優勢和特點

• 低噪聲（0.1 Hz至10 Hz）
  • ADR420: 1.75 μV峰峰值
  • ADR421: 1.75 μV 峰峰值
  • ADR423: 2.0 μV 峰峰值
  • ADR425: 3.4 μV 峰峰值
• 低溫度系數：3 ppm/°C
• 長期穩定性：50 ppm/1000小時
• 負載調整率：70 ppm/mA
• 電壓調整率：35 ppm/V
• 低遲滯：40 ppm（典型值）
• 寬工作電壓范圍
  • ADR420: 4 V至18 V
  • ADR421: 4.5 V 至18 V
  • ADR423: 5 V 至 18 V
  • ADR425: 7 V 至18 V
• 靜態電流：0.5 mA（最大值）
• 高輸出電流：10 mA
• 寬溫度范圍：?40°C至+125°C

產品詳情

ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩定特性，采用SOIC和MSOP封裝。

利用溫度漂移曲率校正專利技術和XFET技術，可以使電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。XFET架構能夠為帶隙基準電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極管基準電壓源相比，還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪聲性能、穩定性和精度，非常適合光纖網絡和醫療設備等精密轉換應用。此外還可利用其調整引腳，在±0.5%范圍內調整輸出電壓，其它性能則不受影響。ADR42x系列分為兩種電氣等級，額定溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業溫度范圍，提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝（后者比前者小30%）。

應用

• 精密數據采集系統
• 高分辨率轉換器
• 電池供電儀器儀表
• 便攜式醫療儀器
• 工業過程控制系統
• 精密儀器
• 光纖網絡控制電路

方框圖