LM5113-Q1專為同時驅動采用同步降壓，升壓或半橋配置的高側和低側增強模式氮化鎵（GaN） FET或硅質MOSFET而設計，適用于汽車應用。此器件具有一個集成于內部的100V自舉二極管，還為高側和低側輸出分別提供了獨立的輸入，可實現最大程度的靈活控制。側偏置電壓在內部被鉗位為5.2V，可防止柵極電壓超過增強模式GaN FET的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與TTL邏輯兼容，無論VDD電壓多高，它都能夠承受高達14V的輸入電壓.LM5113-Q1具有分柵輸出的能力，可獨立靈活地調節開通和關斷強度。

此外，LM5113-Q1具有非常可靠的灌電流能力，使能柵極保持低電平，從而防止開關操作期間發生誤導通.LM5113-Q1的工作頻率最高可達數MHz.LM5113-Q1采用帶有裸露焊盤的標準10引腳WSON封裝，可改善功耗。