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NHM6-750N、NHM16-2200N、NHM6-700N花鍵軸規(guī)格液壓馬達
- 液壓馬達(6685)
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2024-03-20 07:01:21
如何將esr1_N引腳用作NMI？
我希望將 esr1_N 引腳用作 NMI（非屏蔽中斷）。
我很好奇是否有可能設(shè)置一個與其他中斷類似的中斷功能。
示例IFX_INTERRUPT(isr_func, 0, ISR_PRIORITY
2024-03-06 06:22:59
如何通過TD700N22KOF_TIM重置TOM計數(shù)器？
，然后每 10 微秒復位一次。
因此我想到使用 8 個通道級聯(lián)，從 CH0 到 CH7。
而且這些PWM必須移一定的相位，所以我認為CH0是通過TD700N22KOF_TIM信號復位的，而CH1是通道0
2024-03-04 07:46:03
FDC6305N-VB一款2個N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
**VBsemi FDC6305N-VB 詳細參數(shù)說明：**- **絲?。?* VB3222- **品牌：** VBsemi- **參數(shù)：** - **封裝：** SOT23-6
2024-02-19 11:22:29
FDC6303N-VB一款2個N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
**FDC6303N-VB 詳細參數(shù)說明：**- **品牌：** VBsemi- **絲?。?* VB3222- **封裝：** SOT23-6- **參數(shù)：** - 2個N
2024-02-03 15:26:54
FDFS6N548-NL-VB場效應管一款2個N溝道SOP8封裝的晶體管
詳細參數(shù)說明：- 型號: FDFS6N548-NL-VB- 絲印: VBA3316- 品牌: VBsemi- 封裝: SOP8- 溝道類型: N-Channel (2個)- 額定電壓: 30V-
2024-02-03 14:30:50
如何優(yōu)化旋轉(zhuǎn)花鍵的裝配方式
花鍵軸與花鍵套的裝配在工業(yè)上廣泛應用，裝配的質(zhì)量受花鍵軸與花鍵套間的接觸狀態(tài)、對應的受力情況及相對位置關(guān)系影響
2023-12-29 17:48:12
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STP120N4F6-VB場效應管一款N溝道TO220封裝的晶體管
型號：STP120N4F6-VB 絲?。篤BM1405 品牌：VBsemi **參數(shù)：** - 封裝：TO220 - 溝道類型：N
2023-12-28 17:36:19
6RA7087－6DS22-0裝置運行不穩(wěn)定的原因？
我公司先用一部6RA7087－6DS22-0裝置進行軋機控制，但近期頻繁出現(xiàn)軋機速度降速，電機額定轉(zhuǎn)速750，現(xiàn)出現(xiàn)初始運行時，當給定最大時，接近額定轉(zhuǎn)速。運行幾小時后，給定沒有變化，但電機最大
2023-12-28 06:10:38
PHT6N06T-VB場效應管一款N溝道SOT223封裝的晶體管
型號：PHT6N06T-VB絲?。篤BJ1695品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大持續(xù)電流：4A- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON))：76mΩ @ 10V
2023-12-22 15:25:03
SUP85N03-3M6P-GE3-VB場效應管一款N溝道TO220封裝的晶體管
型號：SUP85N03-3M6P-GE3-VB絲印：VBM1303品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大持續(xù)電流：120A- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON))：3m
2023-12-21 12:00:06
FDG6303N-VB一款2個N溝道SC70-6封裝MOSFET應用分析
, 170mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：0.8V- 封裝類型：SC70-6應用簡介：FDG6303N-VB是一款雙N溝道場效應晶體
2023-12-21 10:44:17
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型號：FQD6N40CTM-VB絲?。篤BE165R07S品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：N溝道- 最大耐壓：650V- 最大持續(xù)電流：7A- 開通電阻（RDS(ON)）：700
2023-12-13 17:18:09
FDC6301N-VB一款2個N溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析
