)0x0010U)/*!< PHY Duplex mask*/
不能工作。
查看LAN8720A芯片手冊，微雪LAN8720A模塊對比原子開發(fā)板的原理圖，有一些區(qū)別：
1。PHY地址是1
2024-03-22 07:57:11
PLC之所以高速發(fā)展，除了工業(yè)自動化的客觀需要外，還有許多適合工業(yè)控制的獨特優(yōu)點，它較好地解決了工業(yè)控制領(lǐng)域中普遍關(guān)心的可靠、安全、靈活、方便以及經(jīng)濟等問題，其主要特點如下。
2024-01-20 09:27:21
409 什么是交流負載的特點和特性？ 交流負載是指在交流電路中產(chǎn)生的電阻、電容和電感等元件所承受的負荷。交流負載的特點和特性決定了交流電路的穩(wěn)定性、功率傳輸能力以及效率等重要參數(shù)。下面將詳細介紹交流負載
2024-01-18 15:12:42280 CA51F003T3芯片是基于1T 8051內(nèi)核的8位微控制器，它具有高性能、低功耗、高可靠性等特點，被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)中。一、CA51F003T3芯片的特點1. 高性能
2023-12-21 18:32:30
什么是磁敏電阻？磁敏電阻的主要特性 磁敏電阻（Magnetic-Sensitive Resistor），也被稱為磁敏電阻器或磁敏電感，是一種電阻器的變種，具有對磁場敏感的特性。磁敏電阻器是通過
2023-12-20 10:34:04652 10F-10M+ 主要特性 y 超寬帶，直流至 110GHz y 低插入損耗，典型值為 0.32 dB。y 直體 y 出色的 VSWR，1.10:1 典型值。10F-10M+ 產(chǎn)品概述
2023-12-16 13:43:51
FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持數(shù)據(jù)，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 個完全集成的，高性能的RF收發(fā)器與一個8051微處理器，8kB的RAM，32/64/128/256KB閃存，以及其他強大的支持功能和外設(shè)。CC2530提供了101dB的鏈路質(zhì)量，優(yōu)秀的接收器靈敏度
2023-12-07 15:02:44
壽命、較遠工作范圍以及在擁擠環(huán)境中的使用壽命都是要滿足的重要設(shè)計要求。在本文中，我們將介紹 LPWAN 的主要特性、該技術(shù)的最佳用例，以及客戶采用的一些最常見 LPWAN 解決方案。
2023-11-27 16:05:51416 
)：tuyaos-development-board-t2
二、開發(fā)板資源
32 bit RISC-MCU
2Mbyte 閃存
256 KB RAM
外設(shè)：6xPWM、2xUart、1xSPI、1xI2C、5xADC
==MCU
2023-11-25 23:38:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOS管的特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路.doc》資料免費下載
2023-11-14 10:18:27
0 請問mm32f103怎么通過SOLA的方式把音頻變調(diào)不變速輸出，主要是升調(diào)，通過復(fù)制法能提高頻率，但是雜音大嗎，有辦法濾除嗎
2023-11-09 08:06:35
STM32F103最高頻率是72Mhz，mm32F103最高主頻為96MHz。
2023-11-09 06:15:52
采用OV7670帶緩存攝像頭模塊，用MM32F103能做簡單的視頻處理嗎，比如判斷顏色和形狀，可以使用外部sdram
2023-11-08 06:27:16
stm32f103mini板子芯片改mm32f103不運行是什么原因，是不是硬件還要修改
2023-11-02 07:40:57
MM32F0010使用總結(jié)
2023-11-01 17:07:03465 
flash_internal_all_erase()，即將閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）的 bit2 置 1 選擇為整片擦除，然后將bit6 置 1 觸發(fā)擦除操作。
2023-10-20 08:21:03
非易失性的新技術(shù)，力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式，因為其特性不同，往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點，但缺點在于
2023-10-09 00:10:001311 。
關(guān)鍵特性
全志H618，四核ARM Cortex?-A53處理器
ARM Mali G31圖形處理器
WIFI & 藍牙
2G LPDDR4 RAM
8G eMMC閃存
1
2023-10-08 15:25:13
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F
2023-09-26 06:18:33
片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護和寫保護
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
）、40ms （最大值）? 閃存接口特性? 帶預(yù)取指令緩沖的讀接口? 選項字節(jié)裝載器? 閃存的編程/擦除操作? 保護類型? 寫保護? 讀保護：0級、1級和2級
2023-09-12 07:26:04
12mm儲能連接器是一種廣泛應(yīng)用于各種環(huán)境和應(yīng)用領(lǐng)域的高可靠性連接器。其獨特的結(jié)構(gòu)和設(shè)計使其具有以下特點：
2023-09-11 10:08:30852 
6mm儲能連接器具有高電流和電壓承載能力、快速安裝和連接、安全可靠、多功能性和兼容性以及可維修和更換等優(yōu)點，適用于大規(guī)模和高功率儲能系統(tǒng)的連接，是儲能領(lǐng)域中不可或缺的重要元件之一。
2023-09-06 11:48:35533 
實現(xiàn)ECU節(jié)省空間特點，兼顧小型化與高特性
2023-08-15 14:35:42328 
Vol.1 C0G特性及高耐壓MLCC的特點與替換解決方案
2023-08-03 11:39:38418 
