概述副邊整流二極管的尖峰開關電源產生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關管,整流管,變壓器,還有輸出扼流線圈,等。不采取任何措施時輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現在開關脈沖
2017-09-12 17:56:16
什么是兩推挽管,定義及用途,大神在哪里
2016-09-14 14:32:04
(GND)間直接接入去耦電容。耦電容的引線不能過長,特別是高頻旁路電容不能帶引線。本篇文章對開關三極管電路進行了簡單的介紹,并對開關三極管當中的補償電容和運放電源旁路電容進行講解。希望在看過本篇文章之后,能對開關三極管中的這兩種常見電容使用方法有進一步的理解。
2016-01-21 09:36:35
應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。其主要原理如圖:圖1。 我們在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通
2018-10-25 14:40:18
尖峰電流的形成產生尖峰電流的主要原因尖峰電流的抑制方法
2021-03-16 11:57:18
開關管的控制變為高頻,最后經過整流濾波電路輸出,得到穩定的直流電壓,因此,自身含有大量的諧波干擾。同時,由于變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復電流造成的尖峰,都會產生不同程度的電磁干擾。開關電源中的干擾
2009-08-17 09:11:30
組成.它產生的尖峰電壓是一種有較大幅度的窄脈沖,其頻帶較寬且諧波比較豐富.產生這種脈沖干擾的主要原因是: (1)開關功率晶體管感性負載是高頻
2009-10-13 08:37:01
開關電源產生干擾的原因 開關電源首先將工頻交流整流為直流,再逆變為高頻,最后經過整流濾波電路輸出,得到穩定的直流電壓,因此自身含有大量的諧波干擾。同時,由于變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復
2020-12-09 15:43:10
的PCB設計 4.高頻變壓器漏感的控制 高頻變壓器的漏感是功率開關管關斷尖峰電壓產生的重要原因之一,因此,控制漏感成為解決高頻變壓器帶來的EMI首要面對的問題。 減 小高頻變壓器漏感兩
2011-10-25 15:50:34
的屏蔽措施 (9)合理的PCB設計 4.高頻變壓器漏感的控制 高頻變壓器的漏感是功率開關管關斷尖峰電壓產生的重要原因之一,因此,控制漏感成為解決高頻變壓器帶來的EMI首要面對的問題。 減小高頻變壓器漏感
2008-07-13 11:18:13
端正激、單端反激等模式。在中小功率開關電源模塊中,使用較多的電路拓撲結構為推挽式、單端正激式、單端反激式等。典型的單端正激式開關電源電路框圖如圖1所示,它由功率開關管Q1、高頻變壓器T、整流二極管Dl
2018-11-21 16:24:32
,勵磁電流經二極管D流向復位繞組,最后減小到零,此時Q兩端電壓下降到Vdc。圖2所示是開關管集電極電流和電壓波形。可見,開關管不帶緩沖電路時,在Q關斷時,其兩端的漏感電壓尖峰很大,產生的關斷損耗也很大
2018-11-21 16:22:57
不管三極管(Q2)導通和強制關閉輸出一致,無法使得三極管起到開關作用,請問該三極管在此電路中具體產生漏電源的原因及解決方法
2020-02-17 09:48:20
干擾源集中體現在功率開關管、整流二極管、高頻變壓器等其中一般由基本整流器產生的電流高次諧波干擾和變壓器型功率轉換電路產生的尖峰電壓干擾.基本整流器的整流過程是產生EMI最常見的原因。這是因為正弦波電源
2013-02-28 17:33:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
推挽逆變器的原理分析
2012-08-14 14:44:27
逆變電源工程師設計之首選。正是因為看似簡單的一個拓撲,確讓很多設計師望而卻步,因為推挽有一個最頭疼的問題,電壓尖峰。通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是電流而...
