值得關(guān)注的是,新型GDDR7內(nèi)存提供的容量選項(xiàng)亦更加多樣化,本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式,分別匹配2GB和3GB顯存容量。據(jù)JEDEC公布的數(shù)據(jù)顯示,未來(lái)GDDR7內(nèi)存的運(yùn)行速度有望提高到48Gbps
2024-03-21 15:35:41
64 此外,IT之家透露,谷歌預(yù)計(jì)在Pixel8a上沿用Pixel7a的8GB內(nèi)存配置,同時(shí)計(jì)劃在已有128GB容量的基礎(chǔ)上再增加256GB版本。
2024-03-11 10:45:40
134 據(jù)悉,現(xiàn)行GDDR6顯存每模塊采用8GB顯存容量,對(duì)此,@kopite7kimi援引內(nèi)部消息稱,英偉達(dá)即將發(fā)布的GeForce RTX 5090顯卡并無(wú)內(nèi)存翻倍的可能性。
2024-03-08 14:54:02
118 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45
158 
和204GB的NAND閃存,相較于2021年的水平,分別增長(zhǎng)3倍和4倍。這意味著汽車行業(yè)對(duì)存儲(chǔ)需求的大幅增長(zhǎng),將進(jìn)一步推動(dòng)車用存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到100億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)28%。
2024-02-02 15:41:13
241 江波龍,作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè),近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)之后,江波龍又成功推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash。這一
2024-02-01 15:04:05
277 巧。
合適的容量,提供128MB和512MB容量,后續(xù)推出1GB和4GB容量,可根據(jù)需求選擇。
簡(jiǎn)單易用,內(nèi)置壞塊管理、平均讀寫、EDC/ECC等功能,降低CPU負(fù)擔(dān),提高產(chǎn)品質(zhì)量和壽命。
長(zhǎng)壽命和穩(wěn)定性,SLC NAND具有最長(zhǎng)的使用壽命和性能穩(wěn)定性,擦寫壽命達(dá)到10萬(wàn)次。
2024-01-24 18:30:00
據(jù)分析師杰夫·普(Jeff Pu)公布的消息透露,即將來(lái)臨的新款iPhone 16及 iPhone 16 Plus均具備8GB運(yùn)行內(nèi)存,相比iPhone 15與iPhone 15 Plus搭載
2024-01-16 13:40:03
204 近日,海通國(guó)際技術(shù)分析師Jeff Pu透露,蘋果的下一代iPhone 16和iPhone 16 Plus機(jī)型將迎來(lái)重要的硬件升級(jí),配備8GB RAM,較前代的6GB RAM有所提升。這一改進(jìn)將進(jìn)一步提升iPhone的多任務(wù)處理性能,為用戶帶來(lái)更流暢的多任務(wù)操作體驗(yàn)。
2024-01-15 14:24:55
524 為什么低端獨(dú)立顯卡通常都標(biāo)配2GB的顯存? 低端獨(dú)立顯卡通常都標(biāo)配2GB的顯存,這是因?yàn)樵诘投?b class="flag-6" style="color: red">市場(chǎng)中,2GB的顯存已經(jīng)能夠滿足絕大多數(shù)用戶的需求。下面詳細(xì)解釋一下為什么低端獨(dú)立顯卡通常都標(biāo)配2GB
2024-01-09 14:14:45
150 標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)代碼,省去了驅(qū)動(dòng)代碼編程環(huán)節(jié)。支持TF卡啟動(dòng)的SOC都可以用SD NAND,提供STM32參考例程及原廠技術(shù)支持,主流容量:128MB/512MB/2GB/4GB/8GB,比TF卡穩(wěn)定,比
2024-01-05 17:54:39
對(duì)于DRAM業(yè)務(wù),這個(gè)公司的主要是低端市場(chǎng),如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品,且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā),以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線,推動(dòng)DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展,滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31
248 MP4@?MHz
內(nèi)存
長(zhǎng)鑫CXDQ3BFAM DDR4 1GB*4
海力士H5TQ4G63CFR DDR3 512MB*4
三星K4E8E324EBGCF LPDDR3 1GB*3(2+1)
佰維
2023-12-14 23:33:28
卡啟動(dòng)的 SOC 都可以用 SD NAND,提供 STM32 參考例程及原廠技術(shù)支持,容量:4GB,比 TF 卡穩(wěn)定,比 eMMC 便宜。
2 代碼說(shuō)明
宏定義使能 SD 卡功能
#define
2023-11-30 18:16:56
起初,兆易創(chuàng)新的重點(diǎn)主要集中在NOR Flash上,但隨著技術(shù)的演進(jìn)和市場(chǎng)的變化,其產(chǎn)品線逐漸從NOR擴(kuò)展到了NAND Flash,提供了從小容量到8GB的豐富選擇,以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2023-11-12 11:29:11
952 GB32兼容STM32的代碼嗎
2023-10-27 08:06:19
地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb的容量可選,我這里申請(qǐng)到的是兩片32Gb的芯片和測(cè)試板.
