RS2103低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān)

原廠：潤(rùn)石科技

型號(hào)： RS2103 　?

封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6

品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān)
應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號(hào)選通、斬波、調(diào)制或解調(diào)(調(diào)制解調(diào)器) ] [ 便攜式計(jì)算] [ 手機(jī)]

特性:

-3dB帶寬: 30MHz

高速，典型值為50ns

工作電壓范圍: +1.8V至+5.5V

低導(dǎo)通阻抗，0.602 (典型值)

采用先斷后臺(tái)設(shè)計(jì)

軌到軌操作

兼容TTL/CMOS

擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍: -40°C到+125°C

審核編輯?黃宇
?

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模擬開(kāi)關(guān)(40348) 模擬開(kāi)關(guān)(40348)
SPDT(26321) SPDT(26321)
低導(dǎo)通電阻(8611) 低導(dǎo)通電阻(8611)

評(píng)論

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2023-10-10 08:57:00

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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADRF5420: 翻轉(zhuǎn)芯片、硅SPDT開(kāi)關(guān)、1千赫至90千赫初步數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ADRF5420: 翻轉(zhuǎn)芯片、硅SPDT開(kāi)關(guān)、1千赫至90千赫

2023-10-09 18:58:42

高壓功率MOSFET外延層對(duì)導(dǎo)通電阻的作用

? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓

2023-10-07 09:57:36

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過(guò)流保護(hù)為什么要加裝低電壓閉鎖？

過(guò)流保護(hù)為什么要加裝低電壓閉鎖？過(guò)流保護(hù)是電力系統(tǒng)中非常重要的一項(xiàng)保護(hù)措施，它是通過(guò)檢測(cè)電路中的電流，當(dāng)電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，立即切斷電路，以保護(hù)設(shè)備和人員的安全。但是在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，由于各種原因

2023-09-28 16:46:46

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芯片導(dǎo)通電阻是什么？如何用ATECLOUD-IC測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試？

導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過(guò)的電流所引起的電壓降之比，通俗的說(shuō)就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測(cè)試是一個(gè)必要的步驟，用于驗(yàn)證和檢測(cè)芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。

2023-09-28 14:52:34

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模擬開(kāi)關(guān)能并聯(lián)使用嗎？

用4052模擬開(kāi)關(guān)，由于內(nèi)阻過(guò)大可以把2個(gè)模擬開(kāi)關(guān)并聯(lián)使用來(lái)減小電阻嗎

2023-09-27 07:48:11

CW32單片機(jī)低電壓檢測(cè)器的使用介紹

CW32單片機(jī)低電壓檢測(cè)器的使用介紹

2023-09-18 10:56:26

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模擬開(kāi)關(guān)的重要參數(shù)和應(yīng)用電路

　　在工作中難免會(huì)遇到信號(hào)切換的問(wèn)題，那么模擬開(kāi)關(guān)便可以很好的解決信號(hào)切換或者量程切換或者時(shí)分復(fù)用等問(wèn)題;模擬開(kāi)關(guān)的工作原理是通過(guò)控制電路中的電流或電壓來(lái)控制電路的開(kāi)關(guān)，當(dāng)電流或電壓達(dá)到一定的閾值時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)就會(huì)打開(kāi)或關(guān)閉。

2023-09-14 16:51:55

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什么是PN結(jié)的導(dǎo)通電壓？

什么是PN結(jié)的導(dǎo)通電壓？? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最常見(jiàn)的元器件之一，它將p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的材料在一起，通過(guò)電場(chǎng)使它們連接在一起，并形成一個(gè)電子流的管道。在其中，導(dǎo)通電壓是PN結(jié)的一個(gè)重要參數(shù)

2023-09-13 15:09:29

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低電壓標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)操作設(shè)計(jì)方案

相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)電壓，低電壓標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)的設(shè)計(jì)，面臨了制程變異以及模塊的精準(zhǔn)度等挑戰(zhàn)，皆是設(shè)計(jì)者必須進(jìn)一步考慮要點(diǎn)。M31提出了縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程、組件/電路低電壓操作改善方法以及提升低電模塊精準(zhǔn)度方案，能提供具競(jìng)爭(zhēng)力的低電壓標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)。

2023-09-08 11:04:14

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工商業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用于臺(tái)區(qū)低電壓治理的研究與實(shí)踐

摘要：本文介紹了工商業(yè)儲(chǔ)能和儲(chǔ)能電站的差異，分析了工商業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用于臺(tái)區(qū)低電壓治理的可行性和效果。通過(guò)實(shí)例分析和計(jì)算，表明工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)可以有效解決臺(tái)區(qū)低電壓問(wèn)題，提高供電可靠性和電能質(zhì)量。同時(shí)，本文