MQTT 的主要特性 MQTT 協(xié)議是為工作在低帶寬、不可靠網(wǎng)絡(luò)的遠程傳感器和控制設(shè)備之間的通訊而設(shè)計的協(xié)議，它具 有以下主要的幾項特性： ①、使用發(fā)布/訂閱消息模式，提供一對多的消息發(fā)布，解除
2023-07-30 14:42:15871 負反饋特性主要包括：能夠減小增益變化率敏感性，能夠改善輸入輸出阻抗，能夠擴展頻率帶寬，以及減小電路的非線性和噪聲等等。
2023-07-11 14:53:351514 
RTKA226110DE0010BU 用戶手冊
2023-07-04 19:51:120 RTKA223011DE0010BU 用戶手冊
2023-07-04 19:34:080 RTKA223021DE0010BU 用戶手冊
2023-07-04 19:08:370 RTKA214020DE0010BU評估板手冊
2023-07-03 20:46:420 RTKA223181DE0010BU評估板手冊
2023-07-03 19:52:310 RTKA211605DR0010BU 示范板手冊
2023-06-30 20:38:130 RTKA210130DE0010BU評估板手冊
2023-06-30 20:30:550 RTKA211630DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:31:120 RTKA211820DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:30:240 RTKA211450DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:28:280 RTKA211250DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:27:430 RTKA211835DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:27:120 1 評估板簡介創(chuàng)龍科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3處理器設(shè)計的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗國產(chǎn)評估板，每核主頻高達1.2GHz，由核心板和評估底板組成。評估板接口資源豐富
2023-06-28 10:11:48
，CC2530結(jié)合了一個完全集成的，高性能的RF收發(fā)器與一個8051微處理器，8kB的RAM，32/64/128/256KB閃存，以及其他強大的支持功能和外設(shè)。
CC2530提供了101dB的鏈路質(zhì)量
2023-06-26 15:29:59
1 評估板簡介創(chuàng)龍科技TL64x-EVM是一款基于TI Sitara系列AM64x雙核ARM Cortex-A53 + 單/四核Cortex-R5F + 單核Cortex-M4F多核處理器
2023-06-13 17:18:31
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 測速電機主要特點及應(yīng)用：主要特點包括高效能、低噪音以及高精度。電機采用了特殊的轉(zhuǎn)子設(shè)計和優(yōu)質(zhì)的變頻器控制系統(tǒng)，可以實現(xiàn)Gao達98%以上的效率，同時，在使用中產(chǎn)生的噪音也非常小，較大噪音值不超過55分貝。此外，該電機的測速精度達到了0.5%，可以滿足各種精度要求高的應(yīng)用場合。
2023-05-29 09:21:35956 
RFXF0010 產(chǎn)品簡介 Qorvo 的 RFXF0010 變壓器專為需要小型、低成本和高度可靠的表面貼裝組件的應(yīng)用而設(shè)計。可以在寬帶、無線和其他通信系統(tǒng)中找到應(yīng)用程序。這些
2023-05-26 11:04:59
我想我只是發(fā)布了我嘗試使用 Sonota32.exe（32 位版本的 sonota.exe）ota 閃存 sonoff 克隆 T1 觸摸墻開關(guān)的摘要。關(guān)于制造此特定設(shè)備的人，我最好的猜測是一家名為
2023-05-26 07:33:28
RTKA211835DE0010BU評估板手冊
2023-05-22 18:43:000 我們有一個帶有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT（微米八進制 SPI 閃存）的定制板連接到端口 A。
我們正在嘗試從此內(nèi)存啟動。
我們遵循了這個應(yīng)用筆
2023-05-22 09:35:01
RTKA211630DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:38:260 RTKA211820DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:37:470 RTKA211450DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:35:590 RTKA211250DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:35:050 大家好，
我嘗試在 RT1160-EVK 上使用八進制閃存，但沒有取得太大成功。
我按照電路板用戶手冊中的概述修改了電路板上的電阻器。已將 SW1 設(shè)置為 0010，將 SW2 設(shè)置為
2023-05-18 06:28:12
我一直在使用 4D Systems 的帶觸摸屏的出色 LCD 顯示模塊，用于適合標準歐洲 80mm x 80mm 面板的室內(nèi)恒溫器。
顯示模塊圍繞 ESP8266 構(gòu)建，包括一個 SD 卡插槽
2023-05-17 08:29:00
Marki Microwave 的 PD-0010 是一款功率分配器，頻率為 DC 至 10 GHz，插入損耗為 0.25 至 1 dB，輸入功率為 1 W，幅度
2023-05-15 18:05:21
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內(nèi)存？
2023-05-10 12:48:37
QPD0010產(chǎn)品簡介Qorvo 的 QPD0010 是采用 DFN 封裝的 SiC HEMT 上的非對稱雙路徑分立式 GaN，工作頻率范圍為 2.5 至 2.7 GHz。在每條路徑中都有一個單級