焊接后如下:
測(cè)試
2023-09-26 17:40:35
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:12
0 83495A Agilent 10 Gb/s 時(shí)鐘恢復(fù)模塊
連續(xù)數(shù)據(jù)速率:9.953 Gb/s至11.32 Gb/s
波長(zhǎng)范圍:750-860 nm或1000-1600 nm
提供光、電兩種輸入
2023-09-15 14:12:40
在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無(wú)需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
2023-09-01 10:14:29
560 一、SDNAND和NORFlashSDNAND和NORFlash在不同的方面都有著不同的優(yōu)劣勢(shì),SDNANDNORFlash成本SDNAND相對(duì)較便宜NORFlash相對(duì)較昂貴容量1Gb
2023-08-28 14:12:04
642 
由于stm32的漲價(jià),所以選擇了GB32f103替代,代碼基本可以套用,但是在操作flash上似乎有些區(qū)別,誰(shuí)知道GB32庫(kù)函數(shù)或者例程在哪里可以下載嗎
2023-08-16 08:17:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LightPulse HBA產(chǎn)品Line16Gb和8gb光纖通道HBA.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-15 10:29:04
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LightPulse LPe15004 8gb光纖通道HBAs.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-15 10:15:46
0 pSLC模式后,僅保存1bit數(shù)據(jù)。
二、各NAND FLASH的特點(diǎn)
MLC常用制程為15nm,擦寫次數(shù)約為3000次,改為pSLC模式后約為2萬(wàn)次。
三、pSLC的優(yōu)缺點(diǎn)
pSLC具有以下優(yōu)點(diǎn)
2023-08-11 10:48:34
+16)
TMC3568CBV1G
RK3568B2
2GB LPDDR4
16GB eMMC
TQ3568_COREB_V1.0核心板(商業(yè)級(jí),4+16)
TMC3568CB1G1
RK3568B2
4GB LPDDR4
16GB
2023-08-10 16:52:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LightPulse LPe1250 8gb光纖通道主機(jī)總線適配器的數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-09 11:10:08
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LightPulse 8Gb光纖通道固件發(fā)行說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-09 11:02:25
0 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24
762 單一配置,包括 2GB DDR4 SDRAM、128MB SPI NAND 和 8GB eMMC 用于存儲(chǔ)。此外,該板還包含一個(gè)開關(guān),因此設(shè)備可以從 NAND 或 eMMC 啟動(dòng)。
BPI-R3 迷你
2023-07-29 12:42:32
NVIDIA日前極為低調(diào)地推出了RTX 4060 Ti 16GB大顯存版本,價(jià)格達(dá)到了3899元起,相比于RTX 4060 Ti 8GB貴了足足700元。
2023-07-25 10:33:58
656 
P9243-GB 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:38:04
0 電池?cái)D壓針刺試驗(yàn)機(jī)用途:用于檢測(cè)針刺擠壓試驗(yàn)項(xiàng)目 技術(shù)規(guī)格要求:1 適用范圍、設(shè)備規(guī)格及要求1.1 適用標(biāo)準(zhǔn)電池?cái)D壓試驗(yàn)裝置符合GB 36267-2018、GB
2023-05-31 14:06:35
主板:帶 1GB RAM 的 iMX6 Quad
構(gòu)建環(huán)境:Yocto-Zeus
內(nèi)核:5.4
我正在使用帶有 x-wayland 的 iMX6 Quad 1GB 板。
我在啟動(dòng)時(shí)觀察到 220MB RAM 使用情況而沒有啟動(dòng)任何應(yīng)用程序。
我想減少 RAM 消耗。
可能的方法是什么?
