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CSD16556Q5B 25V NexFET N 通道功率 MosFET

數(shù)據(jù):

描述

這款25V,0.9mΩ,5mm×6mm SON NexFET功率MOSFET設(shè)計(jì)用于大大降低同步整流和其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。

特性

  • 超低電阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩級(jí)
  • 無(wú)鉛引腳鍍層
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • 小外形尺寸無(wú)引線(xiàn)(SON)5mm x 6mm塑料封裝

應(yīng)用范圍

  • 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
  • 已針對(duì)同步場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)晶進(jìn)管(FET)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD16556Q5B
25 ? ?
Single ? ?
1.5 ? ?
1.07 ? ?
400 ? ?
37 ? ?
13 ? ?
SON5x6 ? ?
20 ? ?
1.4 ? ?
263 ? ?
100 ? ?
Yes ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
元器件購(gòu)買(mǎi) CSD16556Q5B 相關(guān)庫(kù)存

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