雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器是一種電子器件，用于在不同電壓邏輯電平之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。它可以將一個(gè)邏輯電平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)邏輯電平，從而確保在不同電壓環(huán)境下的設(shè)備之間能夠正常通信和協(xié)作。
2024-02-19 16:54:00
465 
48VPOE開關(guān)電源適配器測試電壓應(yīng)力，開機(jī)及正常工作電壓應(yīng)力沒有問題，測試輸出短路時(shí)IC電壓應(yīng)力峰值高達(dá)700V，IC內(nèi)置MOS耐壓650V，試了不同IC也是有這種情況，怎樣才能把短路電壓應(yīng)力降低一些？附：短路時(shí)電壓應(yīng)力圖
2021-12-01 07:59:25
提升導(dǎo)通能量，當(dāng)柵極電阻降低時(shí)，導(dǎo)通能量也隨之降低。圖2 Eon和Rg的關(guān)系曲線當(dāng)橫跨柵極電阻器的壓降超過了半橋轉(zhuǎn)換器上MOSFET的閾值電壓，就會(huì)發(fā)生寄生導(dǎo)通，即米勒效應(yīng)。此時(shí)，反向恢復(fù)能量（Err
2019-07-09 04:20:19
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評価
2018-11-27 16:40:24
-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評価編絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點(diǎn) 所謂隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點(diǎn) 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
希望一種器件就能滿足其所 有應(yīng)用要求，從而簡化 BOM 并降低成本。利用多電平轉(zhuǎn)換器很容 易達(dá)到 1500 VDC以上的高工作電壓（例如大規(guī)模儲能使用2000 VDC）， 此類電壓對于為安全而實(shí)施
2018-10-30 11:48:08
分為三大類：開關(guān)的驅(qū)動(dòng)，組合電源的正確選擇，以及功率轉(zhuǎn)換器環(huán)路的正確控制。[color=rgb(51, 51, 51) !important]在SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方面，工程師需要考慮新的問題，比如
2019-07-16 23:57:01
節(jié)能課題。以低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器為例，隨著移動(dòng)技術(shù)的發(fā)展，超過90 %的轉(zhuǎn)換效率是很正常的，然而高電壓、大電流的AC/DC轉(zhuǎn)換器的效率還存在改善空間。眾所周知，以EU為主的相關(guān)節(jié)能指令強(qiáng)烈要求電氣
2018-11-29 14:35:23
簡介 在過去的幾十年中，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來改善基于硅MOSFET（parasitic parameters），以滿足開關(guān)轉(zhuǎn)換器（開關(guān)電源）設(shè)計(jì)人員的需求。行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)以及市場對效率
2023-03-14 14:05:02
摘要Type II 補(bǔ)償器通常用于電流模式控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換器回授電路，一般可獲得良好的線電壓與負(fù)載調(diào)節(jié)及瞬時(shí)響應(yīng)。然而當(dāng)工作點(diǎn)（如輸入電壓或負(fù)載電流）改變，原設(shè)計(jì)的補(bǔ)償器可能會(huì)有穩(wěn)定度變差，或相位裕度
2019-07-23 07:27:19
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
您可能會(huì)把模數(shù)轉(zhuǎn)換器或者數(shù)模轉(zhuǎn)換器缺少輸出穩(wěn)定性的原因歸咎于實(shí)際轉(zhuǎn)換器本身。但其實(shí)轉(zhuǎn)換器周圍的電壓參考才是真正的罪魁禍?zhǔn)?。我們將圍繞電壓參考如何改變轉(zhuǎn)換器性能作介紹？