2023-05-09 12:24:23
，功率 1 W。標簽：帶連接器的模塊，不平衡到平衡。BAL-0010 的更多細節(jié)可以在下面看到。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號BAL-0010制造商馬基微波爐描述200 KH
2023-05-08 16:39:51
資源域控制模塊（XRDC）中有一個MRC，
我想知道MRC、MPU、MMU在用途或特性上的區(qū)別？以及優(yōu)缺點？
2023-05-06 07:51:35
i.MX8MM, i.MX8MQ
SDP: boot -f u-boot.imx
# Initialize SPI Flash
FB: ucmd sf probe ${spi_bus
2023-05-04 06:30:41
主要電阻器的特點 固定電阻器 特點 貼片固定電阻器 可在電路板表面直接貼裝的具有電極形狀的表面貼裝用電阻器。方形貼片電阻器在固定電阻器中將近占9成，是現(xiàn)在一般使用的電阻器的主流產(chǎn)品。 碳膜固定電阻器
2023-04-30 15:00:001166 求一份CS32A010-Start_ V1.0開發(fā)資料shijiedian0010@163.com@163.com 謝
2023-04-27 16:35:04
RQA0010UXAQS 數(shù)據(jù)表
2023-04-26 19:50:200 RQA0010VXDQS 數(shù)據(jù)表
2023-04-26 19:50:000 EZ-0010 用戶手冊
2023-04-19 19:54:030 我的項目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個閃存數(shù)據(jù)塊，如 RM 所示。 所以我的應(yīng)用程序在主閃存陣列 1 中運行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數(shù)據(jù)區(qū)。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
project_template_mc56f83xxx這就是我正在做的：#define DATA_FLASH_START 0x20000 #define FLASH_SECTOR_SIZE 0x800status_t f狀態(tài)；uint8_t
2023-04-18 10:22:17
我們在項目中使用 LS1043A 處理器。我想知道如何啟動處理器以及需要哪些軟件包。連接閃存和 DDR 的軟件是什么？需要所有與 LS1043A 相關(guān)的軟件程序。您的幫助使我了解處理器并為它編寫代碼。
2023-04-18 07:33:22
MASWCC0010GaAs 吸收式，單電源MACOM 的 MASWCC0010 是一款帶有集成 TTL 驅(qū)動器的 SP4T 吸收式 pHEMT 開關(guān)。該器件采用 MLP 塑料表面貼裝封裝。該開關(guān)
2023-04-17 13:48:58
函數(shù)在禁用這些寄存器后啟用 P0_BFEN 和 P1_BFEN 寄存器。首先禁用閃存控制器緩存，經(jīng)過一些閃存操作后，啟用閃存控制器緩存。我不明白為什么他們在這些操作后啟用緩存。 #include
2023-04-17 07:17:57
供應(yīng)IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 16:13:31
供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器，提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應(yīng)600v 15a電機igbt驅(qū)動SGT15T60SD1F可代換IKA15N60T絕緣柵雙極型晶體管，提供SGT15T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:14:03
. sc_seco_sab_msg() api的兩個參數(shù)中“addr: address of message block ”是什么意思？（這意味著閃存 ram 地址？） 2. seco event 0xC1F729是什么意思？ 如果有人知道該事件的含義以及需要如何處理它，那將有很大幫助。
2023-03-30 06:36:02
74737-0010
2023-03-29 22:45:39
35022-0010
2023-03-29 22:38:17
35023-0010
2023-03-29 21:59:52
43860-0010
2023-03-29 21:58:39
EWWR0010J1K00T9
2023-03-29 21:55:08
19099-0010
2023-03-29 21:54:01
DK0010T
2023-03-29 21:54:01
599-0010-007F
2023-03-29 21:52:14
EWWR0010J39R0T9
2023-03-29 21:36:22
0ZCJ0010FF2E
2023-03-29 17:38:45
61729-0010BLF
2023-03-28 18:12:03
502381-0010
2023-03-28 14:51:13
0ZTJ0010FF2E
2023-03-28 14:46:00
我損壞了 t1023wlan 板上的 u-boot 閃存，并嘗試使用 jtag 連接器和 codewarrior TAP 重新閃存板。但是，當我嘗試這樣做時，我反復(fù)收到“錯誤：T1020：核心
2023-03-24 08:05:53
W25Q32JV 工作正常，但如何修改 ext_memory_setup.bat 以配置外部閃存？請注意，我們有另一塊板使用 iMXRT1062 處理器和 flexspi1 上的相同外部 IS25LP128F 閃存。此處外部閃光燈的閃光效果很好。
2023-03-24 06:53:51
我們使用 MM9Z1_638 作為電池接線盒傳感器板。當我們將 0V 和 0A 施加到 mm9z1_638 傳感器板 A~H 點時，顯示測試配置文件。我們通過CANBUS發(fā)現(xiàn)mm9z1
2023-03-23 06:13:54
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認逐個扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
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