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• 5962R13202：
  • 耐輻射保障（RHA）：高達100krad（Si）TID
  • 電離輻射總劑量：100krad（Si）
  • 無低劑量率輻射損傷增強（ELDRS）：100krad（Si）
  • 劑量率：10 mrad（Si）/s
  • 單粒子鎖定（SEL）對于
    LET的抗擾度= 85MeV-cm ² /mg
  • SEB和SEGR對于
    LET的抗干度= 85MeV-cm ² /mg
  • SET /SEFI起始閾值大于40MeV-cm ² /mg，詳情請參閱輻射報告（SNAA257）
    • 專為降低干擾而設計，以避免損壞重要的下行組件
  • 有關SET /SEFI橫截面圖的詳細信息，請參閱輻射報告（SNAA257）
• 超低輸入電壓范圍：1.5V至7V
• 3A最大輸出電流
• 共流/并行運行以提供高達6A的輸出電流
• 與陶瓷輸出電容一起工作時保持穩定
• 線路，負載和溫度范圍內的精度為±2％
• 通過外部電容器進可編程的軟啟動
• 所有輸入電壓具有輸入使能，且具有電源正常輸出，可進行電源定序
• 超低壓降LDO電壓：
  1A（25 °C），V _OUT = 1.8V時為62mV
• 低噪聲：
  V _IN = 2V，V _{OUT < /sub> = 1.8 V，電流為3A時為20.33μVRMS}
• 電源抑制比（PSRR）：1kHz頻率下超過45dB
• 出色的負載/線路瞬態響應
• 折返電流限制
• 請參閱“工具和軟件”選項卡
• 耐熱增強型CFP封裝（0.6°C /WR _θJC）

所有商標均為其各自所有者的財產。