2021-04-07 06:33:14
等于輸入，同時(shí) 或 的輸出又變?yōu)楦?b class="flag-6" style="color: red">電平。另外 和 輸出的脈沖信號又控制符號觸發(fā)器置位或清零，指出方向。 表示正向， 表示反向。圖5--32是電壓頻率轉(zhuǎn)換的波形圖。電壓頻率轉(zhuǎn)換器的輸出一方面作為工作臺
2009-05-07 00:07:34
和SiC-MOSFET：SCT2H12NZ的隔離型準(zhǔn)諧振AC/DC轉(zhuǎn)換器示例下一篇文章計(jì)劃介紹用于設(shè)計(jì)的電源IC和準(zhǔn)諧振類型。關(guān)鍵要點(diǎn):?準(zhǔn)諧振方式的隔離型AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例。?功率開關(guān)中使用SiC-MOSFET。
2018-11-27 17:03:34
電壓。 該款 IC 的基本構(gòu)建塊集成了多個(gè)組件，如線性穩(wěn)壓器、RC 振蕩器、電壓電平轉(zhuǎn)換器以及四個(gè)功率 MOS 開關(guān)。為實(shí)現(xiàn)無閉鎖 (latch-up-free) 的操作，電路會(huì)自動(dòng)感測該器件最負(fù)極
2009-10-28 14:46:23
雖然大多數(shù)制造商已在電路中使用采購的開關(guān)模式電源，但他們通常對于在設(shè)計(jì)中使用第三方 DC/DC 轉(zhuǎn)換器仍然有所遲疑。其中有兩個(gè)主要原因：一方面是 DC/DC 轉(zhuǎn)換器以低直流電源工作，屬于相對簡單
2018-12-03 09:53:40
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
電路。MDQ500-16-ASEMI單相整流模塊也可以用在開關(guān)電源中，那么MDQ500-16在開關(guān)電源中有什么作用呢？ MDQ500-16參數(shù)描述型號：MDQ500-16封裝：M34特性：單相整流模塊電性
2021-08-26 16:54:15
用于電壓轉(zhuǎn)換的每個(gè)開關(guān)模式穩(wěn)壓器都會(huì)引起干擾。在電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端和輸出端，有一部分是通過線傳輸?shù)?，但也有一部分是輻射的。這些干擾主要是由快速開關(guān)的邊緣引起的。
2019-08-02 07:14:00
場效應(yīng)晶體管。拓?fù)淙鐖D2所示采用諧振技術(shù)，利用變壓器的磁化電感（LM）和漏電感（LK）的諧振加上小的輸出電容（CO）來實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），限制關(guān)閉電流，消除體二極管導(dǎo)通。圖2：高頻總線轉(zhuǎn)換器在高頻
2019-04-04 06:20:39
不同性能的電平轉(zhuǎn)換器，有雙向和單相配置、不同電壓轉(zhuǎn)換和不同速度的，用戶根據(jù)需要選擇最好的方案。器件間板級通信(如MCU到外設(shè))往往靠SPI或I2C.對于SPI，采用單向電平轉(zhuǎn)換器是合適的，而對于I2C
2018-09-30 16:26:58
圍向接地。該電壓可通過輔助繞組的匝數(shù)比 （NA/NP）傳感。當(dāng)控制器觀察到變壓器失電，就可增加t5延遲來實(shí)現(xiàn)谷值開關(guān)。注意，圖4 中的波形只是一個(gè)截圖，此時(shí)轉(zhuǎn)換器工作在近臨界傳導(dǎo)狀態(tài)下，正在進(jìn)行谷值
2018-10-09 14:20:15
為什么應(yīng)該在SEPIC轉(zhuǎn)換器中使用耦合電感？
2024-02-06 06:58:00
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時(shí)，也帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢?，所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
摘要 本文介紹了碳化硅（SiC）器件在高頻率 LLC 諧振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。此類轉(zhuǎn)換器可用于母線轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電機(jī)、服務(wù)器電源和儲能系統(tǒng)。在開關(guān)頻率較高的情況下，LLC 變壓器
2023-02-27 14:02:43
