顯示技術從1080P，演變到4K，再到8K 世代，再隨著面板尺寸擴大，對于更高的解析度、輕薄化、高動態HDR 的顯示需求也逐步提升。

此外，面板的顯示技術也漸漸從傳統背光走向自主發光模式，而LED 技術領域的鉆研成為目前市場主流方向。

由于LED能搭配軟性面板，達到與OLED抗衡的曲面顯示，甚至是透明顯示技術，再加上OLED目前的可靠性與使用壽命均有缺陷，使得Mini LED與Micro LED應運而生。

LED與大多技術滲透趨勢類似，隨新技術成熟度提升，及成本下降之下，終端產品的應用也愈來愈多。此外，LED顯示技術也開始朝向小間距發展，創造更多元的應用。

隨著產品技術不斷改善，研發技術持續升級，LED點間距已經可以做到1mm以下的小間距產品。

依照業內普遍共識，點間距在2.5mm以下的LED顯示器即可定義為小間距。至于Micro LED則要求間距小于0.01mm，且晶片尺吋小于0.05mm，而Mini LED的間距要求與晶片尺吋則介于小間距LED與Micro LED之間。

小間距LED

近年來，小間距LED的間距逐步縮小，從平均10mm向2mm以下前進，進而開始與DLP、LCD螢幕競爭室內顯示器市場。而隨著LED晶片因晶片工藝精進，與MOCVD設備瓶頸突破后，成本快速下滑，其最終產品價格已至降至DLP 螢幕之下。

資料來源：利亞德

至于全球市場模規方面，根據OFweek產業研究院資料顯示，2017年全球小間距LED顯示螢幕市場規模超過10億美元，預計2020年將逼近18億美元。從區域分布看，亞太地區為比重最高的市場約50％～60％，其次為北美、歐洲地區。

然而小間距LED還是有其物理上的技術限制，因此對于更小間距的消費應用市場，就留給Mini LED、Micro LED發揮。

Micro LED

在蘋果曾表示未來旗下各類消費性產品的顯示技術將采用Micro LED，而Micro LED立即成為當紅炸子雞。

Micro LED是LED產業的延伸，在LED晶片制造環節與傳統技術具備相似性，同樣需要外延片、RGB 三色晶粒與組裝。

Micro LED 雖然前段制程與面板、IC 電路相似，但多了一項巨量轉移制程。而目前Micro LED量產最大難關就是在此環節上。

因為Micro LED基板主要是電流驅動的TFT結構，而將數以萬計的LED晶片轉移至TFT基板上（巨量轉移過程），就是目前各廠所面臨的良率及效率的嚴峻考驗。

若要達到商用化程度，Micro LED巨量轉移良率必須達到99.9999％。若以一臺4K UHD面板為列，其含有3840＊2160圖元，轉化為彩色Micro LED晶片將超過24，800，000顆。

如果只以99.99％良率計算，一臺4K 顯示器上的不合格晶片將高達2488.32顆，如果是99.9999％的良率，只會有2.49顆不合格晶片。由此可以看出目前各廠面對這座巨大技術高墻暫時難以突破。

不過，即使Micro LED良率問題無法有效改善，但Yole還是認為今年Micro LED應用將可在小尺吋市場中見到身影，特別是穿戴式消費性電子，隨后在2021年開始滲透至智慧手機與電視領域，而智慧手機將是Micro LED顯示技術運用最大的領域。

Mini LED

Mini LED作為小間距LED與Micro LED的過渡應用，其優勢在于Mini LED背光能夠利用已有的LCD技術基礎，結合成熟的RGB LED技術，將產品推出的周期縮短。

以生產環節看，Mini LED目前雖然在中期階段，但面臨的困難不像Micro LED難以突破。不過要順利推動還是需要外延片、晶片、封裝、基板、TFT 背板、驅動IC 與設備廠商等共同努力。

LEDinside指出，Mini LED未來可能的發展方向，涵蓋電視、手機、車用面板、顯示幕等，預估2023年整體Mini LED產值將達到10億美元，其中LED顯示螢幕及大尺吋電視等，將是Mini LED應用的主流。