的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的熱量，需要更大的散熱器。不幸的是，這增加了系統成本、重量和解決方案總尺寸，這在空間受限的應用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有優于硅MOSFET的多種優勢
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高，這種外部電感會導致接地反彈增加［4］。 增強型氮化鎵晶體管采用晶圓級芯片級封裝 （WLCSP），端子采用焊盤柵格陣列 （LGA） 或球柵陣列 （BGA） 格式。其中一些器件不提供單獨
2023-02-24 15:15:04
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率，從而遠遠超過硅MOSFET產品。 GaN可以為您做什么 根據應用的不同，高效率的高頻開關可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經濟高效的替代品，并成為實現新一代高功率超小型功率模塊的關鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
硅的限制，因此無法在單個硅功率FET中提供所有這些功能。寬帶隙功率晶體管（如GaN和碳化硅（SiC））有望在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率，從而遠遠超過硅MOSFET產品。
GaN可以為您做什么
2019-03-14 06:45:11
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65歲PAE（％） 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常規芯片FHC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
電機逆變器功率開關的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業“主力”開關速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關損耗
2023-06-16 11:31:56
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率
2018-11-05 09:51:35
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，問題來了，怎么解決高昂的價格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強的化學鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
和醫療應用。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN-on-Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1004產品特性頻率范圍：30 - 1200 MHz輸出功率（p3db）：40 W在1 GHz線性增益：20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號：TGF2040產品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應用。產品型號：TGF2160產品名稱：砷化鎵晶體管TGF2160產品特性頻率范圍：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號: TGF2977-SM產品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
增加了半導體和其他電子產品的數量以及所需的電池功率。理論上，這意味著更多的重量和更高的成本。一般而言，隨著總線電壓的增加，硅晶體管開關的成本會更高，這與汽車電氣化的要求是相反的。此外，一些新的車載系統的性能
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的絕緣失效電場強度，以及3.3 MV/cm的氮化鎵。通常，在低頻工作時，其功率損耗是絕緣失效電場的3倍，而在高頻時則是2
2023-02-23 15:46:22
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝，晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當前容量根據目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
法，使用氨而不是更常見的氮來減少氮化鎵晶體管在高溫退火過程中的表面損傷（見圖4）。我們通過優化離子能量、劑量、活化退火熱預算和金屬退火后熱預算，實現了注入區在良好歐姆接觸和方阻方面都有優良的結果（見表2
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
的微小變化非常敏感。由于這個原因，達林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達林頓專為光敏電路而設計。 輸出側通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管，它可以控制電機，電源逆變器和其他大電流設備。中等功率
2023-02-16 18:19:11
鎵充電器可謂吸引了全球眼球，小巧的體積一樣可以實現大功率輸出，比APPLE原廠30W充電器更小更輕便。[color=rgb(51, 51, 51) !important]將內置氮化鎵充電器與傳統充電器
2019-07-08 04:20:32
鎵技術作為III-V族化合物半導體，氮化鎵(GaN) 具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數小、導電性能好的特點，用其制作成的氮化鎵晶體管(GaN FET)具有導通電阻小、結電容小和頻率高的優點，因此
2019-03-14 06:45:08
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
使用正確的電路拓撲和正確的組件選擇，才可以實現理想的效率。為了提高效率，逆變器正在增加使用寬帶隙材料制成的晶體管，例如GaN或SiC。問題在于：這些技術比使用硅基組件昂貴得多。因此，具有成本效益的系統需要進行電路設計創新，在使用硅基組件的同時實現最大程度的效率。
2019-07-18 06:21:14
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選用功率
2021-05-13 07:10:20
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
氮化鎵技術是功率級的真正推動者，如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當柵極驅動器與晶體管具有相同程度的性能和創新時，才能獲得GaN的最大性能和優勢。經過多年的研發，MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
MOS管對向串聯來實現電池關斷的，因為硅MOS管內部存在體二極管，只能控制充電方向或者放電方向的關閉，無法徹底關斷電路，所以需要使用兩顆對向串聯來使用。氮化鎵鋰電保護板應用可以說是有鋰電池的地方就離不開
2023-02-21 16:13:41
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
達到應有的知名度。許多碳化硅和氮化鎵制造商以級聯碼形式提供JFET，但這僅在橋式電路中有意義。在級聯中下部晶體管，即標準的低壓MOSFET，決定了性能，上部晶體管幾乎可以是任何。 對于單個開關
2023-02-20 16:40:52
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
。由于成本下降，可再生能源系統的使用正在世界范圍內擴大。這些系統需要將直流電源轉換為電網同步的交流電源。目前，實現這項任務的逆變器是用分立晶體管設計制造的。TowerJazz半導體公司
2021-11-11 09:29:38
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
IGBT 是一種功率開關晶體管，它結合了 mosfet 和 bjt 的優點，用于電源和電機控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡稱為 IGBT，是傳統雙極性晶體管晶體管和場效應晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
工作的晶體管而言，這是一個非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級變電站設備、醫學成像用的高能光子發生器以及電動汽車和工業電機驅動器的功率逆變器中。在這類應用中，氧化鎵有一個天然優勢。在這些頻率下，優值
2023-02-27 15:46:36
的功率損耗有關，這會影響熱性能，進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開發，減少功率損耗的需求將繼續存在，特別是隨著每輛車電機數量的增加以及卡車向純電動汽車的遷移。牽引逆變器傳統上
2022-11-02 12:02:05
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