降低轉(zhuǎn)換器效率，并會(huì)導(dǎo)致不可接受的熱應(yīng)力。與基于電感的傳統(tǒng)降壓型轉(zhuǎn)換器相比，開關(guān)式電容轉(zhuǎn)換器 (電荷泵) 可顯著提高效率并縮小解決方案尺寸。在電荷泵中，采用飛跨電容代替電感以存儲能量并將其從輸入端傳遞到
2020-10-27 07:58:39
IC比預(yù)想中更易于使用? 開關(guān)穩(wěn)壓器的優(yōu)點(diǎn)? 制作DCDC轉(zhuǎn)換器電路? 正確使用三端穩(wěn)壓器和開關(guān)IC? 總結(jié)使用開關(guān)穩(wěn)壓器制作DCDC轉(zhuǎn)換器開關(guān)穩(wěn)壓器IC是一種電源IC，可從某一直流電壓中獲取所需電壓
2022-07-27 11:20:39
方法，由于平均電流和飽和電流更低，電感和電感器體積都大大減小。 輸出紋波電壓輸出濾波器級中的紋波電流抵消可帶來比單相轉(zhuǎn)換器更低的輸出電容器紋波電壓。這就是多相轉(zhuǎn)換器為什么是首選的原因。方程式 1
2018-09-19 11:43:05
引言對于電流在 25 A 左右的低壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而言，單相降壓控制器非常有效。若電流再大的話，功耗和效率就開始出現(xiàn)問題。一種較好的方法是使用多相降壓控制器。本文將簡單比較，使用多相降壓轉(zhuǎn)換器和單相
2022-11-23 06:04:49
減小?！ ≥敵黾y波電壓 輸出濾波器級中的紋波電流抵消可帶來比單相轉(zhuǎn)換器更低的輸出電容器紋波電壓。這就是多相轉(zhuǎn)換器為什么是首選的原因。方程式 1 和方程式 2 計(jì)算出了每個(gè)電感中所抵消的紋波電流百分比
2018-11-26 16:52:21
裝置機(jī)器人商用空調(diào)工業(yè)用照明（路燈等）內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品陣容產(chǎn)品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作溫度范圍
2022-07-27 11:00:52
了約22%。橙色部分表示開關(guān)損耗，降低的損耗大部分是開關(guān)損耗。在30kHz條件下，首先是IGBT的開關(guān)損耗大幅增加。眾所周知，這是IGBT高速開關(guān)所面對的課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗雖然也有
2018-11-27 16:37:30
三電平(ThreeLevel，TL)整流器是一種可用于高壓大功率的PWM整流器，具有功率因數(shù)接近1，且開關(guān)電壓應(yīng)力比兩電平減小一半的優(yōu)點(diǎn)。文獻(xiàn)[1]及[2]提到一種三電平Boost電路，用于對整流橋
2012-12-27 16:57:40
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
電容器和一個(gè)二極管實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電壓的充分利用，以產(chǎn)生一個(gè)負(fù)輸出。一個(gè)耦合電容器 C5 在停機(jī)期間增添了輸入至輸出斷接功能，這與 CUK 轉(zhuǎn)換器是相似的。圖 2：–120V 負(fù)輸出轉(zhuǎn)換器圖 3 示出了一個(gè)
2018-08-23 14:22:18
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
描述在輸入電壓范圍為 9V 至 18V，電流為 12A 時(shí)，該汽車單相同步降壓轉(zhuǎn)換器可提供 3.3V 電壓。短時(shí)間運(yùn)行的擴(kuò)展輸入電壓范圍為 4.5V 至 32V。主要特色高效率緊湊的尺寸低輸入和輸出電壓紋波
2018-09-30 09:19:55
輸入電壓為較高的48 V時(shí)MOSFET開關(guān)損耗將增加。新方法新的創(chuàng)新型控制器設(shè)計(jì)方法將一個(gè)開關(guān)電容轉(zhuǎn)換器與一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合起來。開關(guān)電容電路將輸入電壓降低2倍，然后饋入同步降壓轉(zhuǎn)換器。這種技術(shù)先將
2018-10-23 11:46:22