Ω @ 2.5V, 12Vgs (±V)，1.2~2.2Vth (V)- 封裝：SOT23-6應用簡介：FDC6301N-VB是一款使用在各種電子設(shè)備中的N溝道MOSFET，
2023-12-13 15:26:20
FQD6N40CTM-VB-TO252封裝N溝道MOSFET
"型號 FQD6N40CTM-VB絲印 VBE165R07S品牌 VBsemi參數(shù) 溝道類型 N溝道 最大耐壓
2023-11-11 11:24:57
FDC6301N-VB-SOT23-6封裝2個N溝道MOSFET
型號 FDC6301N-VB 絲印 VB3222 品牌 VBsemi 參數(shù) 2個N溝道, 20V, 4.8A, RDS
2023-11-10 11:03:13
RSQ045N03TR-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
型號 RSQ045N03TR-VB絲印 VB7322品牌 VBsemi參數(shù) N溝道 額定電壓 30V
2023-11-07 11:59:39
FDC5661N-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET
)- 閾值電壓 1~3Vth (V)- 封裝類型 SOT23-6應用簡介 FDC5661N是一款N溝道MOSFET，具有較高的額定電壓和額定電流，適合在各種電源管理
2023-10-27 17:10:05
請問N9H30能實現(xiàn)反交錯嗎？
N9H30 外接NVP6124，可以采集到圖像顯示到屏幕上，但是NVP6124輸出是interlace的，沒有反交錯顯示效果很差鋸齒嚴重，請問N9H30能實現(xiàn)反交錯嗎？
2023-09-04 08:09:03
ZGDC6-521-N+是一款耦合器
Mini Circuits 的 ZGDC6-521-N+ 是一款定向耦合器，頻率為 130 至 520 MHz，耦合 6 dB，耦合變化 ±1.0 dB，方向性 18 至 26 dB，平均功率 60
2023-08-30 13:37:20
STF140N6F7 N 溝道功率 MOSFET
STF140N6F7內(nèi)容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結(jié)構(gòu)
2023-08-21 16:34:33
C6N50Z4是一款終端
TTM Technologies 的 C6N50Z4 是一款終端，頻率 DC 至 6 GHz、功率 6 W、回波損耗 18 dB、工作溫度 -55 至 150 攝氏度。標簽：表面貼裝
2023-08-17 17:03:55
N100如何使用IDE建立調(diào)試project？
N100目前在IDE里頭沒有對應的模板？如何用IDE建立N101的helloworld project？
在nuclei-sdk直接make也會出錯，也沒有對應的Makefile。
N100只能用n100-sdk進行調(diào)試么？
2023-08-15 07:43:25
使用Nuclei Studio IDE創(chuàng)建內(nèi)核為N307的工程，在SDK Configuration Tools打開Core變成了N600F？
使用 Nuclei Studio IDE 創(chuàng)建了內(nèi)核為 N307的工程，但是在 SDK Configuration Tools里面再打開看時，Core變成了N600F。
2023-08-12 08:29:34
Arm Neoverse? N1 PMU指南
本文檔提供了Neoverse N1 PMU事件的高級描述。
對體系結(jié)構(gòu)行為和Neoverse N1微體系結(jié)構(gòu)行為的引用闡明了這些事件描述。
有關(guān)ARM架構(gòu)的更完整描述，請參閱ARM?架構(gòu)參考手冊
2023-08-12 07:10:05
N300系列的N307-最小配置邏輯門數(shù)是多少？
芯片設(shè)計問題：
1、N300系列的N307-最小配置邏輯門數(shù)是多少？
2、另外，N205可否選配DSP-SIMD和FPU模塊？
2023-08-12 06:32:44
ARM Neoverse N2 PMU指南
2. 本文介紹在NEVER N2中實施的不同性能監(jiān)測單位(PMU)活動的行為。 NEVER N2有6個可編程32位計數(shù)器(對應0-5),每個計數(shù)器可編程以計數(shù)本文件所描述的PMU事件之一
2023-08-09 06:07:35
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2023-08-08 07:55:30
用CubeAI導入神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)報錯N-dimensional?tensors?not?supported?with?N?>?怎么解決？
用CubeAI導入神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)報錯N-dimensional tensors not supported with N > 5，但是用的只是傳統(tǒng)的CNN網(wǎng)絡(luò)
2023-08-07 14:26:53
請問STL210N4F7AG這個型號的實物marking是210N4F7H還是210N4F7?