2021-11-16 07:30:19
并沒有通過變壓器負載。因此,在兩個控制開關K1和K2分別處于導通和截止的過渡期間,兩個開關器件將會產生很大的功率損耗。 推挽式開關電源 它不會存在這種損耗。因為,當控制開關K1將要關斷的時候,開關
2018-10-15 15:25:55
MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小,效率高。輸出既可以向負載灌電流,也可以從負載抽取電流。 三極管的開漏
2011-11-18 22:05:24
1.推挽輸出使GPIO口輸出高電平或者低電平主要寄存器為端口配置地寄存器和端口配置高寄存器,每四個位控制一個GPIO.2 推挽輸出和開漏輸出推挽輸出結構是由兩個MOS或者三極管收到互補控制的信號控制
2022-02-24 07:20:13
看到書上講推完變換器的原理,說道當MOS管開通,由于變壓器次級在整流二極管反向恢復時間內造成的短路,漏極電流將出現尖峰在MOS管關斷時,高頻變壓器的漏磁通下降,漏感依然將釋放儲能,變壓器繞組上,相應
2017-07-22 11:57:00
實際情況調試確定,死區時間與變壓器的漏感,MOS管的結電容有關,若死區時間設置不合理會導致較大的尖峰電壓。特別是在逆變器啟動時尤為明顯,那么接下來就詳細說明原因。1、為什么啟動時會有較大的尖峰呢?因為剛啟動
2020-06-27 10:23:36
轉移導致大量的電流流經二極管,從N-epi到P+區,即從漏極到源極。電感L1對于流經Q2和Q1的尖峰電流表現出高阻抗。Q1表現出額外的電流尖峰,增加了在導通期間的開關損耗。圖4a描述了MOSFET的導
2021-11-18 07:00:00
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高,在AC輸入270V下尖峰高達600多伏。
我調整了一下RCD電路,比如增大原來的470pf電容到1.88nf,繼續增大尖峰就不再下降了,電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
以STM32參考手冊中的GPIO輸出配置圖為例:看到輸出驅動器虛線框中的內容,輸出驅動器中的P-MOS和N-MOS兩個MOS管就是實現推挽輸出和開漏輸出的關鍵。推挽輸出模式下,P-MOS和N-MOS
2022-02-28 06:48:51
輸出(Push-Pull Output)推挽輸出的結構是由兩個三極管或者MOS管受到互補信號的控制,兩個管子始終保持一個處于截止,另一個處于導通的狀態。如圖 10所示。圖10推挽輸出的最大特點是可以真正
2020-08-26 08:09:56
是非常快的,可以達到幾十ns,一般情況下驅動推挽電路的上管開通速度越快,門極電阻越小,di/dt就會越大,因此尖峰也會越高。搞清楚機理后,大家就應該知道這個尖峰對IGBT是沒有什么影響的,只是內部寄生
2021-04-26 21:33:10
來源 中國電子網開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內).推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補
2016-06-29 11:11:00
來源網絡開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內).推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制
2017-03-21 09:20:02
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數字器件;開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內).推挽結構一般
2022-02-08 06:50:38
即可。這樣集電極就變成了漏極,OC就變成了OD,原理分析是一樣的。另一種輸出結構是推挽輸出。推挽輸出的結構就是把上面的上拉電阻也換成一個開關,當要輸出高電平時,上面的開關通,下面的開關斷;而要輸出
2017-10-12 10:41:10
來源 網絡開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內)。 推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號
2018-03-20 16:19:06
的MOS管,不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS.原因是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主。MOS管
2019-07-05 08:00:00
的MOS管,不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS.原因是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主。MOS管
2019-07-05 07:30:00
的MOS管,不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS.原因是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主。MOS管的三個
2019-07-03 07:00:00
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ,漏極一個低電壓,漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩壓管,給柵極一個4-10V的電壓,漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
MOS管驅動電機,負載接在漏極端;MOS+運放組成的恒流源,負載也在漏極端。想問一下,負載可以放在源極嗎?兩者有什么區別?
