封裝名稱 (mils)-203, 210, 219, 240
Vr 反向擊穿電壓 Ir = 10 μA (V) 最小值30
Ct 總電容1Vr=1 V (pF) 典型值6.37
Ct 總電容1Vr=4 V (pF) 典型值4.1
Ct 總電容1Vr=10 V (pF) 典型值2.85
Ct 總電容1Vr=30 V (pF) 典型值1.77
總靜電容量比 Ct=0 V / Ct=30 V 以上4.2
Rs 系列電阻 最大 500 MHz (Ω)0.35
Q Vr=4 V @ 50 MHz 最小值2400