TPS51216-EP TPS51216-EP 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器電源解決方案同步降壓

數據： TPS51216-EP Complete DDR2, DDR3 and DDR3L Memory Power Solution Synchronous Buck Controller, 2-A LDO, Buffered Reference 數據表

描述

TPS51216-EP以最低的總成本和最小的空間為DDR2，DDR3和DDR3L內存系統提供完整的電源。它集成了同步降壓穩壓控制器（VDDQ）和2A吸收/源跟蹤LDO（VTT）和緩沖低噪聲參考（VTTREF）。 TPS51216-EP采用D-CAP模式，耦合300 kHz /400 kHz頻率，易于使用和快速瞬態響應。 VTTREF可在0.8％的精度范圍內跟蹤VDDQ /2。 VTT提供2-A吸收/源極峰值電流能力，僅需要10μF的陶瓷電容。此外，還提供專用的LDO電源輸入。

TPS51216-EP提供豐富的實用功能和出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態控制，在S3中將VTT置于高阻態，并在S4 /S5狀態下將VDDQ，VTT和VTTREF（軟關斷）放電。

可編程OCL具有低端MOSFET R _DS（on）檢測，OVP /UVP /UVLO和熱關斷保護。

TPS51216 -EP采用20引腳，3 mm×3 mm，WQFN封裝，額定溫度范圍為-55°C至125°C。

特性

同步降壓控制器（VDDQ）
- 轉換電壓范圍：3至28 V
- 輸出電壓范圍：0.7至1.8 V
- 0.8％V _REF精度
- 快速瞬態響應的D-CAP模式
- 可選擇300 kHz /400-kHz切換頻率
- 使用自動跳過功能優化輕載和重載時的效率
- 支持S4 /S5狀態下的軟關閉
- OCL /OVP /UVP /UVLO保護
- Powergood輸出
2-A LDO（VTT），緩沖參考（VTTREF）
- 2-A（峰值）吸收和源電流
- 僅需要10-μF陶瓷輸出電容
- 緩沖，低噪聲，10 mA VTTREF輸出
- 0.8％VTTREF，20 mV VTT精度
- 支持S3中的高阻Z和S4 /S5中的軟關斷
熱關斷
20針，3 mm×3 mm，WQFN封裝
支持國防，航空航天和醫療應用
- 受控基線
- 0裝配/試驗現場
- 一個制造現場
- 軍用（-55°C至125°C）溫度范圍^（1）
- 延長產品生命周期
- 擴展產品變更通知
- 產品可追溯性

參數與其它產品相比?DDR 存儲器電源產品

?
DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)
?

TPS51216-EP	TPS51216
DDR DDR2 DDR3 DDR3L LPDDR2 LPDDR3 ? ?	DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3 ? ?
2 ? ?	2 ? ?
0.6 ? ?	0.6 ? ?
VDDQ VREF VTT ? ?	VDDQ VREF VTT ? ?
3 ? ?	3 ? ?
28 ? ?	28 ? ?
Shutdown Pin for S3 ? ?	Complete Solution Eco Mode S3/S5 Support ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?	Catalog ? ?
-55 to 125 ? ?	-40 to 85 ? ?
WQFN ? ?	WQFN ? ?
20WQFN: 9 mm2: 3 x 3(WQFN) ? ?	20WQFN: 9 mm2: 3 x 3(WQFN) ? ?
Step-Down Controller Plus LDO ? ?	Step-Down Controller Plus LDO ? ?
0.6 ? ?	0.6 ? ?