降低整個(gè)轉(zhuǎn)換器的可靠性。然后，這一問題在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中翻了一番，因?yàn)樗袃蓚€(gè)階段――降壓和升壓。當(dāng)設(shè)計(jì)人員直接將降壓轉(zhuǎn)換器的電路參數(shù)復(fù)制到4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的升壓段時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤。隨著這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。
2020-10-30 09:04:18
。隨著這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2019-07-16 06:44:27
電壓為較高的48 V時(shí)MOSFET開關(guān)損耗將增加?！ ⌒路椒ā ⌒碌膭?chuàng)新型控制器設(shè)計(jì)方法將一個(gè)開關(guān)電容轉(zhuǎn)換器與一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合起來。開關(guān)電容電路將輸入電壓降低2倍，然后饋入同步降壓轉(zhuǎn)換器。這種
2018-12-03 10:58:08
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣吖β拭芏?，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?！ C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡介 在許多應(yīng)用中，較高的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉(zhuǎn)換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統(tǒng)成本。此外，次級側(cè)整流器可實(shí)現(xiàn)零電流轉(zhuǎn)換，大大減少了反向恢復(fù)損耗。利用LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的各項(xiàng)優(yōu)勢，可進(jìn)一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
。 LLC 轉(zhuǎn)換器和二極管類型 LLC是一種常用拓?fù)?，可為初級?cè)橋晶體管提供零電壓開關(guān)，如圖1所示。它允許使用高開關(guān)頻率，同時(shí)保持出色的效率水平，因?yàn)槌跫塎OSFET中的開關(guān)損耗最小。在次級側(cè)，輸出
2023-02-21 16:27:41
工程界普遍認(rèn)為，當(dāng)升壓轉(zhuǎn)換器必須提供高輸出電壓、在低輸入電壓下工作、提供高升壓比或支持高負(fù)載電流時(shí)，需使用多相位功能。相比單相位設(shè)計(jì)，多相位升壓設(shè)計(jì)有多項(xiàng)優(yōu)勢，包括：提高效率、改善瞬態(tài)響應(yīng)，以及降低
2020-09-30 09:27:31
工程界普遍認(rèn)為，當(dāng)升壓轉(zhuǎn)換器必須提供高輸出電壓、在低輸入電壓下工作、提供高升壓比或支持高負(fù)載電流時(shí)，需使用多相位功能。相比單相位設(shè)計(jì)，多相位升壓設(shè)計(jì)有多項(xiàng)優(yōu)勢，包括：提高效率、改善瞬態(tài)響應(yīng)，以及降低
2022-07-01 09:34:22
開關(guān)轉(zhuǎn)換器包括無源器件，如電阻器、電感、電容器，也包括有源器件，如功率開關(guān)。當(dāng)您研究一個(gè)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，這大多數(shù)器件都被認(rèn)為是理想的：當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，它們不會(huì)降低兩端的電壓，電感不具有電阻損耗等特性
2020-10-28 07:28:36
假設(shè)您有一個(gè) SiC 晶體管應(yīng)用，它需要大約 +15V 的正柵極驅(qū)動(dòng)電壓和大約 -4V 的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓，以獲得最佳性能和最低開關(guān)損耗（圖 1）。您查看制造商的數(shù)據(jù)表，發(fā)現(xiàn)具有這種特殊非對稱輸出電壓組合的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器不作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品存在。你能做什么？
2022-04-12 17:23:13