2021-07-08 18:07:57
MOS管在什么情況下流過連續漏記電流?在什么情況下流過脈沖漏極電流?正常用方波脈沖驅動MOS管通斷的話,流過MOS管的是連續漏極電流還是脈沖漏極電流?
2018-08-23 15:30:44
另一個截止。高低電平由輸出電平決定。 推挽電路是兩個參數相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務。電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗
2022-12-22 18:10:27
時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發熱損壞 由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因
2018-10-29 14:07:49
、N3的作用也不同。03 推挽(變壓器中心抽頭)式這種電路結構的特點是:對稱性結構,脈沖變壓器原邊是兩個對稱線圈,兩只開關管接成對稱關系,輪流通斷,工作過程類似于線性放大電路中的乙類推挽功率放大器。主要
2021-03-23 14:35:38
的反饋量。二極管D3和D4續流二極管,保護驅動級晶體管的開關變壓器(T2)初選時產生的電壓尖峰。R14和R15限制基地的第四季度和Q7。R12和R13為第四季度和Q7防止意外的開關ON下拉電阻。C10
2021-04-29 06:00:00
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數字器件;開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內). 推挽結構
2015-03-08 15:32:18
前沿尖峰的一些抑制方法1、選用軟恢復特性的肖特基二極管,或采用在整流管前串聯電感的方法比較有效,或在開關管整流管的磁珠。磁芯材料選用對高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料,等。2、在二次側接入RC
2019-03-10 06:30:00
基于三極管的特性,將邏輯取反電路的參數進行了詳細的計算,并給出了電阻取值的理由,但選型中沒有對非常重要的一個器件——三極管進行分析。下面一起看看對于“邏輯取反”電路和常見的開關電源里面
2023-03-22 15:43:47
為什么電流源型逆變器中開關管要反串二極管呢?
2023-04-24 14:10:19
電壓較高;由于變壓器原邊漏感的存在,功率開關管關斷的瞬間,漏源極會產生較大的電壓尖峰,另外輸入電流的紋波較大,因而輸入濾波器的體積較大。推挽電路圖推挽電路(一)推挽電路(二)推挽電路(三)`
2011-11-02 10:27:38
最近在學STM32,看正點原子視頻中對開漏輸出和推挽輸出的講解視頻時,發現原子哥對電路的講解有一些錯誤,主要說關于MOS管的開關問題,查了一晚上資料,終于想明白了,特意發個文章分享一下。這是
2022-02-17 07:15:10
通轉向截止時的關斷時間相比很小,其對開關速度的影響很小,在分析討論中主要考慮關斷時間的影響。二極管開關時間延遲原因分析在半導體中存在兩種電流,因載流子濃度不同形成的電流為擴散電流,依靠電場作用形成
2021-04-19 10:10:12
決定漏感大小的因素漏感是指沒有耦合到磁心或者其他繞組的可測量的電感量.它就像一個獨立的電感串入在電路中.它導致開關管關斷的時候DS之間出現尖峰.因為它的磁通無法被二次側繞組匝鏈。對于固定的已經制作
2011-08-09 11:48:52
壓之和約為2UI.在實際中,變壓器的漏感會產生很大的尖峰電壓加在S2 兩端,從而引起大的關斷損耗,變換器的效率因受變壓器漏感的限制,不是很高。在S1和S2 的漏極之間接上RC緩沖電路,也稱為吸收電路
2018-09-29 16:43:21
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數字器件;推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制,總是在一個三極管導通的時候另一個截止.開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉
2021-11-24 07:22:11
1.單片機IO口開漏輸出和推挽輸出有什么區別?開漏輸出:開漏輸出只能輸出低電平,如果要輸出高電平必須通過上拉電阻才能實現。就類似于三極管的集電極輸出。推挽輸出:推挽輸出既可以輸出低電平,也可以輸出
2021-12-07 06:13:45
可以輸出高電平,可以直接驅動功耗不大的數字器件。推挽電路是由兩個三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中,電路工作時,兩只對稱的開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小、效率高、既提高電路的負載能力,又提高開關速度。其原理圖如下:當內部輸出1電平時,上邊的MOS管導通同時下邊的MOS管截
2021-12-13 07:10:15
單片機端口的推挽方式和漏極方式的區別
2014-06-04 08:11:04
電容,Cj為輸出二極管的結電容。圖5為反激變換器工作在DCM工作模式時,開關管分別工作在(a)開通瞬間、 (b)開通階段、 (c)關斷瞬間和(d)關斷階段時,所對應的等效分析電路,Rds為開關管的漏源極
2018-10-10 20:44:59
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調大一點,也會使得漏極開機瞬間尖峰稍微減小,但也會導致低壓無法啟動。
請問是什么原因導致MOS管漏極開機瞬間電壓很大?如何解決?