標簽上marking信息是210N4F7，怎么實物marking是210N4F7H，這個是正常的？
2023-08-07 11:52:00
1N4148、1N4007和1N5819二極管之間的區(qū)別是什么？
一、1N4148、1N4007、1N5819簡介
1N4148是一款快速開關(guān)二極管。它采用平面技術(shù)制造，并封裝在密封的含鉛玻璃SOD27（DO-35）封裝中。
1n4007是PN結(jié)
2023-07-31 16:07:44
6N無氧銅絞線 _99.9999%低溫4.2K導冷帶
原材料：銅編織帶、銅絞線、銅排材質(zhì)：TU00（4N/5N/6N）銅絞線產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：7股、12股、19股、37股、61股.硬銅排材質(zhì)：TU00（4N/5N/6N）銅絞線材質(zhì)：TU00（4N/5N/6N
2023-07-25 11:10:49
N76E616掉電模式電流150uA，太大了怎么解決？
N76E616掉電模式電流148uA，而規(guī)格書上此電流為8uA。我是用新塘例程N76E616_SampleCode_Keil_C51\\Sample_Code\\Pin_Interrupt測試
2023-06-28 08:26:24
請問N9H30能實現(xiàn)反交錯嗎？
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2023-06-28 08:13:28
求大佬分享關(guān)于N32926啟動過程
大家好，最近在使用n32926做網(wǎng)絡(luò)攝像頭功能，查閱了一下新塘的SDK發(fā)現(xiàn)沒有**介紹n32926的詳細啟動過程。之前用6410都是由uboot來引導linux 內(nèi)核，現(xiàn)在先想自己實現(xiàn)一個uboot類似功能的bootloader但是由于不了解n32926的啟動流程無從下手，請大神們援助。
2023-06-25 06:29:59
N76E003 keil中sscanf異常怎么解決？
單片機使用N76E003,Keil4，產(chǎn)品一直異常，分析到最后，發(fā)現(xiàn)sscanf無法正常工作！??！
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ret = sscanf(array, \"%d,%d,%d,%d
2023-06-21 06:08:19
N76E003 PWM分辨率是多少？
有沒有相關(guān)的方法，N76E003 ADC采集的電壓轉(zhuǎn)換為PWM，還有N76E003 PWM分辨率是多少。轉(zhuǎn)換的精度怎么樣，有沒能大神了解過。
2023-06-19 06:15:04
n76e003的輸入捕獲可以測出外部輸入的PWM嗎？
n76e003的輸入捕獲可以測出外部輸入的PWM嗎？有沒有大神發(fā)一下類似代碼。太難了，看了規(guī)格書好幾遍沒看懂
2023-06-14 11:39:24
請問誰手上有舊版的MM32F031 N版的規(guī)格書呢？
我手上目前只有這份規(guī)格書DS_MM32F031xx_n_V1.14_SC.pdf，但我想要舊版一點的版本，麻煩誰有的話給發(fā)一個，謝謝！190525208@qq.com
2023-06-05 14:40:14
怎么判斷MRFE6VS25N壞了沒有？
我在網(wǎng)上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數(shù)是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設(shè)您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
BL6N120-A N溝道功率MOSFET 6A 1200V 貝嶺 絲印6N120
描述BL6N120，硅N溝道增強MOSFET，由先進的MOSFET獲得降低傳導損耗的技術(shù)，提高開關(guān)性能并增強雪崩能量。晶體管適合用于開關(guān)電源、高速開關(guān)和通用應用程序。特點? 快速切換? 低Crss
2023-05-16 16:28:47
國民技術(shù)N32WB031墨水屏驅(qū)動# #從單片機到SOC，系統(tǒng)硬件該如何設(shè)計
單片機N32國民技術(shù)
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A2T27S020N有大功率型號嗎？
我想用A2T27S020N實現(xiàn)1420M-1530M的功率放大，需要線性達到6W功率。目前這款功放還沒有大功率型號。沒有模型嗎？
2023-04-26 06:18:02
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我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
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不同版本MK60FN1M0VLQ155材料3N96B和5N96B的調(diào)試問題
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2023-04-06 06:30:48
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MK60FN1M0VLQ15物料3N96B和5N96B的的版本兩個版本的不同之處，看怎么修改，謝謝！
2023-03-30 06:44:36
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