實(shí)際電池電壓調(diào)整直流母線電壓 （380-425V）。這是為了幫助DC/DC轉(zhuǎn)換器以較小的增益范圍工作。為了在功率密度、效率、熱性能和傳導(dǎo)EMI之間取得平衡，圖騰柱PFC的高頻半橋Q1和Q3的開關(guān)頻率
2023-02-27 09:44:36
描述該參考設(shè)計(jì)是一種寬輸入電壓范圍的 SEPIC 轉(zhuǎn)換器，使用經(jīng)濟(jì)高效的分立啟動(dòng)電路提供高達(dá) 30W 的連續(xù)輸出功率，可提供高達(dá) 80V 的輸入。另一個(gè)分立 UVLO 電路可防止低輸入電壓下的大輸
2022-09-16 07:05:21
描述PMP21274 是采用 LM5112 控制器的單相升壓轉(zhuǎn)換器。此參考設(shè)計(jì)的輸入工作電壓為 12V 至 50V。此設(shè)計(jì)具有 54V 輸出，能夠提供 2.5A 持續(xù)電流。LM5112 具有旁路功能
2018-10-14 11:38:38
隨著相位增多而提高，交錯(cuò)操作會(huì)顯著降低輕載效率。因此，與單相轉(zhuǎn)換器相比，交錯(cuò)式多相轉(zhuǎn)換器具有更高的重載效率，但輕載效率則較低。轉(zhuǎn)換器的效率為（公式3）：[img][/img] 對于單相轉(zhuǎn)換器，空載
2011-07-14 08:52:28
。ALD4213模擬開關(guān)內(nèi)部的集成電平轉(zhuǎn)換器和邏輯門提供邏輯轉(zhuǎn)換，可將單個(gè)5V輸入轉(zhuǎn)換為±5V邏輯擺幅。該電路在時(shí)鐘控制下閉合兩個(gè)開關(guān)S 1和S 4。在一個(gè)時(shí)鐘周期的前半部分，C 1充電至等于輸入電壓V
2020-06-03 13:57:17
求推薦一個(gè)最低電壓1.3V，400MHZ以上的電平轉(zhuǎn)換器
2020-06-27 14:46:16
來減小電感器尺寸，但是這會(huì)降低轉(zhuǎn)換器效率，因?yàn)榕c開關(guān)相關(guān)的損耗會(huì)導(dǎo)致不可接受的熱應(yīng)力。與傳統(tǒng)的基于電感的降壓轉(zhuǎn)換器相比，開關(guān)電容轉(zhuǎn)換器（電荷泵）可顯著提高效率并縮小解決方案尺寸。在電荷泵中，使用飛跨
2019-04-16 18:27:07
用戶選擇四種不同的運(yùn)作模式。它由四個(gè)級聯(lián)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的單相象限組成，包括四個(gè)開關(guān)、一個(gè)電感器和兩個(gè)電容器。根據(jù)不同電子開關(guān)的功能，電路可以降低或升高輸入電壓。開關(guān)組件由碳化硅(SiC
2021-07-13 07:30:00
用戶選擇四種不同的運(yùn)作模式。它由四個(gè)級聯(lián)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的單相象限組成，包括四個(gè)開關(guān)、一個(gè)電感器和兩個(gè)電容器。根據(jù)不同電子開關(guān)的功能，電路可以降低或升高輸入電壓。開關(guān)組件由碳化硅(SiC
2022-04-15 14:51:38
連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）反激式轉(zhuǎn)換器通常用于中等功率隔離應(yīng)用。與非連續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）操作相比，CCM操作的特點(diǎn)是峰值開關(guān)電流更低，輸入和輸出電容更小，EMI更低，工作占空比范圍更窄。這些優(yōu)點(diǎn)以及
2018-09-12 09:19:55
降低了工作占空比，從而實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，更小的元件尺寸和更低的FET電壓。降低的占空比還可以提供更多的控制器選擇，這些控制器以前在傳統(tǒng)的升壓轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)時(shí)無法以足夠高的占空比工作。
2020-08-10 14:27:34
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
設(shè)計(jì)一個(gè)簡易的AD轉(zhuǎn)換器的采樣保持電路，要求采樣方波的上升沿采樣，高電平保持，低電平時(shí)歸零。該如何設(shè)計(jì)模擬開關(guān)呢？
2023-10-25 12:07:38
相工作是透明的。所有 4 相的限流值和開關(guān)頻率都可以非常容易地用單個(gè)電阻編程，就像在單相設(shè)計(jì)中一樣。類似地，輸出電壓設(shè)置和環(huán)路補(bǔ)償與其它熟悉的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)也沒有不同。這種類型 POL