2023-10-09 23:06:47
承受這個額定電流,即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下,MOS管處于穩態,此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了
2018-11-08 14:13:40
流過電阻,并且沒有電壓。通過以1 kHz的頻率向MOSFET施加脈動信號,漏極輸出遵循與柵極相同的波形,但具有反相。對于許多類型的開關設備,即使連接到電阻性負載,也會產生輸出峰值,其特點是持續時間非常短
2020-09-09 16:04:44
的最后一步是決定MOS管的開關性能 影響開關性能的參數有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此
2016-01-26 10:30:10
在開關電源中如何消除開關mos管漏極產生的振蕩成份呢?
2023-05-09 14:56:25
,也稱為吸收電路,用來抑制尖峰電壓的產生。并且為了給能量回饋提供反饋回路,在S1和S2 兩端都反并聯上續流二極管FWD. 2開關變壓器的設計 采用面積乘積(AP)法進行設計。對于推挽逆變工作開關
2018-09-29 16:55:57
開關電源設計中,我們常常使用到一個電阻串聯一個電容構成的RC電路, RC電路性能會直接影響到產品性能和穩定性。如何設計既能降低開關管損耗,且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路?
2019-01-10 14:07:18
甚至繼電器,但電阻的驅動是有限的,最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r; 另一種是互補推挽輸出,采用2只晶體管,一只在上一只在下,上面的一只是n型,下面為p型(以三極管為例),兩只管子的連接為
2019-05-24 09:07:33
高頻逆變器推挽方式前級升壓mos尖峰問題怎么解決驅動是sg3525,開環的時候波形很好, 當變壓器副邊升壓到420V開始穩壓的時候,sg3525就開始調整占空比這時候就有尖峰
2023-10-08 10:59:26
上的漏感尖峰電壓應力及EMI輻射問題。圖2常見的RCD吸收電路結構如圖2(D1一般用快恢復二極管)。如果變壓器設計不合理,漏感大的話,開關管管斷時,漏感電壓較大,振蕩時間較長,導致MOS電壓應力比較
2021-06-09 06:00:00
剛接觸ATX電源部分,這個推挽電路是放大主開關管的,不明白為什么有方波發生時,三極管就會截止呢?