2023-05-31 07:47:53
SPI系列(FM25)容量覆蓋512Mb~4Gb,溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為(FM29)容量覆蓋2Gb~8Gb,溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56
477 我需要幫助尋找用于 imx8m-plus 的替代可用 LPDDR4 6GB,因?yàn)橛糜陂_發(fā)板的 LPDDR4 不可用。
2023-05-09 07:33:34
Cortex-A53 64-bit SoC @ 1.4GHz
制程
22nm
28nm
GPU
ARM G52 2EE
Videocore-IV
NPU
1TOPS
無(wú)
運(yùn)行內(nèi)存
2GB/4GB
2023-05-06 15:48:19
請(qǐng)幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案?
2023-05-06 08:09:49
4GB。
我的問題:
1 - 我做錯(cuò)了什么嗎?
2 - 是否可以查看我的 RPA 電子表格?(壓力測(cè)試應(yīng)用程序日志、RPA 電子表格和示意圖隨附)
3 - MT53E1G32D2 是否已經(jīng)過 NXP 在 i.MX8QM 上的驗(yàn)證?
4 - 是否有任何其他經(jīng)過驗(yàn)證的 1Gb LPDDR4 部件號(hào)建議?
2023-05-04 06:39:14
地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb的容量可選,我這里申請(qǐng)到的是兩片32Gb的芯片和測(cè)試板.焊接后如下 測(cè)試過程申請(qǐng)樣品
2023-04-18 23:03:42
windows10.0-kb5019275-arm64_c6c2abc31137d43e762304bd1542ba413d2b8b9e.msu。評(píng)估時(shí)有什么注意事項(xiàng)嗎?否則請(qǐng)?jiān)?8MPLUSLPD4-EVK 中提供 BINARY 可用的 6GB。
2023-04-07 10:38:51
社會(huì):ls1043aDDR:MT40A2G8VA-062E:B,x5,4 個(gè)用于 8GB,1 個(gè)用于 ECC。我使用 CW 獲取配置文件: 我嘗試了兩個(gè)文件來(lái)生成 img他們都在 BL2 運(yùn)行時(shí)遇到問題:使用 (0-2GB) DDR 數(shù)據(jù)顯示不正確:(寫入≠讀取) 我該如何解決?謝謝
2023-04-07 06:44:48
SGMII 模式,并在交換機(jī)上進(jìn)行相同設(shè)置。要調(diào)試此問題,我們需要在處理器 fm1-gb0 端口上運(yùn)行 PRBS,請(qǐng)?zhí)峁┫嚓P(guān)文檔/寄存器來(lái)執(zhí)行相同操作。還有在 fm1-gb0 MAC 上啟用遠(yuǎn)程環(huán)回的任何程序嗎?
2023-04-03 08:14:38
=3072M 強(qiáng)制使用 3GB 的 ram 而不是 4GB。CAAM 驅(qū)動(dòng)程序/DMA/swiotlb 反彈緩沖區(qū)似乎是問題所在。
2023-04-03 06:55:00
SI8274GB1-IS1
2023-03-31 13:01:22
TLP628(GB,F)
2023-03-29 22:44:28
TLP293(GB,E
2023-03-29 22:44:10
SI8273GB-IS1
2023-03-29 22:39:22
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:35
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:35
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:35
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:35
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:35
MODULE FLASH NAND SLC 1GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 1GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 1GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:34
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
2023-03-29 19:25:04
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
2023-03-29 19:25:03
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:02
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:02
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:02
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
2023-03-29 19:25:02
MEM CARD SDHC 4GB CLASS 10 UHS
2023-03-29 19:24:26
UZD1E2R2MCL1GB
2023-03-29 18:02:27
TLP785GB-S
2023-03-28 14:47:04
ECHU1H682GB5
2023-03-28 14:46:14
我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進(jìn)行 RAM 校準(zhǔn)。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB(2GB 是正確的值)。然后我生成
2023-03-24 07:43:17
iMX8QXP可以使用的最大RAM大小是多少?MEK 使用 3GB。4GB可以嗎?
2023-03-23 08:43:49
評(píng)論