準(zhǔn)，新一代器件的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴和引腳設(shè)計(jì)得到顯著提升，有助于實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的電容放置方案。從輸入濾波的角度而言，抑制低頻噪聲（通常小于 10MHz）相對(duì)容易，使用傳統(tǒng)的 LC 濾波器級(jí)即可實(shí)現(xiàn)。然而，抑制高頻噪聲（10MHz 以上）通常需要額外使用 CM 扼流器和/或鐵氧體磁珠濾波器級(jí)。焊接到 PCB 接地平面的金屬外殼屏蔽層也能有效減輕高頻發(fā)射。 在本系列文章的下一部分中，我將探討使用控制器驅(qū)動(dòng)分立式功率 MOSFET 的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路適用的 EMI 抑制技術(shù)。根據(jù) EMI 進(jìn)行分析，這些技術(shù)更具挑戰(zhàn)性。

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EMC寄語(yǔ)：隨著時(shí)代的發(fā)展，越來(lái)越多的電子、電氣設(shè)備或系統(tǒng)產(chǎn)品都需要進(jìn)行檢驗(yàn)檢測(cè)，其中EMC測(cè)試是必備的檢驗(yàn)檢測(cè)指標(biāo)之一。但EMC測(cè)試項(xiàng)目費(fèi)用較貴，EMC實(shí)驗(yàn)室造價(jià)昂貴，絕大部分測(cè)量設(shè)備又需要采用進(jìn)口設(shè)備，導(dǎo)致很少檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)有能力建造EMC實(shí)驗(yàn)室。產(chǎn)品的EMC性能是設(shè)計(jì)階段賦予的，一般電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)如果不考慮EMC因素，就會(huì)很容易導(dǎo)致EMC測(cè)試失敗，以致不能通過(guò)相關(guān)EMC法規(guī)的測(cè)試或認(rèn)證。例如，產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)工程師們根據(jù)需求，設(shè)計(jì)出效果良好的濾波電路，置入產(chǎn)品I/O（輸入/輸出）接口的前級(jí)，可使因傳導(dǎo)而進(jìn)入系統(tǒng)的干擾噪聲消除在電路系統(tǒng)的入口處；設(shè)計(jì)出隔離電路（如變壓器隔離和光電隔離等）解決通過(guò)電源線、信號(hào)線和地線進(jìn)入電路的傳導(dǎo)干擾，同時(shí)阻止因公共阻抗、長(zhǎng)線傳輸而引起的干擾；設(shè)計(jì)出能量吸收回路，從而減少電路、器件吸收的噪聲能量；通過(guò)選擇元器件和合理安排的電路系統(tǒng)，使干擾的影響減少。

EMC技能：整改小技巧

1、150kHz-1MHz，以差模為主，1MHz-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干擾的分容性藕合和感性藕合。一般1MHz以上的干擾是共模，低頻段是差摸干擾。用一個(gè)電阻串個(gè)電容后再并到Y(jié)電容的引腳上，用示波器測(cè)電阻兩引腳的電壓可以估測(cè)共模干擾。2、保險(xiǎn)過(guò)后加差模電感或電阻。3、小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）。4、前端的π型EMI零件中差模電感只負(fù)責(zé)低頻EMI，體積別選太大（DR8太大，能用電阻型式或DR6更好）否則幅射不好過(guò)，必要時(shí)可串磁珠，因?yàn)楦哳l會(huì)直接飛到前端不會(huì)跟著線走。5、傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15MHz-1MHz超標(biāo)，熱機(jī)時(shí)就有7dB余量。主要原因是初級(jí)BULk電容DF值過(guò)大造成的，冷機(jī)時(shí)ESR比較大，熱機(jī)時(shí)ESR比較小，開關(guān)電流在ESR上形成開關(guān)電壓，它會(huì)壓在一個(gè)電流LN線間流動(dòng)，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。6、測(cè)試150kHz總超標(biāo)的解決方案：加大X電容看一下能不能下來(lái)，如果下來(lái)了說(shuō)明是差模干擾。如果沒有太大作用那么是共模干擾，或者把電源線在一個(gè)大磁環(huán)上繞幾圈， 下來(lái)了說(shuō)明是共模干擾。如果干擾曲線后面很好，就減小Y電容，看一下布板是否有問(wèn)題，或者就在前面加磁環(huán)。7、可以加大PFC輸入部分的單繞組電感的電感量。8、PWM線路中的元件將主頻調(diào)到60kHz左右。9、用一塊銅皮緊貼在變壓器磁芯上。10、共模電感的兩邊感量不對(duì)稱，有一邊匝數(shù)少一匝也可引起傳導(dǎo)150kHz-3MHz超標(biāo)。11、一般傳導(dǎo)的產(chǎn)生有兩個(gè)主要的點(diǎn)：200kHz和20MHz左右，這幾個(gè)點(diǎn)也體現(xiàn)了電路的性能;200kHz左右主要是漏感產(chǎn)生的尖刺;20MHz左右主要是電路開關(guān)的噪聲。處理不好變壓器會(huì)增加大量的輻射，加屏蔽都沒用，輻射過(guò)不了。

