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TLE2027包含創新的電路設計專業知識和高質量的過程控制技術,可產生以前單個運算放大器無法提供的交流性能和直流精度。這些器件采用TI最先進的Excalibur工藝制造,可以升級使用低精度器件的系統。
在直流精度領域,TLE2027提供100μV的最大偏移電壓,共模抑制比為131 dB(典型值),電源電壓抑制比為144 dB(典型值),直流增益為45 V /μV(典型值)。
TLE2027的交流性能突出顯示典型的單位增益帶寬規格為15 MHz,相位裕度為55°,噪聲電壓規格為3.3 nV / Hz 分別為10 Hz和1 kHz。
TLE2027提供多種封裝,包括符合行業標準的8引腳小外形版本,適用于高密度系統應用。該器件的特點是可在55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。
(1)符合JEDEC和行業標準的元件認證,確保在擴展溫度范圍內可靠運行。這包括但不限于高加速應力測試(HAST)或偏壓85/85,溫度循環,高壓釜或無偏HAST,電遷移,鍵合金屬間壽命和模塑化合物壽命。此類鑒定測試不應被視為超出規定的性能和環境限制使用該組件的合理性。
所有其他商標均為其各自所有者的財產。
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Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Output Current (Typ) (mA) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Architecture |
IIB (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
? |
TLE2027-EP |
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1 ? ? |
8 ? ? |
38 ? ? |
13 ? ? |
2.8 ? ? |
Out ? ? |
0.1 ? ? |
3.8 ? ? |
HiRel Enhanced Product ? ? |
-55 to 125 ? ? |
SOIC ? ? |
35 ? ? |
0.4 ? ? |
2.5 ? ? |
Bipolar ? ? |
90000 ? ? |
131 ? ? |
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? |