LMC660 CMOS 四路運算放大器

數據： LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier 數據表

描述

LMC660 CMOS四路運算放大器非常適合單電源供電。它的工作電壓范圍為+ 5V至+ 15.5V，除了包括接地的輸入共模范圍外，還具有軌到軌輸出擺幅。過去困擾CMOS放大器的性能限制不是這種設計的問題。輸入V _OS，漂移和寬帶噪聲以及電壓增益到實際負載（2kΩ和600Ω）都等于或優于廣泛接受的雙極性等效電路。

芯片采用TI先進的雙多晶硅柵極CMOS工藝制造。

請參閱LMC662數據表，了解具有相同功能的雙CMOS運算放大器。

特性

軌到軌輸出擺幅
指定為2kΩ和600Ω負載
高電壓增益：126 dB
低輸入失調電壓：3 mV
低偏移電壓漂移：1.3μV/°C
超低輸入偏置電流：2 fA
輸入共模范圍包括V ^-
+ 5V至+ 15.5V電源的工作范圍
I _SS =375μA/放大器;獨立于V ⁺
低失真：10％時0.01％
壓擺率：1.1 V /μs

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數與其它產品相比?通用運算放大器

?
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
?

LMC660
4 ? ?
4.75 ? ?
15.5 ? ?
1.4 ? ?
1.1 ? ?
In to V- Out ? ?
3 ? ?
0.38 ? ?
22 ? ?
Catalog ? ?
-40 to 85 0 to 70 ? ?
PDIP SOIC ? ?
See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) ? ?
1.3 ? ?
N/A ? ?
0.2 ? ?
83 ? ?
21 ? ?
CMOS ? ?