2019-05-13 14:11:41
SiC-MOSFET用作開關(guān)的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計(jì)中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設(shè)計(jì)中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C
2018-11-27 16:54:24
。這對于優(yōu)化CLLC轉(zhuǎn)換器的效率非常重要，尤其是在高頻下。直流母線最大電壓為425V，電池為450V。考慮到降額可靠性要求，在OBC應(yīng)用中最好使用650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)（POL）電源？效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載
2021-12-14 07:00:00
`DC/DC轉(zhuǎn)換器是利用MOSFET開關(guān)閉合時(shí)在電感器中儲能，并產(chǎn)生電流。當(dāng)開關(guān)斷開時(shí)，貯存的電感器能量通過二極管輸出給負(fù)載。如下圖所示。所示三種變換器的工作原理都是先儲存能量，然后以受控方式釋放
2019-03-25 16:31:54
時(shí)的占空比通常限制在50%以下，并在每個(gè)開關(guān)周期復(fù)位變壓器磁芯。一般會(huì)用第三繞組實(shí)現(xiàn)磁通量復(fù)位。當(dāng)功率電平在200W以下時(shí)，通常使用單開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器。由于FET上的電壓應(yīng)力是輸入電壓、反射的變壓器電壓
2018-10-16 19:33:11
。隨著這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2018-10-30 09:05:44
有助于將晶體管保持在安全工作區(qū)域。圖3比較了恒流和折返限流兩種方案的VOUT與IOUT響應(yīng)曲線。與恒流限流相反，輸出電流(IOUT)的減小降低了功耗，從而降低了開關(guān)轉(zhuǎn)換器的熱應(yīng)力。圖3. 恒流和折返兩種
2018-10-23 11:46:36
開關(guān)轉(zhuǎn)換器包括無源器件，如電阻器、電感、電容器，也包括有源器件，如功率開關(guān)。當(dāng)您研究一個(gè)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，這大多數(shù)器件都被認(rèn)為是理想的：當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，它們不會(huì)降低兩端的電壓，電感不具有電阻損耗等特性
2019-08-07 08:19:32
處理器（例如ADSP-CM419F）完成。最后，利用高能效隔離式∑-?型轉(zhuǎn)換器（例如AD7403）檢測電壓，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的緊湊性。在Si IGBT到SiC MOSFET的過渡階段，必須考慮混合拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2018-10-22 17:01:41
。MOSFET不是邏輯電平，并且引腳DRVUV和DRVSET與INTVCC相連，以提供10V柵極驅(qū)動(dòng)。引腳VPRG1連接到INTVCC，以在第一個(gè)通道上選擇5V輸出電壓。圖2顯示了轉(zhuǎn)換器的效率。DC1998A
2019-10-25 09:59:35
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節(jié)省印刷電路板（PCB）空間，越來越多的高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在更高的開關(guān)頻率下工作。然而，隨著輸出電壓降至5V和更低，設(shè)計(jì)更快的開關(guān)高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
2019-07-16 23:54:06
= V drive Q g Fsw –較低的R DS（on）減小了傳導(dǎo)損耗，其中V drive是驅(qū)動(dòng)電壓，F(xiàn) sw是FET開關(guān)頻率。除了Q g和R DS（on）之外，在高頻轉(zhuǎn)換器中選擇組件時(shí)，考慮C