2023-09-06 09:39:54

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射頻電阻和普通電阻區(qū)別

射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間

2023-09-02 10:25:43

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模擬電源和開(kāi)關(guān)電源的區(qū)別

模擬電源和開(kāi)關(guān)電源的區(qū)別模擬電源和開(kāi)關(guān)電源是電源領(lǐng)域兩種不同的電源類型。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面都有很大的差異。模擬電源主要是通過(guò)一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器將輸入電源轉(zhuǎn)換成需要的直流輸出

2023-08-18 15:02:07

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開(kāi)關(guān)電源常用mos管型號(hào)大全

管型號(hào)大全，供讀者參考。 1. IRF510: 這是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，主要應(yīng)用于低電壓、低功率的開(kāi)關(guān)電源中。其最大漏極電壓為100V，最大漏電流為5.6A，可靠性高、性價(jià)比較高。 2. IRF540: 這也是一款N溝道MOS管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，適用于

2023-08-18 14:35:33

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開(kāi)關(guān)電源如何改成可調(diào)電壓的

開(kāi)關(guān)電源如何改成可調(diào)電壓的? 開(kāi)關(guān)電源是一種廣泛使用的電子產(chǎn)品，它能夠?qū)⒏?b class="flag-6" style="color: red">電壓電源轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定、低電壓的電源，適用于各種電子設(shè)備。但有時(shí)候我們需要能夠調(diào)節(jié)輸出電壓的開(kāi)關(guān)電源，以便更好地適應(yīng)設(shè)備的需求

2023-08-17 17:51:31

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合創(chuàng)達(dá)微MAX333AMJP---高精度、四路、SPDT、CMOS模擬開(kāi)關(guān)

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)：升級(jí)更換1對(duì)DG211/DG212或2對(duì)dg403低導(dǎo)通電阻< 17Ω典型(35Ω Max)通道間保證匹配的通阻< 2Ω在模擬信號(hào)范圍內(nèi)保證平導(dǎo)電阻Δ3Ω最大值保證電荷注入

2023-08-08 14:46:36

普通電壓探頭的構(gòu)成

普通電壓探頭是電子測(cè)量領(lǐng)域中廣泛使用的一種探頭。它是一種用于測(cè)量電路中電壓的設(shè)備，通過(guò)將其連接到電路中的測(cè)量點(diǎn)，可以將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為可讀取的電信號(hào)。普通電壓探頭的構(gòu)成非常重要，它決定了探頭的性能

2023-08-04 11:37:54

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DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用

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2023-07-24 16:11:12

模擬開(kāi)關(guān)電路圖解

該模擬開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)用于打開(kāi)或關(guān)閉模擬線路。它由兩個(gè)IC形式的模擬開(kāi)關(guān)組成，由兩個(gè)按鈕開(kāi)關(guān)控制。在待機(jī)模式下，模擬開(kāi)關(guān)控制引腳上的電壓很低。

2023-07-23 11:20:01

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HMMC-2007 DC–8 GHz端接SPDT開(kāi)關(guān)產(chǎn)品簡(jiǎn)介

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2023-07-19 15:48:00

72V2103-72V2113 數(shù)據(jù)表

2023-07-07 19:23:40

選擇合適的CMOS模擬開(kāi)關(guān)

本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開(kāi)關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開(kāi)關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開(kāi)關(guān)特性、更低的工作電壓

2023-06-12 10:20:15

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HMC574MS8E SPDT開(kāi)關(guān)典型應(yīng)用及特點(diǎn)

HMC574AMS8E是8引線MSOP封裝中的低成本SPDT開(kāi)關(guān)，用于發(fā)射/接收應(yīng)用，在高入射功率水平下需要非常低的失真。

2023-05-31 11:18:42

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BL1551B 單個(gè)SPDT模擬開(kāi)關(guān)2.7Ω低壓SPDT模擬開(kāi)關(guān)

BL1551B是一種單寬帶、快速單極雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)，在VCC=5.0V時(shí)電阻為2.7Ω，寬電源范圍從1.8V到5.5V。它可以用作一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)或作為一個(gè)低延遲總線開(kāi)關(guān)。350MHz的高帶寬性能支持高頻應(yīng)用程序。兩個(gè)部分的折斷前功能消除了開(kāi)關(guān)期間的信號(hào)中斷，防止兩個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。

2023-05-19 15:47:05

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