12、將輸入BUCk電容改為低內(nèi)阻的電容。13、對(duì)于無(wú)Y-CAP電源，繞制變壓器時(shí)先繞初級(jí)，再繞輔助繞組并將輔助繞組密繞靠一邊，后繞次級(jí)。14、將共模電感上并聯(lián)一個(gè)幾k到幾十k電阻。15、將共模電感用銅箔屏蔽后接到大電容的地。16、在PCB設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將共模電感和變壓器隔開一點(diǎn)以免互相干擾。17、保險(xiǎn)套磁珠。18、三線輸入的將兩根進(jìn)線接地的Y電容容量從2.2nF減小到471。19、對(duì)于有兩級(jí)濾波的可將后級(jí)0.22uFX電容去掉（有時(shí)前后X電容會(huì)引起震蕩） 。20、對(duì)于π型濾波電路有一個(gè)BUCk電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對(duì)傳導(dǎo)150kHz-2MHz的L通道有干擾，改良方法是將此電容用銅泊包起來(lái)屏蔽接到地，或者用一塊小的PCB將此電容與變壓器和PCB隔開?；蛘邔⒋穗娙萘⑵饋?lái)， 也可以用一個(gè)小電容代替。21、對(duì)于π型濾波電路有一個(gè)BUCk電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對(duì)傳導(dǎo)150kHz-2MHz的L通道有干擾，改良方法是將此電容用一個(gè)1uF/400V或者說(shuō)0.1uF/400V電容代替， 將另外一個(gè)電容加大。22、將共模電感前加一個(gè)小的幾百uH差模電感。23、將開關(guān)管和散熱器用一段銅箔包繞起來(lái)，并且銅箔兩端短接在一起，再用一根銅線連接到地。24、將共模電感用一塊銅皮包起來(lái)再連接到地。25、將開關(guān)管用金屬套起來(lái)連接到地。26、加大X2電容只能解決150kHz左右的頻段，不能解決20MHz以上的頻段，只有在電源輸入加以一級(jí)鎳鋅鐵氧體黑色磁環(huán)，電感量約50uH-1mH。27、在輸入端加大X電容。28、加大輸入端共模電感。29、將輔助繞組供電二極管反接到地。30、將輔助繞組供電濾波電容改用瘦長(zhǎng)型電解電容或者加大容量。31、加大輸入端濾波電容。32、150kHz-300kHz和20MHz-30MHz這兩處傳導(dǎo)都不過(guò)，可在共模電路前加一個(gè)差模電路。也可以看看接地是否有問(wèn)題，該接地的地方一定要加強(qiáng)接牢，主板上的地線一定要理順，不同的地線之間走線一定要順暢不要互相交錯(cuò)的。33、在整流橋上并電容，當(dāng)考慮共模成分時(shí)，應(yīng)該鄰角并電容，當(dāng)考慮差模成分時(shí)，應(yīng)該對(duì)角并電容。34、加大輸入端差模電感。

2、產(chǎn)品電磁兼容騷擾源有：

1、設(shè)備開關(guān)電源的開關(guān)回路：騷擾源主頻幾十kHz到百余kHz，高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。 2、設(shè)備直流電源的整流回路：工頻線性電源工頻整流噪聲頻率上限可延伸到數(shù)百kHz；開關(guān)電源高頻整流噪聲頻率上限可延伸到數(shù)十MHz。 3、電動(dòng)設(shè)備直流電機(jī)的電刷噪聲：噪聲頻率上限可延伸到數(shù)百M(fèi)Hz。 4、電動(dòng)設(shè)備交流電機(jī)的運(yùn)行噪聲：高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。 5、變頻調(diào)速電路的騷擾發(fā)射：開關(guān)調(diào)速回路騷擾源頻率從幾十kHz到幾十MHz。 6、設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)切換的開關(guān)噪聲：由機(jī)械或電子開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的噪聲頻率上限可延伸到數(shù)百M(fèi)Hz。7、智能控制設(shè)備的晶振及數(shù)字電路電磁騷擾：騷擾源主頻幾十kHz到幾十MHz，高次諧波可延伸到數(shù)百M(fèi)Hz。8、微波設(shè)備的微波泄漏：騷擾源主頻數(shù)GHz。 9、電磁感應(yīng)加熱設(shè)備的電磁騷擾發(fā)射：騷擾源主頻幾十kHz，高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。 10電視電聲接收設(shè)備的高頻調(diào)諧回路的本振及其諧波：騷擾源主頻數(shù)十MHz到數(shù)百M(fèi)Hz，高次諧波可延伸到數(shù)GHz。11、信息技術(shù)設(shè)備及各類自動(dòng)控制設(shè)備的數(shù)字處理電路：騷擾源主頻數(shù)十MHz到數(shù)百M(fèi)Hz（經(jīng)內(nèi)部倍頻主頻可達(dá)數(shù)GHz），高次諧波可延伸到十幾GHz。

編輯：黃飛