2022-05-11 10:17:28
= V drive Q g Fsw –較低的R DS（on）減小了傳導(dǎo)損耗，其中V drive是驅(qū)動(dòng)電壓，F(xiàn) sw是FET開關(guān)頻率。除了Q g和R DS（on）之外，在高頻轉(zhuǎn)換器中選擇組件時(shí)，考慮C
2022-05-25 10:08:50
零電壓開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)降低元器件電壓應(yīng)力
很多電源管理應(yīng)用文章都介紹過采用 ZVS(零電壓開關(guān))技術(shù)實(shí)現(xiàn)無損轉(zhuǎn)換的優(yōu)勢。為了實(shí)現(xiàn) ZVT(零電壓轉(zhuǎn)換)，漏－源電
2009-11-03 09:03:33787 
電平轉(zhuǎn)換器,電平轉(zhuǎn)換器原理和相關(guān)電路分析
在新一代電子電路設(shè)計(jì)中, 隨著低電壓邏輯的引入,系統(tǒng)內(nèi)部常常出現(xiàn)輸入/ 輸出邏輯不協(xié)
2010-03-24 14:41:148176 在于諧振電容吸收了開關(guān)管和續(xù)流二極管的結(jié)電容，諧振電感吸收了變壓器的漏感.使得功率器件的電壓應(yīng)力大大降低，負(fù)載范圍也變寬。
2016-05-11 14:54:56
4 本文提出一種零電壓零電流開關(guān)PWM復(fù)合式全橋三電平變換器，該變換器的一個(gè)橋臂為三電平橋臂，其開關(guān)管的電壓應(yīng)力為輸入電壓的一半，可在很寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)，可以選用 MOSFEI;另一個(gè)
2016-05-11 15:15:165 TXS0202是一個(gè)2位電壓電平轉(zhuǎn)換器，用于在芯片間USB（IC-USB）應(yīng)用中優(yōu)化。
2018-05-11 11:25:5810 開關(guān)電源（DC-DC轉(zhuǎn)換器）真的會(huì)降低模數(shù)轉(zhuǎn)換器的性能嗎？
2018-12-12 14:17:543793 新唐I2C電平轉(zhuǎn)換器家族產(chǎn)品提供I2C/SMBus接口雙向電壓電平的轉(zhuǎn)換，并同時(shí)提供高規(guī)格的ESD保護(hù)。
2019-11-19 09:40:541470 
隨著技術(shù)的進(jìn)步，設(shè)備必須繼續(xù)具有出色的性能和效率。盡管傳統(tǒng)的多電平轉(zhuǎn)換器 ( MLC ) 滿足了這些需求，但它們?nèi)匀恍枰罅康碾娏﹄娮?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)和支持電路，并且系統(tǒng)復(fù)雜，所有這些都會(huì)導(dǎo)致額外的成本和龐大的系統(tǒng)。本文討論了一種有效的 MLC 修改，它使用先進(jìn)技術(shù)來增強(qiáng)傳統(tǒng)類型的轉(zhuǎn)換器。
2022-07-29 09:54:29635 
和高功率應(yīng)用。2在這種配置中，總線電壓是平均分配的，這使我們可以使用低額定值的設(shè)備。在 NPC 轉(zhuǎn)換器中使用 SiC MOSFET 增加了高開關(guān)頻率和電荷密度的優(yōu)勢，但以設(shè)計(jì)問題為代價(jià)，因?yàn)樵?SiC 二極管 NPC (DNPC) 的情況下，內(nèi)部開關(guān)的器件電壓大于外部開關(guān)）。
2022-08-04 10:41:261532 
微控制器之間進(jìn)行 DATA、RST 和 CLK 信號轉(zhuǎn)換。高速電平轉(zhuǎn)換器可支持 B 類、C 類 SIM 卡，并支持未來的 IO 電壓為 1.2 V 的主機(jī)處理器。
2022-08-11 10:49:591752 本設(shè)計(jì)筆記展示了如何通過降低振蕩器頻率來提高電壓轉(zhuǎn)換器的效率。在20mA電壓轉(zhuǎn)換器上增加一個(gè)振蕩器電容可降低振蕩器頻率，從而在降低IO值時(shí)提高電壓轉(zhuǎn)換效率。采用 ICL7660 電荷泵。
2023-01-14 11:03:11882 
此前共用19個(gè)篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”，本文將作為該系列的最后一篇進(jìn)行匯總。該設(shè)計(jì)案例中有兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。一個(gè)是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論