2023-04-28 14:50:37
概述副邊整流二極管的尖峰開關電源產生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關管,整流管,變壓器,還有輸出扼流線圈,等。不采取任何措施時輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現在開關脈沖
2019-05-13 05:57:38
概述副邊整流二極管的尖峰開關電源產生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關管,整流管,變壓器,還有輸出扼流線圈,等。不采取任何措施時輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現在開關脈沖
2019-04-08 08:30:00
現有的自激推挽式變換器由輸入濾波電路、雙極性推挽式電路和耦合變壓器組成,由于輸入端的電壓通過電阻R、電容C′直接加在兩個晶體管上。當電壓較低時,晶體管能正常運行;而當輸入電壓較高時,因為與電阻R并聯
2020-10-26 14:32:24
時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發熱損壞 由超出安全區域弓|起發熱而導致的。發熱的原因
2018-11-21 13:52:55
:吸收是對電壓尖峰而言。電壓尖峰的成因:電壓尖峰是電感續流引起的。引起電壓尖峰的電感可能是:變壓器漏感、線路分布電感、器件等效模型中的感性成分等。引起電壓尖峰的電流可能是:拓撲電流、二極管反向恢復
2021-06-02 16:18:47
很小。另外,功率開關管在截止期間,高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會產生 尖峰干擾。
2009-10-13 08:33:24
的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
以是另一個開關三極管)總是交替地導通或者截止,圖1中KQ和KD并非是理想器件,兩種狀態的轉換需要一定的時間,這就產生了尖峰干擾。在狀態轉變過程中,該導通的開關沒有完全導通,而該截止的開關卻又沒有截止的瞬間
2011-09-02 11:26:54
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數字器件; 開漏輸出:輸出端相當于三極管的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內). 推挽
2018-06-28 10:32:42
推挽輸出了,大家說說推挽和漏極輸出各有什么優劣嗎?還有單片機輸出到數字三極管是不是用PNP數字三極管更好些呢?希望用過的給個建議,小弟在此謝過了
2019-09-26 04:49:55
網上基本都是說,當MOS關斷時,漏感會產生尖峰電壓。那我想問下,當MOS管開通時,這個漏感就不會對MOS管產生影響嗎?
2018-12-20 14:12:20
輸入電壓與二極管導通壓降之和,因此和推挽電路相比,理論上半橋電路的開關管無電壓尖峰。全橋電路也具備半橋電路的上述優點,但它需要數量較多的開關管,結構較復雜。本文利用半橋電路作為超聲電機的驅動電路,分析了
2022-09-06 16:15:17
最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低,器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗,要計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
使S2在關斷時承受的電壓是輸入電壓與感應電壓之和約為2UI.在實際中,變壓器的漏感會產生很大的尖峰電壓加在S2兩端,從而引起大的關斷損耗,變換器的效率因受變壓器漏感的限制,不是很高。在S1和S2的漏極
2018-10-10 17:00:06
高頻變壓器漏感的控制 高頻變壓器的漏感是功率開關管關斷尖峰電壓產生的重要原因之一,因此,控制漏感成為解決高頻變壓器帶來的EMI首要面對的問題。 減小高頻變壓器漏感兩個切入點:電氣設計、工藝
2011-07-11 11:40:21
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯的功率管數量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關狀態,硬開關狀態存在弊端。
2011-09-13 15:29:57
4735 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/FE/wKgZomUMOy-AP4mTAAAKEgcaMG0024.jpg)
推挽式逆變器原理推挽式逆變器原理推挽式逆變器原理
2015-12-30 16:11:44
0 的死區處都長了一個長長的尖峰,這個尖峰對逆變器/UPS性能的影響和開關管Q1,Q2的威脅是不言而喻的,這里就不多說了。 二 Q1,Q2兩管漏極產生尖峰的成因分析 從圖1中可以看出,主電路功率元件是開關管Q1,Q2和變壓器T1。 Q1,Q2的漏極引腳到TI初級兩邊走線存在分布電感,
2017-12-11 10:50:23
8 上上期我們提到了buck電路的開關的振鈴波形,本質原因是LC的阻尼振蕩。文章偏理論,那BUCK到底是怎么產生尖峰振蕩呢? 問題 本期主要分析以下這兩個問題: 1、死區時間是什么?這里有個小臺階
2021-07-06 08:56:33
18617 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/05/CF/poYBAGDjrCmAML8LAAArVCnbGnk804.png)
逆變電源工程師設計之首選。正是因為看似簡單的一個拓撲,確讓很多設計師望而卻步,因為推挽有一個最頭疼的問題,電壓尖峰。通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是電流而...
2021-11-09 12:51:00
25 產生尖峰電流的另一個原因是負載電容的影響。與非門輸出端實際上存在負載電容 CL,當門的輸出由低轉換到高時,電源電壓由 T4 對電容 CL 充電,因此形成尖峰電流。
2023-04-21 14:53:41
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